Schiltron與Entrepix合作利用CMP達成3-D閃存制造新架構?

　　3-D Flash新創(chuàng)公司Schiltron Corporation與專門提供化學機械拋光設備及代工服務的領先供應商Entrepix合作發(fā)展使用現(xiàn)有的材料，工具和制程的方法制造3-D Flash，從而利用簡單直接的方式擴大產量。 Schiltron 3-D Flash制造方式的最關鍵工藝的步驟是化學機械設備(CMP)的達成。該公司的聯(lián)合開發(fā)的努力已制造迄今為止最小的矽基薄膜電晶體(Silicon-base thin-film transistors) 。

　　晶體管結構和低溫度預算工藝步驟(low thermal budget process sequence)的變革促使單片(monolithic)3-D Flash預計將逐漸在大容量存儲用途取代傳統(tǒng)的NAND Flash Memory如MP3播放器，數位攝影和固態(tài)硬碟。 Schiltron的制造方式，其中實現(xiàn)CMP關鍵工藝，產生了柵極長度48納米， 45納米柵極寬度和厚度35納米渠道，已知最小的矽基薄膜電晶體。

　　Schiltron的創(chuàng)始人兼主席Andrew J. Walker說：“可擴展性的NAND Flash時代即將結束。單片(monolithic)3-D方式將接管并滿足這個價值數十億美元的市場。我們在Schiltron會利用現(xiàn)有的材料和基礎設施，并配合Entrepix一站式的代工服務，及專門的制程經驗和技術訣竅來進一步證明技術的可行性和構造整體知識并達成這個里程碑。

　　Schiltron其中一個關鍵目標是藉由Entrepix在先進的化學機械拋光工藝的專業(yè)知識來達成其裝置架構概念證明?；瘜W機械研磨拋光在整個裝置流程起了以下2個重要關鍵和可行性：1，第一個柵極(first gate)的構思和形成;2，超薄的渠道(ultra-thin channel)的形成。這兩者對于裝置功能都是至關重要。

　　Entrepix技術長Rob Rhoades說：“這個項目的發(fā)明很明顯的顯示化學機械研磨拋光(CMP)工藝有一定特有的產品架構和引發(fā)更多新產品的實現(xiàn)。Schiltron也在3D Flash技術跨過和奠定了一大步也代表CMP將在新的材料和下一代產品的研發(fā)會將扮演更重要的角色。”

　　Schiltron，Mountain View， CA，在最近的舊金山國際電子器件會議(IEDM)上首次介紹了其新產品結構，說明新產品如何在替代制造方式提供明顯優(yōu)勢會。