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瑞薩硅鍺功率晶體管可降低無(wú)線LAN功耗

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作者: 時(shí)間:2007-01-31 來(lái)源: 收藏
    科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布,RQG2003高性能的功率硅鍺HBT實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平性能,可用于諸如無(wú)線LAN終端、數(shù)字無(wú)繩電話和RF(射頻)標(biāo)簽讀/寫機(jī)等產(chǎn)品。 


作為科技目前HSG2002的后續(xù)產(chǎn)品,RQG2003是一種用于功率放大器的,它可以對(duì)傳輸無(wú)線LAN終端設(shè)備等RF前端功率進(jìn)行放大。 

  RQG2003的功能總結(jié)如下: 

  業(yè)界最高的性能水平,有助于實(shí)現(xiàn)低產(chǎn)品 

  在5GHz和2.4GHz頻段,RQG2003的性能達(dá)到了業(yè)界的最高水平,如下所述。 

  (a)5GHz頻段:6.4dB的功率增益,26.5dBm條件下的1dB增益壓縮功率,5.8GHz條件下的功率增加效率為33.6%。 

  (b)2.4GHz頻段:13.0dB的功率增益,26.5dBm條件下1dB的增益壓縮功率,2.4GHz條件下的功率增加效率為66.0%。 

  這些性能參數(shù)是對(duì)科技目前的HSG2002的顯著改善,例如,5.8GHz條件下的功率增加效率大約提高了10%,2.4GHz的功率增加效率大約提高了20%。 

  該性能有助于降低IEEE802.11a兼容的無(wú)線LAN設(shè)備、數(shù)字無(wú)繩電話等5GHz頻段設(shè)備的,也可以降低使用2.4GHz頻段的IEEE802.11b/g兼容的無(wú)線LAN設(shè)備、RF標(biāo)簽讀/寫機(jī)及其他2.4GHz頻段應(yīng)用的。 

  小而薄的無(wú)鉛封裝 

  該器件采用小型表面貼裝8引腳WQFN0202(瑞薩封裝代碼)封裝,尺寸為2.0mm


關(guān)鍵詞: 功耗 晶體管 瑞薩

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