EV Group將與CEA-Leti共同開發(fā)三維積層技術(shù)
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奧地利EV Group(EVG)宣布，將與法國CEA/Leti(法國原子能委員會的電子信息技術(shù)研究所)共同開發(fā)TSV(硅通孔)等三維積層技術(shù)。EVG將向CEA/Leti提供支持300mm晶圓的接合和剝離技術(shù)。計(jì)劃于2009年5月向CEA/Leti供貨上述裝置系統(tǒng)。此次的共同開發(fā)，將加速TSV技術(shù)的實(shí)用化進(jìn)程。
本文引用地址：http://2s4d.com/article/93221.htm一般情況下，在生產(chǎn)三維積層元器件時將硅晶圓研磨變薄的工序中，為保持研磨的晶圓強(qiáng)度需要使用支持底板。而支持底板臨時粘合后要進(jìn)行剝離。EVG提供的就是臨時粘合工序中的技術(shù)。雙方已經(jīng)共同生產(chǎn)了采用TSV技術(shù)的三維積層元器件。CEA/Leti擅長硅晶圓上的微納米技術(shù)和納米技術(shù)。
EVG通過此次的共同開發(fā)，加深了與CEA/Leti和與EVG和CEA/Leti有合作關(guān)系的美國Brewer Science之間的關(guān)系。雙方表示，“通過進(jìn)行共同開發(fā)，不但能彰顯材料廠商、裝置廠商和研究機(jī)構(gòu)之間合作的相乘效果，還能進(jìn)一步提高三維積層元器件的性能及尋求臨時粘合技術(shù)的新需求”。
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