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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)

Power Integrations升級你的電池管理系統(tǒng)

  • 電池組，無疑是電動汽車心臟般的存在，它不僅是車輛動力之源，更是決定車輛成本高低的關鍵因素。作為電動汽車中最昂貴的單個組件，電池組承載了車輛行駛所需的大部分能量，而其內部的每一個電池單元都需要經(jīng)過精密的監(jiān)測和控制，以維持其長久且安全的使用壽命。電池管理系統(tǒng)（BMS），作為電池組的“大腦”，其任務繁重且關鍵。它要實時監(jiān)控每一個電池單元的健康狀況，確保它們的平衡與穩(wěn)定；還要負責操作電池組的加熱和冷卻系統(tǒng)，確保電池在各種環(huán)境條件下都能維持最佳的工作狀態(tài)；此外，BMS還需實時報告電池的充電狀態(tài)，以便駕駛員能夠準確了
  • 關鍵字： BMS  電動汽車  碳化硅  Power Integrations  

一文詳解電池充電器的反向電壓保護

  • 處理電源電壓反轉有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負載之間連接一個二極管，但是由于二極管正向電壓的原因，這種做法會產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很簡潔，但是二極管在便攜式或備份應用中是不起作用的，因為電池在充電時必須吸收電流，而在不充電時則須供應電流。另一種方法是使用圖 1 所示的 MOSFET 電路之一。圖 1：傳統(tǒng)的負載側反向保護對于負載側電路而言，這種方法比使用二極管更好，因為電源 (電池) 電壓增強了 MOSFET，因而產(chǎn)生了更少的壓降和實質上更高的電導。該電路的 NMOS 版本比 PM
  • 關鍵字： MOSFET  電源電壓反轉  

解析LLC諧振半橋變換器的失效模式

  • 在功率轉換市場中，尤其對于通信/服務器電源應用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為最具挑戰(zhàn)性的議題。對于功率密度的提高，最普遍方法就是提高開關頻率，以便降低無源器件的尺寸。零電壓開關(ZVS)拓撲因具有極低的開關損耗、較低的器件應力而允許采用高開關頻率以及較小的外形，能夠以正弦方式對能量進行處理，開關器件可實現(xiàn)軟開閉，因此可以大大地降低開關損耗和噪聲。在這些拓撲中，移相ZVS全橋拓撲在中、高功率應用中得到了廣泛采用，因為借助功率MOSFET的等效輸出電容和變壓器的漏感可以使所有的開關工作在ZVS狀態(tài)下
  • 關鍵字： LLC  MOSFET  ZVS  變換器  

談談幾種常用的MOSFET驅動電路

  • 一、MOS管驅動簡述MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關性能。當電源IC與MOS管選定之
  • 關鍵字： MOSFET  

Microchip推出基于dsPIC? DSC的新型集成電機驅動器將控制器、柵極驅動器和通信整合到單個器件

  • 為了在空間受限的應用中實現(xiàn)高效、實時的嵌入式電機控制系統(tǒng)，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC?數(shù)字信號控制器（DSC）的新型集成電機驅動器系列。該系列器件在一個封裝中集成了dsPIC33 數(shù)字信號控制器 （DSC）、一個三相MOSFET柵極驅動器和可選LIN 或 CAN FD 收發(fā)器。這種集成的一個顯著優(yōu)勢是減少電機控制系統(tǒng)設計的元件數(shù)量，縮小印刷電路板（PCB）尺寸，并降低復雜性。該系列器件的支持資源包括開發(fā)板、參考設計、應用筆記和 Micr
  • 關鍵字： dsPIC  數(shù)字信號控制器  MOSFET  電機控制  

Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比

  • 在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術優(yōu)勢，因此我們不難理解為何它已成為電動汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心和太陽能/可再生能源等許多應用領域中備受青睞的首選技術。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣
  • 關鍵字： Qorvo  SiC  MOSFET  

英飛凌為汽車應用推出業(yè)內導通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7

  • 英飛凌科技股份公司近日推出其最新先進功率MOSFET?技術——?OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的?48 V板網(wǎng)應用。它專為滿足高要求汽車應用所需的高性能、高質量和穩(wěn)健性而打造，包括電動汽車的汽車直流-直流轉換器、48 V電機控制（例如電動助力轉向系統(tǒng)（EPS））、48 V電池開關以及電動
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  OptiMOS  

P溝道功率MOSFETs及其應用領域

  • Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加，P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側（HS）應用P溝道的簡易性使其對低壓變換器（<120 V）和非隔離的負載點更具吸引力。因為無需電荷泵或額外的電壓源，高端側（HS）P溝道MOSFET易于驅動，具有設計簡單、節(jié)省空間，零件數(shù)量少等特點，提升了成本效率。本文通過對N 溝道和P溝道MOSFETs進行比較，介紹Littelfuse P溝道功率
  • 關鍵字： 202404  P溝道功率MOSFET  MOSFET  

