英特爾18A節(jié)點SRAM密度與臺積電持平 背面功率傳輸是一大優(yōu)勢

英特爾在國際固態(tài)電路會議 (ISSCC) 上公布了半導體制造領域的一些有趣進展，展示了備受期待的英特爾 18A 工藝技術的功能。演示重點介紹了 SRAM 位單元密度的顯著改進。PowerVia 系統(tǒng)與 RibbonFET (GAA) 晶體管相結合，是英特爾節(jié)點的核心。

該公司展示了其高性能 SRAM 單元的堅實進展，實現(xiàn)了從英特爾 3 的 0.03 μm2 減小到英特爾 18A 的 0.023 μm2。高密度單元也顯示出類似的改進，縮小到 0.021 μm2。這些進步分別代表了 0.77 和 0.88 的縮放因子，這是 SRAM 技術的重大成就，曾被認為是通過縮放優(yōu)勢實現(xiàn)的。

實施 PowerVia 技術是英特爾解決處理器邏輯區(qū)域電壓下降和干擾的首選方法。英特爾采用“環(huán)繞陣列”方案，戰(zhàn)略性地將 PowerVias 應用于 I/O、控制和解碼器元件，同時優(yōu)化了無正面電源的位單元設計。

英特爾 18A 實現(xiàn)的 38.1 MBit/mm2 宏位密度使該公司處于強大的競爭地位。雖然臺積電報告的數(shù)字與 N2 工藝相當，但英特爾采用 18A 的綜合方案（結合 PowerVia 和 GAA 晶體管）可能會挑戰(zhàn)三星和臺積電，其長期目標是爭奪臺積電目前服務的優(yōu)質客戶，包括 NVIDIA、Apple 和 AMD 等巨頭。