晶體管文章進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)

晶體管線性直流電源，可控硅直流穩(wěn)壓電源，開關(guān)電源原理簡介

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：晶體管直流電源開關(guān)電源穩(wěn)壓電源

美國科學(xué)家制成首個等離子晶體管

　據(jù)國外媒體報道，自從20世紀(jì)40年代晶體管出現(xiàn)以來，它一直是電腦和其他現(xiàn)代電子裝置的核心元件。晶體管的作用是接通、關(guān)閉或者增強(qiáng)電流，晶體管有各種形狀、大小和材質(zhì)，這些主要根據(jù)它的用途而定。最近科學(xué)家制作出一種新晶體管——一個微型電子計大小的等離子晶體管。　　美國伊利諾斯大學(xué)的研究人員將一個常規(guī)微腔等離子裝置和一個電子發(fā)射體結(jié)合，研發(fā)出這種微束等離子晶體管。陳國鋒和光學(xué)物理及工程學(xué)實(shí)驗(yàn)室主管加里·艾頓教授將他們的研究結(jié)果發(fā)表在最近的
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金融危機(jī)影響電子元器件市場

　　由于全球金融市場的大動蕩，市場上幾乎沒有什么好消息，而要確定這次金融動蕩對元器件市場的影響則更加困難。消費(fèi)者的信心己經(jīng)降到歷史低點(diǎn)，由于消費(fèi)市場占了元器件市場的70%以上，預(yù)計年底的假日消費(fèi)市場將會十分低迷，并最終導(dǎo)致電子元器件需求下降。通常，元器件市場是買方市場，對部分產(chǎn)品而言，買方一直占據(jù)著主導(dǎo)的位置。但是，由于原材料和能源價格的上漲，供貨商們面臨著成本上升，因此，電子元器件的價格也不會自動地下降。　　盡管如此，元器件市場仍然有一線曙光：供貨商們對庫存的管理十分嚴(yán)格，因此，庫存會持續(xù)地下
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OLED的結(jié)構(gòu)原理及優(yōu)缺點(diǎn)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： OLED 晶體管顯示 MP3

低功耗CMOS電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計

　　1 引言　　電壓基準(zhǔn)可以在溫度及電源電壓變化環(huán)境中提供穩(wěn)定的參考電壓，被廣泛應(yīng)用于比較器，A／D，D／A轉(zhuǎn)換器，信號處理器等集成電路中。目前已有不少和工藝的電壓基準(zhǔn)應(yīng)用于實(shí)際中，并且獲得了很高的精度和穩(wěn)定性。然而隨著各種便攜式移動通信和計算產(chǎn)品的普及，對電池的需求大大加強(qiáng)，但是電池技術(shù)發(fā)展相對落后，降低電路的功耗成為IC設(shè)計關(guān)注的一個焦點(diǎn)；電路的功耗會全部轉(zhuǎn)換成熱能，過多的熱量會產(chǎn)生焦耳熱效應(yīng)，加劇硅失效，導(dǎo)致可靠性下降，而快速散熱的要求又會導(dǎo)致封裝和制冷成本提高；同時功耗大將導(dǎo)致溫度高，載流子
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交叉耦合門防止推挽驅(qū)動器交疊

　　交疊是推挽驅(qū)動器的兩個晶體管同時處于導(dǎo)通狀態(tài)的短暫時間。在中心抽頭變壓器的初級中，這是常見的問題。交疊導(dǎo)致很大的電流尖峰和更多的開關(guān)損耗。飽和的晶體管關(guān)斷速度慢于接通速度，導(dǎo)致了這個問題。防止交疊的一種方法是在關(guān)斷一個晶體管之后并在接通另一個晶體管之前提供延時。該方法需要幾個額外元件，并且必須為最壞情形包含足夠長的延時。本設(shè)計實(shí)例利用交叉耦合門來防止晶體管在另一個晶體管關(guān)斷之前被接通（圖1）。為簡化起見，該圖并未描繪旁路電容器、緩沖器網(wǎng)絡(luò)和其它無需用來描繪該方法的元件。　　門IC2A防止Q1在
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L波段低噪聲放大器的設(shè)計

