網(wǎng)傳中芯國(guó)際5nm工藝良率超60%，各路消息撲朔迷離

眾所周知，我國(guó)芯片業(yè)面臨美國(guó)強(qiáng)力制裁，無(wú)法取得生產(chǎn)先進(jìn)制程所需的 EUV 設(shè)備，只能通過(guò)不斷改良的 DUV 設(shè)備提升制程能力。近日，網(wǎng)絡(luò)上傳出大量信息：國(guó)產(chǎn)5nm迎來(lái)歷史性突破，不僅實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，而且良率從早期的35%大幅提升至60%-70%，接近臺(tái)積電初期的SF3良率水平。

根據(jù)微博爆料者“定焦數(shù)碼”表示，中芯國(guó)際5納米制程的良率已提升至60%-70%，他還進(jìn)一步指出，中芯國(guó)際5納米良率與三星電子3納米GAA制程相當(dāng)。后者已被用于生產(chǎn)Galaxy Z Flip 7搭載的Exynos 2500芯片。但X賬號(hào)Jukanlosreve也表達(dá)了對(duì)此傳言的強(qiáng)烈質(zhì)疑，據(jù)其之前透露，中芯國(guó)際計(jì)劃在2025年前完成5納米芯片開發(fā)，但由于采用深紫外光（DUV）微影設(shè)備而非極紫外光（EUV）設(shè)備，預(yù)計(jì)成本將增加50%。如果Jukanlosreve所言非虛，那么他的質(zhì)疑也并不是沒(méi)有道理。

據(jù)傳，這一突破背后，是工程師們?cè)跊](méi)有 EUV 光刻機(jī)的情況下，他們選擇了 DUV 設(shè)備，這是一種相對(duì)成熟且成本較低的光刻技術(shù)。但 DUV 設(shè)備的分辨率有限，難以直接滿足先進(jìn)制程的要求。為了解決這一問(wèn)題，工程師們采用了四重圖案化技術(shù)（SAQP）。這種技術(shù)的核心在于通過(guò)多次曝光和復(fù)雜的工藝步驟，逐步細(xì)化芯片上的線條和圖案。

目前市面上并未看到實(shí)際使用中芯 5 納米的產(chǎn)品，最新麒麟 X90 芯片是采用 7 納米制程，在商用技術(shù)至少 70%良率的推測(cè)下，中芯 5 納米很難達(dá)到該水平。

   但是，如果傳言為真，這無(wú)疑對(duì)我國(guó)所有芯片相關(guān)廠商來(lái)說(shuō)都是一次重大的利好。還有小道消息表示，華為即將推出的Mate 80系列將采用網(wǎng)傳的國(guó)產(chǎn)5nm工藝制造的麒麟9030 SoC，就讓我們拭目以待。

目前，全球都在關(guān)注我國(guó)的芯片業(yè)的技術(shù)能力，也有外媒傳出大陸正在測(cè)試自行研發(fā)的 EUV 設(shè)備，預(yù)計(jì)今年第三季開始試產(chǎn)，實(shí)際應(yīng)用狀況受到市場(chǎng)高度關(guān)注，若效果不錯(cuò)，目前全球最大半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商 ASML 將面臨前所未有的挑戰(zhàn)。

如果我國(guó)完成自行生產(chǎn) EUV 設(shè)備，就代表我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破技術(shù)瓶頸，有機(jī)會(huì)持續(xù)推進(jìn)先進(jìn)制程技術(shù)，甚至挑戰(zhàn)英特爾、三星或臺(tái)積電。這就代表著，美國(guó)特朗普政府想要想要對(duì)我國(guó)進(jìn)行“科技圍堵”政策的徹底破產(chǎn)。