晶體管文章進入晶體管技術社區(qū)

韓國開發(fā)全新晶體管電腦有望不需啟動過程

　　(首爾法新電)韓國科學家成功開發(fā)出一種全新的晶體管，其反應速度和能源效率比現(xiàn)有晶體管更快更好，令不需啟動過程的電腦有望實現(xiàn)。韓國科學技術研究院(KIST)說，這種晶體管除了像現(xiàn)有晶體管般運用電流開關，也運用電子的順時逆時旋轉(zhuǎn)方向，來處理信息。　　這種運用電子旋轉(zhuǎn)方向來處理信息的半導體稱為“自旋場效應晶體管”(spin-injected field effect transistors)，其概念于1990年代首次出現(xiàn)，被認為是可以取代傳統(tǒng)氧化物晶體管的下一代半導體。　　其
關鍵字：微電子晶體管

雙晶體管正激有源鉗位軟開關電源的設計

本文講述了雙晶體管正激有源鉗位軟開關電源的工作原理，并給出實際產(chǎn)品雙晶體管的工作波形。該電路結(jié)構(gòu)中，功率開關管的電壓應力小，并工作于ZVS導通和關斷，減小開關功耗，降低了EMI。
關鍵字：設計開關電源有源晶體管

從快生活到優(yōu)生活“新摩爾定律”主導半導體業(yè)創(chuàng)新

　　幾十年來，摩爾定律所闡述的生產(chǎn)力效益定律一直是半導體行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動力。它催生了數(shù)字處理器、寬帶和大容量存儲器。這些技術大幅提升了PC、手機等產(chǎn)品的生產(chǎn)力。然而，經(jīng)濟學正給半導體行業(yè)帶來革命性轉(zhuǎn)變。未來，“新摩爾定律”將發(fā)揮重要作用。　　產(chǎn)品研發(fā)從性能驅(qū)動轉(zhuǎn)為經(jīng)濟學驅(qū)動　　半導體產(chǎn)業(yè)是個相對年輕的產(chǎn)業(yè)。自摩爾定律預測芯片上晶體管的數(shù)量每18個月翻一番以來，半導體器件制造商一直追求生產(chǎn)力的提升。這一定律確實沒錯。如今消費應用的SoC可能集成了幾億個晶體管。然而，半導體產(chǎn)業(yè)正
關鍵字： NXP 摩爾定律 CMOS 晶體管

2009 Globalpress電子峰會：MEMS的增長點在哪里

　　從時尚的消費電子產(chǎn)品，像蘋果的iPhone、任天堂的Wii，到下一代醫(yī)療設備、汽車導航、工業(yè)系統(tǒng)，MEMS將極大地豐富人和電子設備互動的方式。“對于半導體公司，要么選擇MEMS，要么退出市場!”Maxim集團總裁Vijay Ullal 在2009年舊金山的電子峰會上語出驚人，“因為，從200年前的工業(yè)革命邁出第一步開始，現(xiàn)代科技的演進就一直沒停止，第二步是晶體管發(fā)明帶來的計算革命，第三步就是傳感器。” 　　事實上看好MEMS市場前景的大有人在，但是如何
關鍵字： Maxim MEMS 晶體管慣性傳感器電子車身穩(wěn)定系統(tǒng) 200906

Schiltron與Entrepix合作利用CMP達成3-D閃存制造新架構(gòu)?