　　引言　　低噪聲放大器(LNA)是雷達(dá)、通信、電子對抗、遙測遙控等電子系統(tǒng)中關(guān)鍵的微波部件，有廣泛的應(yīng)用價值。由于微波系統(tǒng)的噪聲系數(shù)基本上取決于前級放大器的噪聲系數(shù)，因此LNA噪聲系數(shù)的優(yōu)劣會直接影響整個系統(tǒng)性能的好壞。低噪聲放大器的設(shè)計主要包括輸入、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和直流偏置網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計以及改善晶體管穩(wěn)定的措施。　　本文首先介紹放大器提高穩(wěn)定性的源極串聯(lián)負(fù)反饋原理，然后設(shè)計了一個L波段的低噪聲放大器實(shí)例，并給出了放火器輸入、輸出回波損耗、增益、噪聲系數(shù)等參數(shù)的仿真結(jié)果。　　低噪聲放大器的設(shè)計
關(guān)鍵字：放大器低噪聲 LNA 晶體管

處理器再次更新 IBM納米技術(shù)新突破

　　IBM研究人員在一篇新的論文中詳細(xì)介紹了IBM所說的在納米技術(shù)領(lǐng)域取得的重要技術(shù)突破。這項(xiàng)技術(shù)突破將推動處理器技術(shù)和光子領(lǐng)域的新發(fā)展。IBM研究人員詳細(xì)介紹了他們?nèi)绾慰刂铺技{米管晶體管的發(fā)光。　　這將是開發(fā)和推動新的處理器的新方法。在納米技術(shù)領(lǐng)域，IBM、惠普和英特爾都在通過自己的研究部門研究新的開發(fā)處理器的技術(shù)。　　IBM研究人員稱，在新興的納米技術(shù)領(lǐng)域的一項(xiàng)重大的技術(shù)突破將改變工程師和IT行業(yè)開發(fā)微處理器的方法和思路。IBM研究人員8月25日在《自然納米技術(shù)》雜志上發(fā)表的論文中介紹了他們?nèi)?/li>
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半導(dǎo)體特征循環(huán)與可重構(gòu)芯片

　　1 引言　　1965 年，摩爾用三個集成電路產(chǎn)品集成度隨時間的增長數(shù)據(jù)，外加1959 年的晶體管（集成度為1）和1965 年預(yù)計可推出的實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品（有64 個元件），用半對數(shù)坐標(biāo)，外插預(yù)測到十年后集成電路的集成度將達(dá)到65,000 個元件。1975 年預(yù)測成真，隨后被稱為“摩爾定律”。近40 年來，“摩爾定律”作為半導(dǎo)體發(fā)展的指南針對整個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生了重大影響。由此我們可以體會到總結(jié)規(guī)律、預(yù)測發(fā)展的重要意義。半導(dǎo)體產(chǎn)品是半導(dǎo)體技術(shù)的載體，也是半導(dǎo)體
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低壓差線性穩(wěn)壓器在開關(guān)電源中的應(yīng)用

　　1 引言　　電源是各種電子設(shè)備必不可缺少的組成部分，其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到電子設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)及能否安全可靠地工作。目前常用的直流穩(wěn)壓電源分線性電源和開關(guān)電源兩大類，由于開關(guān)電源內(nèi)部關(guān)鍵元器件工作在高頻開關(guān)狀態(tài)，本身消耗的能量很低，開關(guān)電源效率可達(dá)80％～90％，比普通線性穩(wěn)壓電源提高近一倍，目前已成為穩(wěn)壓電源的主流產(chǎn)品。　　2 開關(guān)穩(wěn)壓電源的結(jié)構(gòu) 　　圖(1)畫出了開關(guān)穩(wěn)壓電源的原理圖及等效原理框圖，它是由全波整流器，開關(guān)管Vi，激勵信號，續(xù)流二極管VD，儲能電感和濾波電容C
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電子測量儀器的分類及應(yīng)用

