SEMI：未來臺灣半導體產(chǎn)業(yè)可維持成長態(tài)勢

　　國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)表示，過去五年，臺灣半導體產(chǎn)業(yè)市占率不斷增加，不僅在晶圓代工和封裝測試市場的占有率有所提升，同時在全球半導體產(chǎn)業(yè)中先進技術(shù)的市場領域亦見成長。不僅如此，臺灣半導體廠商在尖端技術(shù)上的持續(xù)投資，也將為后續(xù)幾年進一步的發(fā)展而鋪路。

　　盡管世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)預測，2015和2016年全球半導體市場將各別小幅成長3.4%，但臺灣半導體產(chǎn)業(yè)卻能以高于全球兩倍的速度成長，其中在晶圓代工、DRAM和后段封裝測試廠商的貢獻下，將為臺灣半導體供應鏈帶來更強勁的漲幅。尤其是晶圓代工廠在增加新產(chǎn)能以及設備投資方面都將領先其他廠商。

　　晶圓代工廠未來兩年的主要投資項目為快速建立14/16奈米產(chǎn)能，以及導入10奈米和10奈米以下技術(shù)。在DRAM廠方面，短期內(nèi)或許不會增加太多新產(chǎn)能，其投資焦點為20奈米技術(shù)的導入，并且調(diào)整產(chǎn)品組合來配合行動市場。至于封裝測試廠商則是積極投資先進封裝技術(shù)，如：晶圓級封裝、銅柱凸塊(Copper Pillar Bump)、系統(tǒng)級封裝(SiP)以及行動與穿戴式應用所需的其他封裝技術(shù)。

　　2015和2016年，臺灣前段晶圓廠整體投資預計將達120億美元之規(guī)模。晶圓代工廠在技術(shù)和產(chǎn)能投資的帶動下，從2012年起每年的投資金額皆逾90億美元。至于DRAM產(chǎn)業(yè)，在價格環(huán)境有利與技術(shù)轉(zhuǎn)移需求的雙重因素下，2014年臺灣DRAM晶圓廠的支出開始復蘇，并預期將維持成長至2016年。

　　臺灣12寸(300mm)晶圓廠亦出現(xiàn)類似的趨勢。過去幾年，晶圓代工廠不斷增加新的產(chǎn)能，自2012至2016年的年復合成長率(CAGR)為8.8%。反觀記憶體市場，在過去幾年因2010年初期晶圓廠關閉與產(chǎn)品組合變化的關系而呈現(xiàn)微幅衰退。短期內(nèi)DRAM產(chǎn)能的下滑反映了技術(shù)轉(zhuǎn)移期間的產(chǎn)能損失。

　　SEMI臺灣區(qū)總裁曹世綸表示：“盡管半導體產(chǎn)業(yè)在2015年第二季因庫存調(diào)整與PC銷售量不佳而出現(xiàn)短期的修正，但我們認為整體產(chǎn)業(yè)在2015下半年應該會逐漸穩(wěn)定回溫。同樣的，臺灣在下半年也將看到類似的趨勢。在行動晶片市場高滲透率與大量出貨量的情況下，臺灣也將感受到行動化時代的成長動能。在制造規(guī)模與科技成熟的有利條件下，臺灣早已準備迎接未來IoT時代的來臨。”