高壓功率器件設計挑戰(zhàn)如何破？

  • 不斷提升能效的需求影響著汽車和可再生能源等多個領域的電子應用設計。對于電動汽車 (EV) 而言，更高效率意味著更遠的續(xù)航里程；而在可再生能源領域，發(fā)電效率更高代表著能夠更充分地將太陽能或風能轉換為電能。圖1.在電動汽車和可再生能源領域，對更高效率的不懈追求正推動著設計向前發(fā)展這兩大領域都廣泛采用開關電子器件，因而又催生了更高電壓器件的需求。電壓和效率之間的關系遵循歐姆定律，也就是說電路中產(chǎn)生的功耗或損耗與電流的平方成正比。同理，當電壓加倍時，電路中的電流會減半，因而損耗會降到四分之一。根據(jù)這個原理，為了減
  • 關鍵字： 高電壓  高電壓  轉換器  逆變器  MOSFET  電力電子  EliteSiC  

一鍵解鎖熱泵系統(tǒng)解決方案

  • 熱泵是一種經(jīng)過驗證的、提供安全且可持續(xù)供暖的技術，其滿足低排放電力要求，是全球邁向安全、可持續(xù)供暖的核心技術。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時滿足供暖和制冷的要求，但熱泵的主要目標是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實用的水平，因此在節(jié)能方面具有巨大的潛力。系統(tǒng)目標熱泵的原理與制冷類似，其大部分技術基于冰箱的設計。2021年，全球約有10%建筑的采暖由熱泵來完成，且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對能源安全的關注以及應對氣候變化的承諾，熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
  • 關鍵字： 熱泵  供暖  IPM  MOSFET  IGBT  

意法半導體隔離柵極驅動器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應用伴侶

  • 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結合。這些驅動器具有集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅動器，非常適合各種應用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅動器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅動的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無縫集成和優(yōu)質性能。選擇正確的柵極驅動器對于實現(xiàn)最佳功率轉換效率非常重要。隨著SiC技術得到廣泛采用，對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅
  • 關鍵字： STGAP  MOSFET  IGBT  驅動器  電氣隔離  

通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)

  • 晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開關，它可以打開和關閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設計很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
  • 關鍵字： 晶體管  BJT  MOSFET  

全面升級！安森美第二代1200V SiC MOSFET關鍵特性解析

  • 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。M3S 系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化，如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發(fā)者提高開關頻率和系統(tǒng)效率。本應用筆記將描述M3S的一些關鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實用設計技巧。本文為第一部分，將重點介紹M3S的一些關鍵特性以及與
  • 關鍵字： 碳化硅  SiC  MOSFET  

小米首款汽車發(fā)售，碳化硅加速前行

  • 3月28日，小米公司正式發(fā)布了小米SU7，一共有三款配置，分別是小米SU7 標準版，售價21.59萬元；小米SU7 Pro版，售價24.59萬元；小米SU7 Max版，售價29.99萬元。圖片來源：小米公司2021年3月，小米創(chuàng)始人雷軍正式宣告小米造車。近三年時間過去，小米SU7正式發(fā)布，其相關供應商也浮出水面，既有包括高通、英偉達、博世等國際供應商，也包含了比亞迪、寧德時代、揚杰科技等本土供應鏈廠商。芯片領域，英偉達為小米汽車提供自動駕駛芯片，小米SU7搭載了英偉達兩顆NVIDIA DRIVE Orin
  • 關鍵字： 小米  汽車  碳化硅  

華泰證券：先進封裝、碳化硅出海及元宇宙顯示的發(fā)展機會

  • 華泰證券發(fā)布研報稱，在3月20日-3月22日開展的2024 SEMICON China(上海國際半導體展覽會)上，華泰證券與數(shù)十家國內外頭部半導體企業(yè)交流，并參加相關行業(yè)論壇，歸納出以下趨勢：1)前道設備：下游需求旺盛，國產(chǎn)廠商持續(xù)推出新品，完善工藝覆蓋度；2)后道設備：AI拉動先進封裝需求，測試機國產(chǎn)化提速；3)SiC：2024或是襯底大規(guī)模出海與國產(chǎn)8寸元年；4)元宇宙和微顯示：硅基OLED有望成為VR設備主流顯示方案，AI大模型出現(xiàn)可能推動智慧眼鏡等輕量級AR終端快速增長。　　華泰證券主要觀點如下：
  • 關鍵字： 元宇宙  AR  VR  碳化硅  先進封裝  
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碳化硅 mosfet介紹

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