電子測量儀器按其工作原理與用途,大致劃為以下幾類。 1.多用電表　　模擬式電壓表、模擬多用表(即指針式萬用表VOM)、數(shù)字電壓表、數(shù)字多用表(即數(shù)字萬用表DMM)都屬此類。這是經(jīng)常使用儀表。它可以用來測量交流/直流電壓、交流/直流電流、電阻阻值、電容器容量、電感量、音頻電平、頻率、晶體管NPN或PNP電流放大倍數(shù)β值等。 2.示波器　　示波器是一種測量電壓波形的電子儀器,它可以把被測電壓信號隨時間變化的規(guī)律,用圖形顯示出來。使用示波器不僅可以直觀而形象地觀察被測物理量的變化全
關(guān)鍵字：電子測量示波器信號發(fā)生器晶體管紅外測試

安森美半導(dǎo)體推出新微封裝的晶體管和二極管

　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充分立器件封裝系列，推出新微封裝的晶體管和二極管。新增加的封裝拓展了公司的微封裝晶體管和二極管系列，配合當(dāng)今空間受限型便攜應(yīng)用的嚴(yán)峻設(shè)計需求。　　安森美半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部全球市場營銷副總裁麥滿權(quán)說："對我們的便攜產(chǎn)品客戶來說，小尺寸、低高度且同時具備功率密度是相當(dāng)關(guān)鍵的參數(shù)。安森美半導(dǎo)體提供用于電源管理、開關(guān)和保護(hù)應(yīng)用的微封裝二極管和晶體管，使便攜產(chǎn)品能集成更多功能，而無須增加終端產(chǎn)品的尺寸或降低能效。" 　　新的微封裝晶體管
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葡萄牙成功研制全球首個紙質(zhì)晶體管

　　葡萄牙新里斯本大學(xué)（New University of Lisbon）的研究人員于日前成功研制了全球首款用紙層制成的晶體管，這種晶體管比采用氧化物半導(dǎo)體制成的普通薄膜晶體管（TFT）更具競爭力。　　據(jù)負(fù)責(zé)此項(xiàng)研究的Elvira Fortunato和Rodrigo Martins透露，這種新型晶體管具備與采用氧化物半導(dǎo)體制成的薄膜晶體管一樣的性能，紙質(zhì)晶體管可以用在紙質(zhì)顯示屏、智能標(biāo)簽、生物程序和RFID（無線射頻識別）電子標(biāo)簽等新型電子設(shè)備中。雖然目前業(yè)界十分看重采用生物高聚物的低成本電子產(chǎn)品
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系統(tǒng)控制器免費(fèi)IP 核的應(yīng)用

　　1．前言　　隨著集成電路業(yè)工藝的發(fā)展，單位面積晶體管的數(shù)量急劇增加。按傳統(tǒng)的方法，能滿足芯片功能和時序要求設(shè)計的IC設(shè)計工程師，產(chǎn)能約為100門/天，要完成 1200萬門的芯片設(shè)計需要500人年。設(shè)計復(fù)用（Design Reuse）技術(shù)成為解決問題的有效方法。根據(jù)業(yè)界經(jīng)驗(yàn)，任何模塊如果不作任何修改就可以在10個或更多項(xiàng)目中復(fù)用，都應(yīng)該開發(fā)成IP 。基于IP的數(shù)字IC設(shè)計方法是有效提高設(shè)計產(chǎn)能的關(guān)鍵技術(shù)。IP核又稱IP （Intellectual Property）Core指具有獨(dú)立知識產(chǎn)權(quán)的電路核
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ST推出250A功率MOSFET 提高電機(jī)驅(qū)動能效

　　意法半導(dǎo)體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。　　新產(chǎn)品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線帶楔焊鍵合技術(shù)的功率MOSFET，無裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型導(dǎo)通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點(diǎn)包括：開關(guān)損耗低，抗雪崩性能強(qiáng)。除提高散熱效率外，九線源極連接配置還有助于
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晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細(xì) ]