　　3-D Flash新創(chuàng)公司Schiltron Corporation與專門提供化學機械拋光設備及代工服務的領先供應商Entrepix合作發(fā)展使用現(xiàn)有的材料，工具和制程的方法制造3-D Flash，從而利用簡單直接的方式擴大產(chǎn)量。 Schiltron 3-D Flash制造方式的最關鍵工藝的步驟是化學機械設備(CMP)的達成。該公司的聯(lián)合開發(fā)的努力已制造迄今為止最小的矽基薄膜電晶體(Silicon-base thin-film transistors) 。　　晶體管結(jié)構(gòu)和低溫度預算工藝步驟(low
關鍵字： Entrepix 晶體管 CMP 矽基薄膜電晶體

印度半導體離散件市場將增長23% 達2.9億美元

　　據(jù)外電報道，市場研究公司Frost & Sullivan的數(shù)字顯示，2006年，印度半導體離散件市場規(guī)模將達2.9億美元，與2005年的2.35億美元的市場規(guī)模相比，增幅達23.4%。　　Frost & Sullivan定義的離散件包括二極管、晶體管、半導體閘流管以及光電半導體產(chǎn)品。該公司表示，目前有十幾家公司涉足印度的半導體離散件市場，該市場上的半導體離散件產(chǎn)品包括從中國和中國臺灣地區(qū)進口，以及飛利浦、ST Micro和Agilent Technologies等公司生產(chǎn)的產(chǎn)品。
關鍵字：半導體晶體管

英特爾中國董事黃節(jié)：摩爾定律能走多遠

　　2009年世界電信和信息社會日大會在北京國際飯店舉行，以下為英特爾中國有限公司董事總經(jīng)理黃節(jié)做主題為“摩爾定律能走多遠—無線寬帶的實現(xiàn)和英特爾的創(chuàng)新之旅”的演講。　　“摩爾定律能走多遠—無線寬帶的實現(xiàn)和英特爾的創(chuàng)新之旅” 　　什么是摩爾定律呢?大約在1965年，在普爾頓.摩爾博士創(chuàng)建英特爾公司之前發(fā)現(xiàn)了這樣一個規(guī)律，集成電路晶體管每隔18個月到24個月就會翻一番，這就是摩爾定律。摩爾定律和其他自然界的定律不一樣，并不是能自動
關鍵字： Intel 晶體管摩爾定律

模擬IC市場企穩(wěn) 復蘇仍需時間

　　市場研究公司iSuppli公司表示，模擬IC市場已經(jīng)企穩(wěn)，主要是由于需求增長以及價格下滑放緩，但是市場真正復蘇仍然需要時間。　　第二季度全球單片模擬芯片平均合約價格下滑3.9%，而第一季度和去年第四季度下降幅度分別為7.8%和4.6%。第三季度價格預計將輕微反彈，增長0.7%，原因是圣誕前季引發(fā)的需求持續(xù)增長。　　iSuppli高級分析師Marijana Vukicevic在一份聲明中表示，模擬IC和晶體管供應商均報載去年第四季度訂單停滯之后需求開始回暖。“這使價格在警戒水平上停止
關鍵字：模擬IC 晶體管

模擬芯片與晶體管需求回升，價格趨穩(wěn)

　　據(jù)iSuppli公司，雖然全球模擬半導體與晶體管市場形勢趨于穩(wěn)定，需求上升而且價格下降速度放緩，但距離真正的產(chǎn)業(yè)復蘇仍很遙遠。　　模擬半導體與晶體管廠商報告稱，繼2008年第四季度和2009年第一季度新訂單幾乎停滯之后，目前需求開始回升。這已幫助價格在危險水平上停止進一步下滑。　　全球模擬單片電路半導體平均合同價格第二季度將下降3.9%，降幅小于第一季度時的7.9%和2008年第四季度時的4.7%。隨著需求在圣誕節(jié)前繼續(xù)增長，預計第三季度價格將略有反彈，上漲0.7%。　　預計第二季度晶體管
關鍵字：模擬芯片晶體管

