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三菱電機應用于電動汽車驅(qū)動的IGBT模塊解決方案

  • 三菱電機起初根據(jù)客戶的要求設計定制化的汽車級模塊，并且從1997年起就將汽車級IGBT模塊成功地應用于電動汽車中。隨后推出了非定制型的J-系列汽車級功率模塊T-PM和IPM;目前針對全球推出了新一代汽車級功率模塊J1-系列EV PM。
  • 關鍵字： 三菱  電機  IGBT  

東芝推出具有2.5A峰值輸出電流、采用低高度封裝的柵極驅(qū)動光電耦合器

  • 　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出采用低高度SO8L封裝的新型柵極驅(qū)動光電耦合器“TLP5832”。該產(chǎn)品提供2.5A峰值輸出電流，可直接驅(qū)動中級IGBT。出貨即日啟動?！　⌒翴C采用SO8L封裝，封裝高度比東芝采用SDIP6和DIP8(LF1選項)封裝的現(xiàn)有產(chǎn)品降低約54%，可為封裝高度有限的電路板安裝提供支持，同時有助于實現(xiàn)芯片組小型化。盡管尺寸小，但是該IC可保證爬電距離和至少8mm的電氣間隙，使其適合需要高隔離性能的應用?！　〈送猓撔滦蜄艠O驅(qū)動光電耦合器可在–40至+110
  • 關鍵字： 東芝  IGBT  

【E問E答】如何減輕米勒電容所引起的寄生導通效應

  • 　　當IGBT在開關時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門極驅(qū)動的應用中影響是很明顯的?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會引發(fā)門極VGE間電壓升高而導通，這是一個潛在的風險(如圖1)?！　?nbsp;  　　圖1：下管IGBT因為寄生米勒電容而引起導通　　寄生米勒電容引起的導通　　在半橋拓撲中，當上管IGBT(S1)正在導通， 產(chǎn)生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經(jīng)S
  • 關鍵字： 米勒電容  IGBT  

采用TO-247PLUS封裝的高功率密度單管IGBT

  • 　　英飛凌科技股份公司進一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容，推出最高電流達75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時還集成全額定電流反并聯(lián)二極管。全新TO-247PLUS 3腳和4腳封裝可滿足對更高功率密度和更高效率不斷增長的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型應用包括變頻器、光伏逆變器和不間斷電源(UPS)。其他應用包括電池充電和儲能系統(tǒng)?！　∠啾瘸Ｒ?guī)TO-247-3封裝而言，全新TO-247PLUS封裝可實現(xiàn)雙倍額定電流。由于去除了標準TO-24
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  

面向單管IGBT的TRENCHSTOP? Advanced Isolation封裝

  • 　　英飛凌科技股份公司推出全新封裝技術TRENCHSTOP??Advanced?Isolation。TRENCHSTOP??Advanced?Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP?Highspeed?3?IGBT，確保一流的散熱性能并簡化制造流程。兩個版本均經(jīng)過性能優(yōu)化，可取代全塑封封裝(FullPAK)及標準和高性能絕緣箔。該新封裝適用于諸多應用，如空調(diào)功率因數(shù)校正(PFC)、不間斷電源(UPS)和變頻器
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  

IGBT產(chǎn)業(yè)研究:中國“芯”希望

  • 　　2017年開年以來有這樣一些事件進入我們的視線:①2月,IGBT等電力電子功率器件被列入《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點產(chǎn)品和服務指導目錄》。②3月14日,捷捷微電上市,主營晶閘管等功率半導體器件的研發(fā)生產(chǎn)和銷售。③5月,國家科技重大專項(02專項)實施管理辦公室驗收中環(huán)股份“區(qū)熔硅單晶片產(chǎn)業(yè)化技術與國產(chǎn)設備研制”項目。④5月17日,國電南瑞公布非公開發(fā)行預案,募集配套中16.4億元用于IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項目。 　　一直以來,IGBT技術被國外半導體廠商壟斷,截至2015年我國IGBT市
  • 關鍵字： IGBT  新能源汽車  

基于風電系統(tǒng)單體變流器的結構應用設計

  • 本文介紹了風電變流器核心組成部分的單體變流器在機柜結構設計中空間狹小、工作環(huán)境惡劣等特點，本文進行了結構設計分析。主要內(nèi)容包括：單體變流器的組成布局、功率器件維護、結構受力，以及可維護性等。
  • 關鍵字： 風電變流器  IGBT  退火處理  

