晶體管文章最新資訊

飛思卡爾推出最高功率的LDMOS射頻功率晶體管

飛思卡爾半導體日前在IEEE MTT-S國際微波大會上宣布推出全球最高功率的LDMOS射頻功率晶體管。MRF6VP11KH 設備提供130 MHz、1 kW的脈沖射頻輸出功率，具有同類設備最高的排放效率和功率增益。這種超高效率晶體管是飛思卡爾承諾為工業(yè)、科技和醫(yī)療（ISM）市場提供業(yè)界最具創(chuàng)新力的射頻功率解決方案的最新例證。該晶體管的操作電壓為50V，與雙極和MOSFET 設備相比，它具有明顯的優(yōu)勢。它能夠提供核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)、CO2激光器、等
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機飛思卡爾 LDMOS 晶體管嵌入式

安森美擴展低Vce(sat)雙極結晶體管產品

電源管理半導體解決方案供應商安森美半導體(ONSemiconductor)推出采用先進硅技術的PNP與NPN器件，豐富了其業(yè)界領先的低Vce(sat)雙極結晶體管(BJT)產品系列。這兩種新型晶體管與傳統(tǒng)的BJT或平面MOSFET相比，不僅實現(xiàn)了能效的最大化，而且還延長了電池的使用壽命。最新的低Vce(sat)BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多種封裝形式，非常適用于多種便攜式應用。
關鍵字：模擬技術電源技術安森美晶體管模擬IC 電源

恩智浦推出UHF波段高壓LDMOS晶體管BLF878

恩智浦半導體(NXPSemiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場上唯一能夠在整個UHF波段以杰出線性性能和穩(wěn)定性能提供300W功率的解決方案，主要面向電視發(fā)射及廣播市場。電視廣播發(fā)射行業(yè)不斷提高輸出功率以滿足高清電視的需求，廣播商憑借恩智浦的這一最新高效率解決方案能夠顯著提高輸出功率，同時降低成本。如今的高性能電視發(fā)射機投資巨大，所以廣播商正
關鍵字：電子恩智浦晶體管

恩智浦推出最新一代低VCEsat晶體管

　　恩智浦半導體（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導體公司）發(fā)布了最新一代低VCEsat晶體管，與普通晶體管相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS（小信號擊穿）晶體管具有超低飽和電壓（1安培時低于60毫瓦）、高電路效率和更低的能源消耗，并能減少便攜式電池供電產品（如筆記本電腦、PDA和數碼相機）的發(fā)熱量。先進的BISS雙極晶體管還可用于需要低等效導通電阻的工業(yè)及汽車領域。　　華碩公司研發(fā)處主任鄭慶福表示：“卓越的節(jié)能性能是華碩科技（ASUSTek）非常關注的一項重要性能，也是我們獲得世界首個筆記本電腦T
關鍵字： VCEsat 單片機恩智浦晶體管嵌入式系統(tǒng)

英特爾發(fā)布晶體管技術重大突破

英特爾公司宣布在基礎晶體管設計方面取得了一個最重大的突破，采用兩種完全不同以往的晶體管材料來構建45納米晶體管的絕緣“墻”和切換“門”。在下一代英特爾®酷睿™2雙核、英特爾®酷睿™2四核以及英特爾®至強®系列多核處理器中，將置入數以億計的這種微觀晶體管或開關。英特爾公司同期宣布已有五種早期版本的產品正在運行，這是公司計劃中的15款45納米處理器產品的第一批。在臺式機、筆記本和服務器領域，晶體管技術的提升使得公司能夠繼續(xù)創(chuàng)造出處理器計算速度的全新紀錄
關鍵字：晶體管英特爾

瑞薩硅鍺功率晶體管可降低無線LAN功耗

瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布，RQG2003高性能的功率硅鍺HBT實現(xiàn)了業(yè)界最高水平性能，可用于諸如無線LAN終端、數字無繩電話和RF(射頻)標簽讀/寫機等產品。作為瑞薩科技目前HSG2002的后續(xù)產品，RQG2003是一種用于功率放大器的晶體管，它可以對傳輸無線LAN終端設備等RF前端功率進行放大。　　RQG2003的功能總結如下：　　業(yè)界最高的性能水
關鍵字：功耗晶體管瑞薩

