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GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置

受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型拓?fù)?。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無(wú)第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無(wú)橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?。由于它們的高開(kāi)關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類(lèi)拓?fù)?。本文中，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開(kāi)關(guān)損耗、更佳
關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開(kāi)辟新應(yīng)用領(lǐng)域

英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì),以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開(kāi)了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門(mén)。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴(kuò)展到了太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開(kāi)關(guān)損耗
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一種電動(dòng)汽車(chē)能量回饋下IGBT保護(hù)策略?xún)?yōu)化及驗(yàn)證

　　舒暉（奇瑞新能源汽車(chē)股份有限公司，安徽蕪湖 241002）　　摘要：針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)在能量回饋時(shí)，動(dòng)力電池高壓繼電器異常斷開(kāi)的特殊工況下，提出了一種IGBT保護(hù)策略?xún)?yōu)化方案，快速檢測(cè)因動(dòng)力電池瞬斷產(chǎn)生的尖峰電壓，觸發(fā)保護(hù)機(jī)制保護(hù)IGBT模塊。本文通過(guò)臺(tái)架實(shí)驗(yàn)對(duì)比了方案優(yōu)化前后的尖峰電壓值，最終通過(guò)實(shí)車(chē)驗(yàn)證了該方案的可行性。結(jié)果表明，優(yōu)化后的保護(hù)策略能更快地檢測(cè)到抬升的母線電壓，觸發(fā)保護(hù)機(jī)制，停止IGBT工作，降低IGBT模塊損壞的風(fēng)險(xiǎn)?！　￡P(guān)鍵詞：電動(dòng)汽車(chē)；能量回饋；IGBT　　0 引言　　傳統(tǒng)汽車(chē)
關(guān)鍵字： 202007 電動(dòng)汽車(chē) 能量回饋 IGBT

新基建驅(qū)動(dòng)電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案

我國(guó)正在大力進(jìn)行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)充電樁、5G手機(jī)等對(duì)電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時(shí)，SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起，奠定了堅(jiān)實(shí)的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機(jī)需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導(dǎo)體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營(yíng)銷(xiāo)及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對(duì)工業(yè)市場(chǎng)的預(yù)測(cè)，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營(yíng)銷(xiāo)及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場(chǎng)
關(guān)鍵字：電源 SiC IGBT GaN

使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的能源效率

本文將強(qiáng)調(diào)出無(wú)論就能源效率、散熱片尺寸或節(jié)省成本方面來(lái)看,工業(yè)傳動(dòng)不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)點(diǎn)。摘要由于電動(dòng)馬達(dá)佔(zhàn)工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動(dòng)的能源效率成為一大關(guān)鍵挑戰(zhàn)。因此,半導(dǎo)體製造商必須花費(fèi)大量心神,來(lái)強(qiáng)化轉(zhuǎn)換器階段所使用功率元件之效能。意法半導(dǎo)體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(SiC MOSFET)技術(shù),為電力切換領(lǐng)域立下全新的效能標(biāo)準(zhǔn)。1.導(dǎo)言目前工業(yè)傳動(dòng)通常採(cǎi)用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開(kāi)發(fā)的碳化
關(guān)鍵字： MOSEFT FWD ST IGBT

東芝推出600V小型智能功率器件，助力降低電機(jī)功率損耗

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出型號(hào)為“TPD4162F”的高壓智能功率器件（IPD）。該器件采用小型表面貼裝封裝，設(shè)計(jì)用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等產(chǎn)品中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。并計(jì)劃于今日開(kāi)始出貨。TPD4162F采用新工藝制造，與東芝當(dāng)前的IPD產(chǎn)品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%[1]。這有助于為集成該器件的設(shè)備降低總體功率損耗。TPD4162F具有各種控制電路[2]、輸出級(jí)安裝了IGBT和FRD。其支持從霍爾傳感器或者霍爾IC直接驅(qū)動(dòng)帶方波輸入信號(hào)的無(wú)刷直流電機(jī)，無(wú)需PWM控制
關(guān)鍵字： IPD IGBT IC

東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內(nèi)置保護(hù)功能的光耦

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏（PV）的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦內(nèi)置多種功能[1]，其中包括通過(guò)監(jiān)控集電極電壓實(shí)現(xiàn)過(guò)流檢測(cè)。產(chǎn)品于今日起開(kāi)始出貨。新型預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦使用外部P溝道和N溝道互補(bǔ)的MOSFET作為緩沖器，來(lái)控制中大電流IGBT和MOSFET。目前現(xiàn)有產(chǎn)品[2]需要使用雙極型晶體管構(gòu)成的緩沖電路來(lái)實(shí)現(xiàn)電流放大，這會(huì)在工作中消耗基極電流。新產(chǎn)品能夠
關(guān)鍵字： IGBT MOSEFT

Power Integrations出爐簡(jiǎn)單易用的SCALE-2即插即用型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，適用于壓接式IGBT模塊

中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域門(mén)極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的創(chuàng)新者Power Integrations近日推出1SP0351?SCALE-2?單通道+15/-10V即插即用型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品專(zhuān)為東芝、Westcode和ABB等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開(kāi)發(fā)。新的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設(shè)計(jì)而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應(yīng)用。1SP0351驅(qū)動(dòng)器裝備了動(dòng)態(tài)高級(jí)有源鉗位功能(DAAC)、短路保護(hù)
關(guān)鍵字：門(mén)極驅(qū)動(dòng)器 IGBT

