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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 晶圓

供不應(yīng)求 晶圓漲價(jià)上看15％

  • 　　晶圓代工廠及DRAM廠營(yíng)運(yùn)進(jìn)入旺季，不僅臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)、華亞科(3474)等國(guó)內(nèi)12寸廠的投片量創(chuàng)下新高，8寸廠也全面呈現(xiàn)利用率飆上95~100%的滿載情況。由于晶圓廠的投片量在6月大增，且第3季預(yù)估投片量季增至少15%，矽晶圓供貨短缺，急單及短單價(jià)格順利調(diào)漲10~15%，包括中美晶(5483)、嘉晶(3016)、合晶(6182)等業(yè)者直接受惠。 　　上周日中臺(tái)灣發(fā)生大地震，臺(tái)灣最大矽晶圓廠臺(tái)勝科受到影響，12寸矽晶圓產(chǎn)能短期內(nèi)無(wú)法順利開(kāi)出以滿足半導(dǎo)體廠需求，因此，晶圓代工廠及
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英特爾以持續(xù)創(chuàng)新引領(lǐng)未來(lái)

  • 英特爾公司創(chuàng)立已經(jīng)45年了，進(jìn)入中國(guó)也已28年。今天的英特爾，正在設(shè)計(jì)和構(gòu)建關(guān)鍵技術(shù)，為全球的計(jì)算設(shè)備奠定基礎(chǔ)。英特爾有一個(gè)清晰的愿景：創(chuàng)新和擴(kuò)展計(jì)算技術(shù)，連接世界上每一個(gè)人，讓大家的生活更美好，世界更精彩!
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中芯國(guó)際6.6億美元建45納米晶圓廠 掀產(chǎn)能大戰(zhàn)

  • 　　昨天，中芯國(guó)際(00981.HK)宣布，與中芯北京、北京工業(yè)發(fā)展投資管理及中關(guān)村發(fā)展集團(tuán)成立合資公司，主要從事測(cè)試、開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、封裝及銷(xiāo)售集成電路，將專(zhuān)注45納米及更先進(jìn)的晶圓技術(shù)，目標(biāo)是產(chǎn)能達(dá)到每月35000片晶圓。 　　此次投資總額約為35.9億美元(約合279.3億港元)。中芯方面的投資將達(dá)到6.6億美元。 　　此次投資的合資公司名為中芯北方集成電路制造(北京)有限公司(下稱(chēng)“中芯北方集成”)，由中芯北京、中芯國(guó)際、中關(guān)村發(fā)展集團(tuán)及北京工業(yè)發(fā)展投資管理分別擁有4
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中芯國(guó)際成立合資公司

  • 　　中芯國(guó)際今天披露，該公司與全資子公司中芯北京、北京工業(yè)發(fā)展投資管理及中關(guān)村發(fā)展集團(tuán)就成立合資公司簽訂合同。中芯國(guó)際將負(fù)責(zé)管理合資公司日常營(yíng)運(yùn)。 　　合資公司名為中芯北方集成電路制造(北京)有限公司，由中芯北京、中芯國(guó)際、中關(guān)村發(fā)展集團(tuán)及北京工業(yè)發(fā)展投資管理分別擁有41.25%、13.75%、40.5%及 4.5%股本。 　　合資公司的總投資將達(dá)到35.9億美元，簽約各方將以注冊(cè)資本形式支付投資總額12億美元，其余資金通過(guò)合資公司內(nèi)部現(xiàn)金流、股東增資、股東貸款及或銀行貸款支付。 　　中芯國(guó)際與中芯
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歐盟啟動(dòng)5個(gè)芯片試生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目

  • 　　以提高半導(dǎo)體制造能力 　　歐盟宣布將增加4條先進(jìn)生產(chǎn)線建設(shè)計(jì)劃，包括發(fā)光二極管和450mm晶圓等。此前，歐盟宣布建設(shè)全耗盡絕緣體上硅(FDSOI)試生產(chǎn)線。該五條芯片試生產(chǎn)線項(xiàng)目是歐盟于5月23日宣布的“歐洲電子策略”的一部分，共涉及來(lái)自20個(gè)國(guó)家的128個(gè)公司，總投資將超過(guò)7億歐元，包括歐盟各成員國(guó)和工業(yè)界的投資，其中歐盟將出資1億歐元。五個(gè)項(xiàng)目中的大部分從2013年啟動(dòng)運(yùn)行，持續(xù)到2015年底結(jié)束。 　　五條試生產(chǎn)線項(xiàng)目分別是： 　　(1)AGATE試生產(chǎn)線：該項(xiàng)目由
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強(qiáng)震：晶圓、面板廠影響有限