瑞薩科技開發(fā)用于45納米節(jié)點及以上工藝芯片晶體管技術

瑞薩科技開發(fā)用于45納米節(jié)點及以上工藝芯片的高性能、低成本晶體管技術 --可以經濟地生產帶有采用金屬（P型）和多晶硅（N型）柵極混合結構的CMIS晶體管而不必對現(xiàn)有的制造工藝進行重要改變— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，開發(fā)出一種可用于45nm（納米）節(jié)點及以上工藝微處理器和SoC（系統(tǒng)級芯片）產品的高性能和低成本晶體管技術。新開發(fā)的技術包括采用P型晶體管金屬柵極，以及N型晶體管傳統(tǒng)多晶硅柵極的混合結構的高性能CMIS*1晶體管。它可以在不
關鍵字： 45納米節(jié)點單片機工藝芯片晶體管嵌入式系統(tǒng) 瑞薩科技

ST高效功率MOSFET晶體管提高照明應用性能

意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM)推出了新系列功率MOSFET產品的第一款產品。通態(tài)電阻極低，動態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產品為客戶大幅度降低照明應用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。商用照明應用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產品STD11NM60N就是一個這樣的挑戰(zhàn)半導體器件技術極限的實例，該產品采用ST自主開發(fā)的第二代 MDmeshTM 技術，最大通態(tài)電阻 RDS&nb
關鍵字： MOSFET ST 電源技術晶體管模擬技術消費電子意法半導體照明消費電子

低頻功率放大器

功率放大是一種能量轉換的電路，在輸入信號的作用下，晶體管把直流電源的能量，轉換的電路。 ...
關鍵字：放大器晶體管功率

一種改善DDS性能的倍頻方法

介紹了一種利用倍頻的方法來改善DDS的上限頻率和雜散電平。首先對DDS的原理和雜散進行分析，在此基礎上提出了 ...
關鍵字：直接數字合成（DDS）技術晶體管倍頻

安森美音頻晶體管可快速精確調整偏置

　安森美半導體(ON Semiconductor)日前推出ThermalTrak輸出晶體管新系列，具有內部偏置控制的獨特功能，該器件為用于高端和具成本優(yōu)勢的消費電子音頻應用及大功率專業(yè)聲音系統(tǒng)而設計，提高整體音質，簡化設計。　　安森美半導體的音頻輸出晶體管采用ThermalTrak專利技術，消除累積預熱時間，能快速精確地調整偏置。實時溫度檢測讓設計人員更精確地監(jiān)控工作溫度，提高音質和偏置穩(wěn)定性。該器件系列無需輸出驅動補償電路和昂貴的人手偏置調整，大大簡化了放大器設計。　　其中，
關鍵字：安森美晶體管音頻

實現(xiàn)過載延遲的晶體管

盡管SMPS（開關電源）本身能防止永久性短路，但在遇到瞬時過載時有時會出問題。瞬時過載并非短路，但卻會使電源超出其標稱負載值。這種情況會在開關電源連接典型負載，如打印機頭和小型電機時發(fā)生。
關鍵字：晶體管延遲過載實現(xiàn)

1947年12月16日，晶體管誕生

　　1947年12月16日，貝爾實驗室的兩位研究員約翰·巴登和沃爾特·布拉頓發(fā)明了世界首個晶體管。　　他們的設備叫做“點接觸晶體管”(point contract transistor)，當時它主要用來導電以及放大信號，現(xiàn)在，這些工作主要交由真空管等部件來完成了。　　他們的同事威廉·肖克利隨后很快發(fā)明了“結型晶體管”(junction transistor)。盡管巴登與布拉頓是晶體管的第一批發(fā)明人，但肖克利的
關鍵字：晶體管

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晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。　　半導體三極管，是內部含有兩個P [ 查看詳細 ]