碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

中國(guó)香港地區(qū)將建首個(gè)具規(guī)模的半導(dǎo)體晶圓廠

香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄，設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心。大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司（杰平方半導(dǎo)體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開(kāi)設(shè)香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資額約69億港元，計(jì)劃到2028年年產(chǎn)24萬(wàn)片碳化硅晶圓，帶動(dòng)年產(chǎn)值超過(guò)110億港元，并創(chuàng)造超過(guò)700個(gè)本地和
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杰平方半導(dǎo)體宣布啟動(dòng)香港首間碳化硅（SiC）先進(jìn)垂直整合晶圓廠項(xiàng)目

由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進(jìn)重點(diǎn)企業(yè)辦公室共同推動(dòng)，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司（杰平方半導(dǎo)體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開(kāi)設(shè)香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局去年公布的《香港創(chuàng)科發(fā)展藍(lán)圖》中，明確指出應(yīng)加強(qiáng)支持具策略性的先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展，譬如半導(dǎo)體芯片，促進(jìn)香港「新型工業(yè)化」的發(fā)展。作為全球最大的半導(dǎo)體進(jìn)出口市場(chǎng)之一，香港更是位處大
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Denso和三菱電機(jī)10億美元投資Coherent碳化硅業(yè)務(wù)

Denso和三菱電機(jī)宣布將分別投資5億美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)子公司。據(jù)外媒，日本電裝株式會(huì)社(Denso)和三菱電機(jī)宣布，將分別投資5億美元，入股美國(guó)半導(dǎo)體材料、網(wǎng)絡(luò)及激光供應(yīng)商Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)子公司Silicon Carbide，并分別取得12.5%股權(quán)（兩家日企合計(jì)取得25%股權(quán)）。據(jù)悉，Silicon Carbide主要從事SiC晶圓等產(chǎn)品的制造，是于2023年4月從Coherent公司分拆出來(lái)設(shè)立的SiC業(yè)務(wù)子公司。Denso與三菱電機(jī)將向該公司采購(gòu)
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一文讀懂碳化硅設(shè)計(jì)中的熱管理

隨著我們尋求更強(qiáng)大、更小型的電源解決方案，碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來(lái)越流行，特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域，如汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、直流快速充電、儲(chǔ)能電站、不間斷電源和太陽(yáng)能發(fā)電。這些應(yīng)用有一點(diǎn)非常相似，它們都需要逆變器（圖 1）。它們還需要緊湊且高能效的輕量級(jí)解決方案。就汽車(chē)而言，輕量化是為了增加續(xù)航里程，而在太陽(yáng)能應(yīng)用中，這是為了限制太陽(yáng)能設(shè)備在屋頂上的重量。圖 1.典型的 EV 動(dòng)力總成，其中顯示了逆變器半導(dǎo)體損耗決定逆變器效率的主要因素之一是所使用的半導(dǎo)體器件（IGBT /
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了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)

Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品性能和先進(jìn)的技術(shù)，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場(chǎng)具有領(lǐng)導(dǎo)地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達(dá)4700V的器件，能夠支持客戶開(kāi)發(fā)需求嚴(yán)苛的應(yīng)用。Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品性能和先進(jìn)的技術(shù)，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場(chǎng)具有領(lǐng)導(dǎo)地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達(dá)4700V的器件，能夠支持客戶開(kāi)發(fā)需求嚴(yán)苛的應(yīng)用。Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si) MOSF
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適用于熱插拔應(yīng)用的具有導(dǎo)通電阻的高效 MOSFET

熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的負(fù)載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來(lái)壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會(huì)引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的負(fù)載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來(lái)壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會(huì)引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。簡(jiǎn)介熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會(huì)損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會(huì)產(chǎn)生較大的
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onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC 應(yīng)用于工業(yè)馬達(dá)控制器

1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動(dòng)器，專為高功率應(yīng)用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設(shè)計(jì)。其特性包括互補(bǔ)的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開(kāi)路或故障偵測(cè)功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護(hù)能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時(shí)的軟關(guān)斷以及獨(dú)立的高低驅(qū)動(dòng)器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)及開(kāi)發(fā)。 NCD57000 可在輸入側(cè)提供 5
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如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET

碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用，但對(duì)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強(qiáng)型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護(hù)、精準(zhǔn)的短路保護(hù)、可調(diào)的軟關(guān)斷等功能，為新一代的功率器件保駕護(hù)航。EiceDRIVER?增強(qiáng)型1ED34X1主要特色：●? 單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)芯片●? 輸出電流典型值+3/6/9A●? 功能絕緣電壓高達(dá)2300V●? 帶米勒鉗位、Desat短路保護(hù)、
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保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡

在工業(yè)、汽車(chē)和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對(duì)提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對(duì)于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽(yáng)能光伏 (PV)）應(yīng)用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對(duì)于設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽(yáng)
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國(guó)內(nèi)8英寸碳化硅加速布局！

