iSuppli提升近期內(nèi)存市場條件評測等級

　　北京時間7月19日硅谷動力從國外媒體處獲悉：市場研究機構(gòu)iSuppli在內(nèi)存市場有增長跡象和貫穿2007年的內(nèi)存價格下滑結(jié)束的情況下，將近期DRAM內(nèi)存供應(yīng)商面臨市場條件等級由消極提升到中性，同時對NAND閃存的市場條件等級做了同樣的調(diào)整。

　　iSuppli在今年一月中旬把DRAM內(nèi)存市場的條件等級降為消極，當(dāng)時DRAM內(nèi)存市場正處在嚴重低迷的狀態(tài)，到六月底DRAM內(nèi)存的價格下滑超過了70%。但是，iSuppli預(yù)期市場在6月底將跌到底部，7月上半月隨著內(nèi)存原始制造商DRAM內(nèi)存價格的上漲，內(nèi)存市場的增長因素將在7月發(fā)生轉(zhuǎn)變。

　　iSuppli盡管已提升的市場條件等級，但表示仍需繼續(xù)關(guān)注存貨總量。分析師Kim表示DRAM內(nèi)存供應(yīng)商的存貨雖然有些許減少，但在現(xiàn)貨市場仍然偏多，而原始設(shè)備制造商據(jù)信持有三到四周銷量的存貨。一旦批發(fā)商和其他渠道分銷商為尋求利潤低價出售完手中存貨，市場增長的動力將減緩，因為大多數(shù)批發(fā)商和渠道分銷商是在一月前高于當(dāng)前價格水平時購買的存貨。

　　在看到DRAM內(nèi)存市場增長前景的同時，DRAM內(nèi)存供給三季度將少量增長，預(yù)期將低于一、二季度的增長。內(nèi)存廠商正放松DRAM內(nèi)存的生產(chǎn)，轉(zhuǎn)向利潤更高的NAND閃存生產(chǎn)，而臺灣的廠商正在經(jīng)歷向比80納米技術(shù)跟先進的技術(shù)過渡。NAND閃存的強勁價格對DRAM內(nèi)存市場來說時一個積極因素。

　　盡管NAND閃存的供應(yīng)商正在享受強勁的價格，iSuppli認為2季度的NAND閃存價格上漲主要是因為供給增長下降而不是需求增長，當(dāng)前的價格反彈持續(xù)時間不會太長，韓國的三星電子和海力士已經(jīng)在5月底6月初開始將DRAM內(nèi)存產(chǎn)能轉(zhuǎn)化為NAND閃存產(chǎn)能，在DRAM內(nèi)存供應(yīng)商的NAND閃存產(chǎn)量顯著提高時，8月份NAND閃存價格將繼續(xù)下跌。iSuppli相信NAND閃存市場仍然需要蘋果iPhone手機以外的需求推動，才能在今年下半年實行恢復(fù)。