  • 　　中臺(tái)灣地牛翻身，中科及南科園區(qū)因?yàn)殡x震央較近，震度介于4～5級(jí)間，因此在兩地設(shè)廠的臺(tái)積電、聯(lián)電、友達(dá)、群創(chuàng)、瑞晶、華邦電等業(yè)者均受波及，而竹科同樣受到地震影響，晶圓雙雄及面板雙虎在竹科廠房也受影響。不過(guò)，業(yè)者均表示，生產(chǎn)線只有部份機(jī)臺(tái)死機(jī)或少量破片，影響十分有限;而竹科及南科管理局則表示，供水供電均正常，并未接獲廠商任何重大損害通報(bào)。 　　根據(jù)中央氣象局資料，昨日下午13時(shí)43分發(fā)生里氏規(guī)模6.3級(jí)地震，震央在南投縣政府東方32公里，其中，新竹市震度3級(jí)，臺(tái)中市震度4級(jí)，臺(tái)南市震度達(dá)5級(jí)，最接近震央
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今年世界半導(dǎo)體投資復(fù)蘇微增

  • 半導(dǎo)體投資曾是引領(lǐng)世界經(jīng)濟(jì)發(fā)展的因素之一，每年發(fā)表的投資計(jì)劃，也是有關(guān)制造設(shè)備和材料廠商股價(jià)上下變動(dòng)的風(fēng)向標(biāo)，但現(xiàn)在的影響已很有限了?；貞洰?dāng)年半導(dǎo)體市場(chǎng)高成長(zhǎng)之期，各公司積極投資，其投資額約可占到整體半導(dǎo)體產(chǎn)值的20～25%，不過(guò)近年因市場(chǎng)遍吹淡風(fēng)，投資比重也已下行到了15%左右的水平，5年來(lái)常維持在五六百億美元。
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聯(lián)電打造新加坡12寸廠成為特殊技術(shù)研發(fā)中心

  • 　　晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡(jiǎn)稱(chēng)聯(lián)電)宣布，已將其于新加坡 12寸晶圓廠Fab 12i，打造為引領(lǐng)先進(jìn)特殊技術(shù)研發(fā)制造的基地「Center of Excellence」。此特殊技術(shù)中心設(shè)立時(shí)的投入金額為1.1億美元，將會(huì)與諸如微電子研究院等新加坡本地研究機(jī)構(gòu)進(jìn)行研發(fā)合作。 　　聯(lián)電將已開(kāi)發(fā)之技術(shù)包含背照式影像感測(cè)器(BSI CMOS)、嵌入式記憶體、高壓應(yīng)用產(chǎn)品，以及直通矽晶穿孔連結(jié)等，應(yīng)用于車(chē)用、行動(dòng)、智慧型手機(jī)與平板電腦等日益龐大的產(chǎn)品市場(chǎng)，并藉此特殊技術(shù)，協(xié)助客戶提供受益于日漸增加之日常
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散熱技術(shù)突破 無(wú)封裝LED將現(xiàn)身

  • 　　除了從系統(tǒng)角度強(qiáng)化散熱性能外，隨著LED照明的應(yīng)用普及，對(duì)于散熱基板的要求日趨嚴(yán)苛，LED基板材料及技術(shù)在近年的開(kāi)發(fā)也有所進(jìn)展，目前最新的趨勢(shì)是對(duì)于硅基氮化鎵(GaN-on-Silicon)的研發(fā)。基本上，由于藍(lán)寶石基板面臨技術(shù)瓶頸，LED廠商正積極尋找新的基板材料，而硅基氮化鎵可減少熱膨脹差異系數(shù)，不僅能強(qiáng)化LED發(fā)光強(qiáng)度，更可以大幅降低制造成本、提高散熱表現(xiàn)，因此成為了業(yè)界爭(zhēng)相發(fā)展的新技術(shù)。 　　例如普瑞光電(Bridgelux)與東芝(Toshiba)合作開(kāi)發(fā)出硅基氮化鎵白光LED，并在去年十
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第一季全球半導(dǎo)體廠商排行榜 日本業(yè)者落漆

  • 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights公布的2013年第一季全球半導(dǎo)體供應(yīng)商排行榜顯示，有數(shù)家日本半導(dǎo)體廠商名次都比去年同期退步;其中東芝(Toshiba)退步一名成為第五，瑞薩(Renesas)因銷(xiāo)售額下滑20%而跌出前十名，索尼(Sony)退步三名成為第十六、當(dāng)季銷(xiāo)售額較去年同期下滑31%，富士通(Fujitsu)則由去年第一季的第十五名退步為第二十名、季銷(xiāo)售額下滑26%。 　　不過(guò)IC Insights指出，日本半導(dǎo)體廠商的銷(xiāo)售額數(shù)字都是由日?qǐng)A換算成美元;在2012年第一季時(shí)，美元兌日?qǐng)A匯率為1美
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沖刺28nm/FinFET研發(fā) 晶圓廠資本支出創(chuàng)新高

