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下一代低VCEsat雙極晶體管
- 近年來,中功率雙極晶體管在飽和電阻及功率選擇范圍方面的重大改進,極大地拓寬了此類器件的應(yīng)用領(lǐng)域。恩智浦最新推出的SMD封裝型中功率晶體管BISS 4充分展示了雙極晶體管的技術(shù)優(yōu)勢,它在為開關(guān)應(yīng)用帶來大功率低損耗解決方案的同時,也創(chuàng)造了新的應(yīng)用領(lǐng)域。
- 關(guān)鍵字: 雙極晶體管 晶體管架構(gòu) VCesat 201010
恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支:超低VCEsat晶體管以及高速開關(guān)晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V,采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。 這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管,正如其名,它們?yōu)闇p少打開導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn),使開關(guān)時間減到絕對最小值。超低VCEsat 分支的晶體管
- 關(guān)鍵字: NXP 晶體管 VCEsat
恩智浦推出最新一代低VCEsat晶體管
- 恩智浦半導(dǎo)體(由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導(dǎo)體公司)發(fā)布了最新一代低VCEsat晶體管,與普通晶體管相比,其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS(小信號擊穿)晶體管具有超低飽和電壓(1安培時低于60毫瓦)、高電路效率和更低的能源消耗,并能減少便攜式電池供電產(chǎn)品(如筆記本電腦、PDA和數(shù)碼相機)的發(fā)熱量。先進的BISS雙極晶體管還可用于需要低等效導(dǎo)通電阻的工業(yè)及汽車領(lǐng)域。 華碩公司研發(fā)處主任鄭慶福表示:“卓越的節(jié)能性能是華碩科技(ASUSTek)非常關(guān)注的一項重要性能,也是我們獲得世界首個筆記本電腦T
- 關(guān)鍵字: VCEsat 單片機 恩智浦 晶體管 嵌入式系統(tǒng)
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