英特爾前任CEO：警惕硅谷成為下一個華爾街

　　上周六一次業(yè)界集會上，英特爾前任首席執(zhí)行官安德魯-格魯夫?qū)θ缃窆韫戎械膶＠贫冗M行了批評，并將其比喻成是導致華爾街危機的金融衍生工具。　　安德魯-格魯夫是在周六接受“美國發(fā)明家名人堂”頒獎后發(fā)表演講的。格魯夫在此次年度頒獎上被授予終身成就獎。參加這次會議的還有戈登-摩爾，英特爾現(xiàn)任CEO保羅-歐德寧，蘋果公司聯(lián)合創(chuàng)始人史蒂夫-沃茲尼亞克等行業(yè)巨頭。　　格魯夫在演講中說到，“當人們都贊嘆過去50年科技行業(yè)取得的成績時，我不禁要擔心，未來的50年會是什么樣子。這
關鍵字： Intel 集成電路晶體管

微電子50年—新中國半導體事業(yè)的坎坷路

　　回望50年　　歲月如流，58年大學畢業(yè)至今，半個世紀已逝去，而往事卻歷歷在目，仿佛就發(fā)生在昨天，一幕又一幕…… 　　走進微電子　　56年毛主席，周總理為了發(fā)展我國的科學事業(yè)，采取了四項緊急措施，其中之一就是加速半導體學科的發(fā)展，清華當年即創(chuàng)辦了半導體專業(yè)，57年李志堅教授從前蘇聯(lián)學成回國，領導教研室，58年前蘇聯(lián)專家又來清華講學，因此母校華中工學院(今華中理工大學)即時派我到清華進修，主攻半導體器件，從此與微電子學結(jié)上了終身之緣。　　我是與清華首屆半零[1]同
關鍵字：龍芯半導體晶體管

功耗降低90%? Intel新晶體管材料曝光

　　根據(jù)報道， Intel公司新推出一種名為“P-channel”和“N-channel”的晶體管能夠?qū)⑻幚砥鞯墓慕档椭廉斍疤幚砥鳟a(chǎn)品的10％。Intel公司于日前公布了新材料“P-channel”晶體管的更多細節(jié)，新晶體管基于的是硅基，使用了一種名為III-V的化合物半導體。大約在一年之前Intel公司就對外描述過基于III-V 材料的“P-channel”晶體管，當時同樣基于的是硅基。　　根據(jù)Inte
關鍵字： Intel 晶體管處理器

改進光電晶體管線性運行的反饋電路

當設計者用光電晶體管將一個調(diào)制后的光信號轉(zhuǎn)換成電信號時，如果有高亮度的背光使光電晶體管飽和，就會遇到麻煩。當光電晶體管基極端懸浮時，其集電極/射極電壓只取決于信號與背光重疊而產(chǎn)生的光電流。光電晶體管增益
關鍵字：反饋電路運行線性光電晶體管改進光電晶體管線性運行反饋電路改進

23億個晶體管處理器挑戰(zhàn)集成度及性能極限

盡管高登-E-摩爾（Gordon E. Moore）提出警告，認為“摩爾法則”無法繼續(xù)有效，但微處理器的高集成度化仍在進一步發(fā)展，并為性能的提高作出重大貢獻。雖然處理器內(nèi)核的數(shù)量及緩存容量持續(xù)增加，但目前仍存在諸多應該解決的重要課題，其中包括芯片間的通信性能出現(xiàn)瓶頸、耗電量增加、以及由于軟錯誤及缺陷造成的錯誤等導致的可靠性低下等。另外，芯片內(nèi)的時鐘及電源分配難度也很高，因此要求進一步革新電路技術。
關鍵字： ISSCC 處理器晶體管集成度性能極限

英特爾專家揭示IC制程微縮所面臨的五大挑戰(zhàn)

芯片尺寸在接下來的幾年將持續(xù)微縮，不過芯片制造商也面臨許多挑戰(zhàn)。在美國舊金山舉行的國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上，英特爾(Intel)資深院士、制程架構(gòu)與整合總監(jiān)Mark Bohr列出32奈米以下制程節(jié)點遭遇的五大障礙/挑戰(zhàn)，也提出了有潛力的解決方案。 1. 光刻技術(patterning or lithography)
關鍵字：英特爾光刻技術晶體管嵌入式內(nèi)存

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晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。　　半導體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細 ]