工業(yè)電機(jī)用功率半導(dǎo)體的動(dòng)向

Steven?Shackell? （安森美半導(dǎo)體?工業(yè)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理）摘? 要：電動(dòng)工具用電機(jī)正從有刷直流(BDC)轉(zhuǎn)向無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)；工業(yè)電機(jī)需要更高能效的電機(jī)，同時(shí) 需要強(qiáng)固和高質(zhì)量。安森美以領(lǐng)先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應(yīng)對(duì)這些轉(zhuǎn)變帶來(lái)的商機(jī)。關(guān)鍵詞：電機(jī)；電動(dòng)工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導(dǎo)體提供全面的電機(jī)產(chǎn)品系列，尤其是功率半導(dǎo)體方面。安森美半導(dǎo)體因來(lái)自所有電機(jī)類(lèi)型的商機(jī)感到興奮，并非?？春脽o(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)應(yīng)用（例如電動(dòng)工具），
關(guān)鍵字： 202003 電機(jī) 電動(dòng)工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM

全力以赴抗疫情開(kāi)足馬力促生產(chǎn)——華虹二廠投入再創(chuàng)新高

基于國(guó)內(nèi)外大客戶(hù)對(duì)高端功率半導(dǎo)體器件的旺盛需求，特別是超級(jí)結(jié)產(chǎn)品(SJ)和絕緣柵雙極型器件(IGBT)的應(yīng)用，華虹集團(tuán)旗下華虹二廠在2020年1月的投入再創(chuàng)新高，光刻層數(shù)達(dá)到了48萬(wàn)！生產(chǎn)線在年度動(dòng)力檢修后已滿(mǎn)負(fù)荷運(yùn)行，在1月也取得了出貨6.12萬(wàn)片晶圓的佳績(jī)！
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 IGBT SJ 華虹

關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

　　王定良（電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院，四川成都 610054）　　摘? 要：作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來(lái)越重要，但是越來(lái)越快的開(kāi)關(guān)速度，可能會(huì)引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過(guò)高的dV/dt也會(huì)在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結(jié)合半橋電路的寄生參數(shù)模型，完善傳統(tǒng)公式的推導(dǎo)?；趯?duì)公式與IGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結(jié)合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來(lái)動(dòng)態(tài)擴(kuò)展IGBT安全工作區(qū)的電路結(jié)構(gòu)，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時(shí)的可靠性?！　￡P(guān)鍵詞：IGBT；
關(guān)鍵字： 202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性

東芝面向電壓諧振電路推出新款分立IGBT，有助于降低功耗并簡(jiǎn)化設(shè)備設(shè)計(jì)

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產(chǎn)品于今日起開(kāi)始出貨。?GT20N135SRA產(chǎn)品圖GT20N135SRA的集電極-發(fā)射極的飽和電壓[1]為1.75V，二極管正向電壓[2]為1.8V，分別比東芝當(dāng)前產(chǎn)品[3]低10%和21%。IGBT和二極管都針對(duì)高溫（TC=100℃）條件下的導(dǎo)通損耗特性進(jìn)行了改進(jìn)，而且新款I(lǐng)GBT還有助于降低設(shè)備功耗。該產(chǎn)品的結(jié)殼熱阻為0
關(guān)鍵字： IGBT 分立

CISSOID與國(guó)芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國(guó)際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“國(guó)芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開(kāi)展寬禁帶功率技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢(shì)，并推動(dòng)其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來(lái)，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢(shì)，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車(chē)、智能家電、通信等領(lǐng)域開(kāi)始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類(lèi)應(yīng)用中
關(guān)鍵字： IGBT SiC GaN

同類(lèi)最佳的超級(jí)結(jié)MOSFET和具成本優(yōu)勢(shì)的IGBT用于電動(dòng)汽車(chē)充電樁

插電式混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車(chē)(xEV)包含一個(gè)高壓電池子系統(tǒng)，可采用內(nèi)置的車(chē)載充電器(OBC)或外部的充電樁進(jìn)行充電。充電(應(yīng)用)要求在高溫環(huán)境下具有高電壓、高電流和高性能，開(kāi)發(fā)高能效、高性能、具豐富保護(hù)功能的充電樁對(duì)于實(shí)現(xiàn)以盡可能短的充電時(shí)間續(xù)航更遠(yuǎn)的里程至關(guān)重要。常用的半導(dǎo)體器件有IGBT、超結(jié)MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半導(dǎo)體為電動(dòng)汽車(chē)OBC和直流充電樁提供完整的系統(tǒng)方案，包括通過(guò)AEC車(chē)規(guī)認(rèn)證的超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT、門(mén)極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測(cè)、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等，
關(guān)鍵字：超級(jí)結(jié)MOSFET IGBT 充電樁

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的重要特性

　　Thomas?Brand（ADI慕尼黑公司?現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師）　　摘?要：探討了IGBT隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的重要特性?！　￡P(guān)鍵詞：IGBT；隔離式；柵極驅(qū)動(dòng)器　　在功率電子（例如驅(qū)動(dòng)技術(shù)）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開(kāi)關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開(kāi)關(guān)期間。為了最大程度減小開(kāi)關(guān)損耗，要求具備較短的開(kāi)關(guān)時(shí)間。然而，快速開(kāi)關(guān)同時(shí)隱含著高壓瞬變的危險(xiǎn)，這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器，還執(zhí)行提供短路保護(hù)并影響開(kāi)關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動(dòng)器
關(guān)鍵字： 201909 IGBT 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器