IGBT驅(qū)動電路的作用、工作特性與使用要求

  • 　　IGBT驅(qū)動電路的作用：　　IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅(qū)動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動電路起到至關重要的作用?！　GBT的工作特性：　　IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負電壓來控制。當加上正柵極電壓時,管子導通;當加上負柵極電壓時,管子關斷。　　? ?　　IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關電源中的IGBT通過UGE電平
  • 關鍵字： IGBT  功率器件  

小小一顆IGBT如何撬動電動汽車逆變器？

  • 本文設計一種驅(qū)動供電電源，并通過實際測試證明其可用性。常見的驅(qū)動電源采用反激電路和單原邊多副邊的變壓器進行設計。
  • 關鍵字： IGBT  逆變器  汽車  

基于IGBT模塊的電能質(zhì)量治理設備能耗狀況及節(jié)能分析

  • 本文重點研究了基于IGBT模塊的電能質(zhì)量類治理設備的能耗狀況及節(jié)能路徑。首先，對典型拓撲結構的SVG、APF、MEC在額定輸出工況下的損耗特性進行了分析，確定了主要耗能部分;隨后，分析了 IGBT模塊能耗機理及降耗可行性路徑;最后，總結出現(xiàn)階段國內(nèi)基于IGBT模塊的電能質(zhì)量類治理設備降低自身工作能耗的重點改進方向。
  • 關鍵字： 電能質(zhì)量  能耗  節(jié)能  IGBT  APF  SVG  201706  

Power Integrations推出緊湊、高效的SCALE-iDriver? IC產(chǎn)品系列，可支持1700 V IGBT

  • 　　中高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術的領導者今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道門極驅(qū)動IC的擴展產(chǎn)品。新器件支持耐壓為1700 V以內(nèi)的IGBT，通常適用于400 VAC至690 VAC的應用。它們也適用于最新的三電平拓撲光伏逆變器，以及采用1500 V新直流母線標準的光伏陣列。擴展后的1700 V SCALE-iDriver產(chǎn)品系列允許OEM廠商在各類解決方案中使用相同的高度集成、安全可靠的驅(qū)動器方案。
  • 關鍵字： Power Integrations  IGBT  

【E課堂】IGBT淺析，IGBT的結構與工作原理

  • 　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上
  • 關鍵字： IGBT  

提升IGBT自給率 給工業(yè)與汽車電子領域一顆“中國芯”

  • 　　半導體分立器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)潛在市場巨大，在工業(yè)控制、汽車電子、新能源、智能電網(wǎng)應用市場廣闊，而中國IC制造芯片廠也正積極尋求突破口，以成熟的工藝制程落地在地生產(chǎn)，提升國產(chǎn)IGBT芯片模塊的自給率。 　　IGBT應用領域廣泛，堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。從傳統(tǒng)的電力、機械、礦冶，到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，都有它的身影。 　　不過當前全球IGBT市場，仍被日、歐、美等IDM
  • 關鍵字： IGBT  芯片  

三菱電機第7代IGBT技術

  • 為了應對補貼下降帶來的影響，市場對光伏組件和光伏逆變器的成本降低的需求將加強。目前來看，1500V等更高電壓的光伏組件將在成本降低方面將會很大程度上彌補支付補貼的下降。因此，隨著市場的期待，諸如1500V等更高電壓的光伏組件將會加快進入到市場的步伐。另外，光伏發(fā)電的效率和可靠性等要求也將相應提高，以提高光伏電站的產(chǎn)出，并降低光伏電站和光伏逆變器的維護成本。因此，新技術在光伏電站和光伏逆變器中的應用需求將不斷加強，并且將促進光伏發(fā)電行業(yè)的良性競爭和健康發(fā)展。
  • 關鍵字： 三菱電機  光伏逆變器  IGBT  

全新62mm封裝模塊實現(xiàn)更高功率密度

  • 　　英飛凌科技股份公司進一步壯大其62 mm 封裝IGBT模塊陣容。新推出的功率模塊可滿足提高功率密度而不增加封裝尺寸這一與日俱增的需求，這應歸功于將更大面積的芯片和經(jīng)改良的DCB襯底應用于成熟的62 mm封裝而得以實現(xiàn)。1200 V阻斷電壓模塊的典型應用包括：變頻器、太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)，1700 V阻斷電壓模塊則適用于中壓變頻器?！　?200 V阻斷電壓的62 mm模塊的額定電流最高達到600A，1700 V
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  
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