  • 　　為爭(zhēng)搶先進(jìn)制程商機(jī)大餅，包括臺(tái)積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠，下半年均將擴(kuò)大資本設(shè)備支出，持續(xù)擴(kuò)充28奈米制程產(chǎn)能;與此同時(shí)，受到英特爾沖刺FinFET技術(shù)研發(fā)刺激，各大晶圓廠也不斷加碼技術(shù)投資，將驅(qū)動(dòng)整體晶圓代工產(chǎn)業(yè)支出向上飆升。 　　2013年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將強(qiáng)勁反彈，一掃去年下滑的陰霾。其中，尤以晶圓代工廠擴(kuò)大設(shè)備資本支出(CAPEX)，加速推動(dòng)先進(jìn)制程，為拉升半導(dǎo)體產(chǎn)值挹注最大貢獻(xiàn)。 　　由于今年全球經(jīng)濟(jì)狀況相對(duì)去年樂(lè)觀，且行動(dòng)裝置處理器業(yè)者轉(zhuǎn)換至28、20奈米(nm)先進(jìn)制程的需求涌現(xiàn)
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景況不佳誰(shuí)會(huì)想買(mǎi)日本晶圓廠？

  • 　　景況不佳的日本半導(dǎo)體廠商們終于覺(jué)醒并開(kāi)始面對(duì)一個(gè)現(xiàn)實(shí)──擁抱「輕晶圓廠(fab-lite)」策略將會(huì)是他們存活的最佳希望;但很大的問(wèn)題是：誰(shuí)會(huì)想在日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“清倉(cāng)大拍賣(mài)”中收購(gòu)一座舊晶圓廠? 　　答案恐怕是沒(méi)有人。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)FutureHorizons董事長(zhǎng)暨執(zhí)行長(zhǎng)MalcolmPenn話就說(shuō)得很直，他表示那些日本晶圓廠「都是采用舊制程」，而且誰(shuí)要是買(mǎi)下那些晶圓廠：「就會(huì)面臨管理以及物流(logistic)的夢(mèng)靨?！? 　　不過(guò)換個(gè)角度看，因?yàn)槟愕馁€注是押在沒(méi)人看好的
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臺(tái)積電砸逾15億美元搶人才與制程開(kāi)發(fā)

  • 　　臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今(9)日在新竹舉辦技術(shù)論壇;并釋出訊息，隨董事長(zhǎng)張忠謀法說(shuō)時(shí)宣布今年資本支出為95至100億美元，投入15億美元(折現(xiàn)約新臺(tái)幣441.06億元)用于研發(fā)人員與將投入邏輯先進(jìn)制程及成熟制程開(kāi)發(fā)。該公司研發(fā)大軍目標(biāo)今年增加至4200人。 　　臺(tái)積電4月18日法說(shuō)時(shí)已由董事長(zhǎng)張忠謀正式調(diào)高今年資本支出為95至100億美元，當(dāng)中，研發(fā)投資金額將達(dá)15億美元，年增逾1成;該公司預(yù)計(jì)投入研發(fā)的科學(xué)家和工程師也將隨之增加至4200人。 　　同時(shí)，臺(tái)積電隨客戶需求持續(xù)提高
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英飛凌與格羅方德共同開(kāi)發(fā)40nm嵌入式Flash制程

  • 　　英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開(kāi)發(fā)并合作生產(chǎn) 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術(shù)。這項(xiàng)合作案將著重于以英飛凌 eFlash 晶片設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)的技術(shù)開(kāi)發(fā)，以及採(cǎi)用 40nm 製程的車(chē)用微控制器及安全晶片的製造。新一代 40nm eFlash 微控制器晶片將在格羅方德不同的據(jù)點(diǎn)生產(chǎn)，初期于新加坡，后續(xù)則將轉(zhuǎn)移到位于德國(guó)德勒斯登的廠房。 　　英飛凌董事會(huì)成員 Arunjai Mittal 表示：「採(cǎi)用 40nm 製程結(jié)構(gòu)的
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Gartner：去年全球半導(dǎo)體設(shè)備支出減少16%

  • 　　根據(jù)國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner發(fā)布的最終統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2012年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出總額為378億美元，較2011年減少16.1%。晶圓級(jí)制造受到微影(lithography)與沈積(deposition)領(lǐng)域疲弱的影響，在2012年表現(xiàn)低于整體市場(chǎng)。在主要領(lǐng)域中，亦即主要受到邏輯制造影響的領(lǐng)域，以28/20奈米制程和良率改善的表現(xiàn)較佳。 　　Gartner副總裁Klaus-DieterRinnen表示：「DRAM長(zhǎng)期供過(guò)于求以及轉(zhuǎn)進(jìn)NAND之后又造成供過(guò)于求，導(dǎo)致產(chǎn)能需求下降。記憶體制造相關(guān)的
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晶圓介紹

晶圓　　晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]

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