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PTAT基準(zhǔn)電流源電路
- PTAT基準(zhǔn)電流源電路通過(guò)手工計(jì)算推導(dǎo),然后采用計(jì)算機(jī)進(jìn)行仿真,微調(diào)電路參數(shù)。最終所得到的OTA放大器在負(fù)載為5pF的開(kāi)環(huán)增益為81.3dB,無(wú)偏置情況下的功耗僅為607μW。輸出電壓范圍為0.2~1.6V,基本實(shí)現(xiàn)全擺幅的輸出。輸出...
- 關(guān)鍵字: PTAT 基準(zhǔn)電流源
低功耗CMOS電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)
- 1 引 言 電壓基準(zhǔn)可以在溫度及電源電壓變化環(huán)境中提供穩(wěn)定的參考電壓,被廣泛應(yīng)用于比較器,A/D,D/A轉(zhuǎn)換器,信號(hào)處理器等集成電路中。目前已有不少和工藝的電壓基準(zhǔn)應(yīng)用于實(shí)際中,并且獲得了很高的精度和穩(wěn)定性。然而隨著各種便攜式移動(dòng)通信和計(jì)算產(chǎn)品的普及,對(duì)電池的需求大大加強(qiáng),但是電池技術(shù)發(fā)展相對(duì)落后,降低電路的功耗成為IC設(shè)計(jì)關(guān)注的一個(gè)焦點(diǎn);電路的功耗會(huì)全部轉(zhuǎn)換成熱能,過(guò)多的熱量會(huì)產(chǎn)生焦耳熱效應(yīng),加劇硅失效,導(dǎo)致可靠性下降,而快速散熱的要求又會(huì)導(dǎo)致封裝和制冷成本提高;同時(shí)功耗大將導(dǎo)致溫度高,載流子
- 關(guān)鍵字: 運(yùn)算放大器 晶體管 PTAT
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