近期，三安半導(dǎo)體發(fā)布消息稱，公司攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導(dǎo)體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導(dǎo)體表示，展會(huì)上有多家重要客戶在詳細(xì)詢問(wèn)三安半導(dǎo)體產(chǎn)品參數(shù)后，表示已經(jīng)確認(rèn)采購(gòu)意向。圖：三安半導(dǎo)體湖南三安半導(dǎo)體屬于三安光電下屬子公司，主要業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導(dǎo)體功率芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造及服務(wù)，目前建立具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。湖南三安半導(dǎo)體是三安
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從硅到碳化硅，更高能效是功率器件始終的追求

隨著新能源汽車(chē)和電動(dòng)飛機(jī)概念的興起，在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)里，電能都將會(huì)是人類社會(huì)發(fā)展的主要能源。然而，隨著電氣化在各行各業(yè)的滲透率不斷提升，每年全社會(huì)對(duì)電能的消耗量都是一個(gè)天文數(shù)字。比如在中國(guó)，根據(jù)國(guó)家能源局發(fā)布的數(shù)據(jù)，2022年全社會(huì)用電量86,372億千瓦時(shí)，同比增長(zhǎng)3.6%；其中，高速發(fā)展的新能源汽車(chē)在整車(chē)制造方面，用電量大幅增長(zhǎng)71.1%。圖1：全社會(huì)用電量統(tǒng)計(jì)（圖源：貿(mào)澤電子）各行業(yè)電氣化進(jìn)程逐漸深入后，我們也必須要考慮到一個(gè)嚴(yán)峻的問(wèn)題，那就是節(jié)能。當(dāng)前，任何一種用電設(shè)備在設(shè)計(jì)之初，都會(huì)將高能效和低能
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100W MOSFET功率放大器電路

我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)使用 MOSFET 的功率放大電路，可產(chǎn)生 100W 的輸出功率，驅(qū)動(dòng)約 8 歐姆的負(fù)載。所設(shè)計(jì)的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點(diǎn)。工作原理：該電路采用多級(jí)功率放大原理，包括前置放大器、驅(qū)動(dòng)器和使用 MOSFET 的功率放大。前置放大器采用差分放大器，驅(qū)動(dòng)級(jí)是帶有電流鏡負(fù)載的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 類工作方式。與 BJT 相比，MOSFET 具有驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、熱穩(wěn)定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點(diǎn)。前置放大器由兩級(jí)差分放大器電路組成，用于產(chǎn)生無(wú)噪聲放大信號(hào)
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碳化硅下游市場(chǎng)需求旺盛企業(yè)紛紛擴(kuò)張產(chǎn)能加速出貨

隨著碳化硅（SiC）在電動(dòng)汽車(chē)、新能源等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛，市場(chǎng)需求不斷增長(zhǎng)。近期，一批碳化硅項(xiàng)目集中開(kāi)工，部分公司接到批量訂單，推動(dòng)了碳化硅加速量產(chǎn)。傳播星球App聯(lián)合創(chuàng)始人由曦向《證券日?qǐng)?bào)》記者介紹，碳化硅的應(yīng)用場(chǎng)景主要包括電動(dòng)汽車(chē)、光伏發(fā)電、充電樁、電力電子等領(lǐng)域。近年來(lái)，我國(guó)在碳化硅領(lǐng)域的研究和應(yīng)用取得快速發(fā)展，一些項(xiàng)目已經(jīng)落地實(shí)施。例如，在新能源汽車(chē)的高壓充電技術(shù)方面，碳化硅作為其中的關(guān)鍵材料，其需求正日益增長(zhǎng)。“碳化硅作為一種優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，具有耐高壓、導(dǎo)熱好、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，是實(shí)現(xiàn)高壓快充技
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碳化硅熱度，只增不減

在半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期中，也并非一片低迷之聲，碳化硅就是萎靡之勢(shì)中的一個(gè)反例。隨著電動(dòng)汽車(chē)功率半導(dǎo)體價(jià)值量的提升，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體正在逆勢(shì)而上。需求殷切令各路廠商競(jìng)相投資擴(kuò)大產(chǎn)能，并且在未來(lái)的五年里，它的熱度只會(huì)增不會(huì)減。這一趨勢(shì)在最近兩年碳化硅行業(yè)的投資并購(gòu)動(dòng)作中也可窺見(jiàn)一二。國(guó)內(nèi)上半年融資創(chuàng)三年之最2021 年有多家碳化硅企業(yè)獲得了投資機(jī)構(gòu)的青睞，相繼宣布完成融資，行業(yè)內(nèi)也隨之激起一番融資浪潮。2021 年全年投融資及并購(gòu)金額達(dá)到 21.32 億元，數(shù)量達(dá)到 15 起。2022 年也是碳化
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高性能 SiC MOSFET 技術(shù)裝置設(shè)計(jì)理念

合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。圖 1：必須與 SiC MOSF
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