新聞中心

EEPW首頁(yè) > 嵌入式系統(tǒng) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 高通訂單喊卡 臺(tái)積電20nm減產(chǎn)二成

高通訂單喊卡 臺(tái)積電20nm減產(chǎn)二成

作者: 時(shí)間:2015-01-14 來(lái)源:自由時(shí)報(bào) 收藏

  市場(chǎng)傳出,韓國(guó)三星的14奈米FinFET制程良率近期已有明顯改善,引發(fā)(2330)大客戶(hù)手機(jī)晶片龍頭廠(Qualcomm)在試產(chǎn)16奈米FinFET制程喊卡,加上高階S810晶片傳聞?dòng)羞^(guò)熱問(wèn)題,3月上市時(shí)間延宕,市場(chǎng)預(yù)期將沖擊南科廠先進(jìn)制程產(chǎn)能利用率與整體營(yíng)運(yùn)。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/268107.htm

  臺(tái)積電預(yù)計(jì)本周四舉行法說(shuō)會(huì),屆時(shí)將會(huì)針對(duì)市場(chǎng)傳聞與營(yíng)運(yùn)展望提出說(shuō)明。不過(guò),上周已有外資法人認(rèn)為臺(tái)積電今年面臨競(jìng)爭(zhēng)恐將加劇,獲利成長(zhǎng)可能趨緩,率先調(diào)降投資評(píng)等,引發(fā)外資連續(xù)多個(gè)交易日賣(mài)超,不過(guò),昨日外資賣(mài)超已縮小為8000多張,股價(jià)小漲0.5元,以132.5元作收 。

  去年7月中旬,臺(tái)積電因先量產(chǎn)20奈米制程,16奈米FinFET制程量產(chǎn)時(shí)程較競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星晚,導(dǎo)致大客戶(hù)轉(zhuǎn)向三星投產(chǎn),臺(tái)積電也坦承今年在此一制程市占率會(huì)較低,預(yù)期隨著今年下半年產(chǎn)能開(kāi)出后,明年將搶回市占率。

  臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家在去年10月法說(shuō)會(huì)更指出,16奈米FinFET制程試產(chǎn)進(jìn)度超過(guò)預(yù)期且順利,將提早到今年第二季導(dǎo)入量產(chǎn),第三季投片量放大并開(kāi)始貢獻(xiàn)營(yíng)收,第四季挹注營(yíng)收會(huì)很顯著,此制程生產(chǎn)效能超過(guò)臺(tái)積電歷代制程,貢獻(xiàn)營(yíng)運(yùn)的成長(zhǎng)斜度也會(huì)比20奈米制程更大。

  不過(guò),市場(chǎng)傳出,韓國(guó)三星的14奈米FinFET制程良率近期明顯改善,加上價(jià)格策略搶單搶得兇,吸引高通全面轉(zhuǎn)向三星投產(chǎn),原在臺(tái)積電試產(chǎn)16奈米FinFET制程則喊卡;高通高階S810晶片傳聞?dòng)羞^(guò)熱問(wèn)題,3月上市時(shí)間延宕,蘋(píng)果iPhone 6拉貨旺季又已過(guò),臺(tái)積電先進(jìn)制程主力廠南科14廠產(chǎn)能利用率恐受沖擊,傳出決定先行暫時(shí)停產(chǎn)20奈米2成產(chǎn)能,這可能影響臺(tái)積電第一季營(yíng)運(yùn)下滑幅度比預(yù)期高。



關(guān)鍵詞: 高通 臺(tái)積電 20nm

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專(zhuān)區(qū)

關(guān)閉