英特爾18A節(jié)點(diǎn)SRAM密度與臺(tái)積電持平 背面功率傳輸是一大優(yōu)勢(shì)

英特爾在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 (ISSCC) 上公布了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一些有趣進(jìn)展，展示了備受期待的英特爾 18A 工藝技術(shù)的功能。演示重點(diǎn)介紹了 SRAM 位單元密度的顯著改進(jìn)。PowerVia 系統(tǒng)與 RibbonFET (GAA) 晶體管相結(jié)合，是英特爾節(jié)點(diǎn)的核心。

該公司展示了其高性能 SRAM 單元的堅(jiān)實(shí)進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)了從英特爾 3 的 0.03 μm2 減小到英特爾 18A 的 0.023 μm2。高密度單元也顯示出類似的改進(jìn)，縮小到 0.021 μm2。這些進(jìn)步分別代表了 0.77 和 0.88 的縮放因子，這是 SRAM 技術(shù)的重大成就，曾被認(rèn)為是通過(guò)縮放優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)的。

實(shí)施 PowerVia 技術(shù)是英特爾解決處理器邏輯區(qū)域電壓下降和干擾的首選方法。英特爾采用“環(huán)繞陣列”方案，戰(zhàn)略性地將 PowerVias 應(yīng)用于 I/O、控制和解碼器元件，同時(shí)優(yōu)化了無(wú)正面電源的位單元設(shè)計(jì)。

英特爾 18A 實(shí)現(xiàn)的 38.1 MBit/mm2 宏位密度使該公司處于強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)地位。雖然臺(tái)積電報(bào)告的數(shù)字與 N2 工藝相當(dāng)，但英特爾采用 18A 的綜合方案（結(jié)合 PowerVia 和 GAA 晶體管）可能會(huì)挑戰(zhàn)三星和臺(tái)積電，其長(zhǎng)期目標(biāo)是爭(zhēng)奪臺(tái)積電目前服務(wù)的優(yōu)質(zhì)客戶，包括 NVIDIA、Apple 和 AMD 等巨頭。