飛思卡爾推出最高功率的LDMOS射頻功率晶體管

飛思卡爾半導(dǎo)體日前在IEEE MTT-S國(guó)際微波大會(huì)上宣布推出全球最高功率的LDMOS射頻功率晶體管。MRF6VP11KH 設(shè)備提供130 MHz、1 kW的脈沖射頻輸出功率，具有同類(lèi)設(shè)備最高的排放效率和功率增益。

這種超高效率晶體管是飛思卡爾承諾為工業(yè)、科技和醫(yī)療（ISM）市場(chǎng)提供業(yè)界最具創(chuàng)新力的射頻功率解決方案的最新例證。該晶體管的操作電壓為50V，與雙極和MOSFET 設(shè)備相比，它具有明顯的優(yōu)勢(shì)。它能夠提供核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)、CO2激光器、等離子體發(fā)生器和其他系統(tǒng)所需的功率。

以空前的功率水平實(shí)現(xiàn)高增益，這大大減少了所需的部件數(shù)量，與傳統(tǒng)設(shè)計(jì)相比，部件數(shù)量減少了70%。部件數(shù)量的大幅減少，使主板空間要求和制造復(fù)雜性隨之降低，最終使放大器成本全面降低。 

飛思卡爾副總裁兼射頻部總經(jīng)理Gavin P. Woods表示：“MRF6VP11KH的推出，在效率、輸出功率、可靠性和設(shè)計(jì)集成的便利性等各方面設(shè)定了新的行業(yè)基準(zhǔn)。任何其他射頻功率設(shè)備（包括LDMOS、MOSFET和雙極）都無(wú)法實(shí)現(xiàn)這樣的性能。我們將繼續(xù)針對(duì)這類(lèi)市場(chǎng)推出創(chuàng)新設(shè)備，讓我們的客戶能夠攻克系統(tǒng)性能的新障礙?！?

這種晶體管在10-150 MHz之間運(yùn)行。它采用飛思卡爾第六代高電壓 (VHV6) LDMOS（橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管)技術(shù)，是飛思卡爾承諾向工業(yè)、科技和醫(yī)療（ISM）市場(chǎng)提供業(yè)界最新射頻功率解決方案的最新例證。該產(chǎn)品組合2006年6月公布的業(yè)界領(lǐng)先的50V VHV6 LDMOS設(shè)備系列，能夠滿足在頻率高達(dá)450 MHz的HF、VHF和UHF上操作ISM應(yīng)用所需的要求。

ABI Research半導(dǎo)體研究主任Lance Wilson表示： “飛思卡爾憑借50V LDMOS已經(jīng)突破RF 1 kW脈沖功率級(jí)別。MRF6VP11KH的高增益、高效率、低熱阻和高輸出失配可存活性都給人留下了深刻印象。” linux操作系統(tǒng)文章專(zhuān)題:linux操作系統(tǒng)詳解（linux不再難懂）