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碳化硅 mosfet 文章 最新資訊

安森美選址捷克共和國打造端到端碳化硅生產(chǎn)，供應(yīng)先進功率半導(dǎo)體

  • ●? ?安森美 (onsemi) 將實施高達 20 億美元的多年投資計劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當?shù)貛硐冗M的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場對清潔、高能效半導(dǎo)體方案日益增長的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國政府合作制定激勵方案，以支持投資計劃落實●? ?該投資將成為捷克共和國歷史上最大的私營企業(yè)投資項目之一，屬于對中歐先進半導(dǎo)
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一文了解SiC MOS的應(yīng)用

  • 作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應(yīng)用碳化硅MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調(diào)、新能
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新型OptiMOS 7 MOSFET改進汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計穩(wěn)健性和開關(guān)效率

  • 英飛凌科技股份公司正在擴大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標準和未來的48 V汽車應(yīng)用進行了優(yōu)化，包括電動助力轉(zhuǎn)向、制動系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開關(guān)、電池管理、電子保險絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動汽車（LEV）、電動二輪車、電動踏板車、電動摩
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使用先進的SPICE模型表征NMOS晶體管

  • 為特定CMOS工藝節(jié)點設(shè)計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預(yù)加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為，那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設(shè)計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
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安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計注意事項，您知道嗎？

  • 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點介紹M3S產(chǎn)品的設(shè)計注意事項和使用技巧。寄生導(dǎo)通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結(jié)溫TJ(MAX) = 175°C時具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
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英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

  • 在技術(shù)進步和低碳化日益受到重視的推動下，電子行業(yè)正在向結(jié)構(gòu)更緊湊、功能更強大的系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個全新產(chǎn)品系列，擴展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導(dǎo)體器件?650 V產(chǎn)品組合。這兩個產(chǎn)品系列基于Coo
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電驅(qū)逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析

  • 本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續(xù)工作時的溫度，分析兩個電驅(qū)逆變模塊驗證，該測溫系統(tǒng)的驗證方法是，根據(jù)柵源電壓閾值選擇每個模塊內(nèi)的裸片。我們將從實驗數(shù)據(jù)中提取一個數(shù)學(xué)模型，根據(jù)Vth選擇標準，預(yù)測當逆變器工作在電動汽車常用的電壓和功率范圍內(nèi)時的熱不平衡現(xiàn)象。此外，我們還能夠延長測試時間，以便分析在電動汽車生命周期典型電流負荷下的芯片行為。
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天岳先進上海碳化硅基地驗收

  • 作為天岳先進三大SiC材料生產(chǎn)基地之一，與其位于山東濟南和濟寧的兩大基地相比，其上?；仨椖克坪醺荜P(guān)注。近日，天岳先進上?；仨椖颗读俗钚逻M展，再次成為焦點。2024年5月，天岳先進位于上海臨港重裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)的生產(chǎn)基地第一個項目完成驗收，意味著該生產(chǎn)基地由此進入新的發(fā)展階段。01天岳先進“瘋狂”擴產(chǎn)據(jù)悉，天岳先進上海基地項目最初于2021年第二季度備案和申報，規(guī)劃投資25億元，項目全部達產(chǎn)后，SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬片/年。從投資規(guī)模和產(chǎn)能規(guī)劃來看，上?；仨椖坑型屘煸老冗M的市場地位再進一步。近年來
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MOSFET在服務(wù)器電源上的應(yīng)用

  • 服務(wù)器電源主要用在數(shù)據(jù)中心場景中，主要應(yīng)用于服務(wù)器、存儲器等設(shè)備。它和PC電源一樣，都是一種開關(guān)電源。服務(wù)器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標準是Intel在1997年推出的一個規(guī)范，使用較為普遍，輸出功率一般在125瓦～350瓦之間主要用于臺式機、工作站和低端服務(wù)器。SSI（Server System Infrastructure）規(guī)范是Intel聯(lián)合一些主要的IA架構(gòu)服務(wù)器生產(chǎn)商推出的新型服務(wù)器電源規(guī)范，SSI規(guī)范的推出是為了規(guī)范服務(wù)器電源技術(shù)，降低開發(fā)成本，延長服務(wù)器的使用壽命
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意法半導(dǎo)體在意大利打造世界首個一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園

  • ●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規(guī)模制造及封測綜合基地●? ?這項多年長期投資計劃預(yù)計投資總額達50億歐元，包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產(chǎn)業(yè)園將實現(xiàn)ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃，在一個園區(qū)內(nèi)完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產(chǎn)，賦能汽車和工業(yè)客戶的電氣化進程和高能效轉(zhuǎn)型服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體?
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PANJIT最新高效能60V/100V/150V車規(guī)級MOSFET系列

  • PANJIT?推出最新的60V、100V?和?150V?車規(guī)級?MOSFET，此系列通過先進的溝槽技術(shù)設(shè)計達到優(yōu)異性能和效率。此系列?MOSFET?專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計，提供優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)（FOM），顯著降低?RDS(ON)?和電容。這確保了最低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，從而提升了整體性能。新系列?MOSFET?提供多種封裝，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
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ST宣布50億歐元在意新建8英寸SiC工廠

  • 自意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）官方獲悉，當?shù)貢r間5月31日，意法半導(dǎo)體宣布，將在意大利卡塔尼亞新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工廠，用于功率器件和模塊以及測試和封裝。新碳化硅工廠的建設(shè)是支持汽車、工業(yè)和云基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中碳化硅器件客戶向電氣化過渡并尋求更高效率的關(guān)鍵里程碑。據(jù)悉，該項目預(yù)計總投資約為50億歐元（約合人民幣392.61億元），意大利政府將提供約20億歐元的補助支持。新工廠的目標是在2026年投入生產(chǎn)，到2033年達到滿負荷生產(chǎn)，滿產(chǎn)狀態(tài)下每周可生產(chǎn)多達15,000
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MOSFET基本原理、參數(shù)及米勒效應(yīng)全解

  • 1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場效應(yīng)管（FET）是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，由于緊靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。場效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣柵兩種，因為絕緣柵型晶體管（MOSFET，下面簡稱MOS管）的柵源間電阻比結(jié)型大得多且比結(jié)型場效應(yīng)管溫度穩(wěn)定性好、集成化時工藝簡單，因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類，每一類又分為增強型和耗盡型兩種，只要柵極-源極電壓uGS為零時漏極電流也為零的管子均屬于增強型管，只要柵極-源極
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功率MOSFET的工作原理

  • 功率MOSFET的開通和關(guān)斷過程原理(1)開通和關(guān)斷過程實驗電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形：(3)開關(guān)過程原理：開通過程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態(tài)，t0 時，MOSFET 被驅(qū)動開通;-- [t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開始導(dǎo)電;-- [t1-t2]區(qū)間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電
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第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動方案

  • 第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動方案相比傳統(tǒng)的硅MOSFET，SiC MOSFET可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。新能源、電動汽車、工業(yè)自動化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅(qū)動方案備受關(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性，也意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅(qū)動方案展開了解，其中包括驅(qū)動過電流、過電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
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碳化硅 mosfet介紹

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