英偉達(dá)x臺(tái)積電 首秀硅光子原型

英偉達(dá)日前在美國舉行的全球領(lǐng)先半導(dǎo)體會(huì)議IEDM 2024上，首度展示與臺(tái)積電合作開發(fā)的硅光子原型，并預(yù)測(cè)硅光子技術(shù)，將有助于AI數(shù)據(jù)中心內(nèi)芯片到芯片連接，加快數(shù)據(jù)傳輸數(shù)百倍。

英偉達(dá)此一突破性的宣言，代表硅光子組件即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。

根據(jù)外電指出，英偉達(dá)在IEDM 2024上，首次對(duì)外說明與臺(tái)積電在硅光子技術(shù)合作上的突破，臺(tái)積電提出的技術(shù)核心理念，是創(chuàng)建兩個(gè)先進(jìn)的裝置，并使用SoIC的方法，將它們組合起來，就好像是單個(gè)芯片一樣。

一位業(yè)內(nèi)人士評(píng)論了這項(xiàng)技術(shù)的重要性，英偉達(dá)及臺(tái)積電合作開發(fā)的硅光子原型，將比現(xiàn)有數(shù)據(jù)通過銅等金屬傳輸?shù)姆椒鞌?shù)百倍。這種速度優(yōu)勢(shì)，對(duì)于人工智能數(shù)據(jù)中心等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用至關(guān)重要。

光通訊產(chǎn)業(yè)界人士指出，最令人驚異的是，英偉達(dá)和臺(tái)積電硅光子原型，每一個(gè)組件都已發(fā)展完成，尤其是最困難的光環(huán)形調(diào)制器，臺(tái)積電也以3奈米制程予以突破，使其量產(chǎn)完全可行。

另據(jù)了解，英偉達(dá)和臺(tái)積電硅光子量產(chǎn)時(shí)程也已排定，預(yù)計(jì)1.6T產(chǎn)品將于2025年先行推出。

英偉達(dá)與臺(tái)積電在硅光子領(lǐng)域的合作，凸顯了頂級(jí)代工廠和無晶圓廠公司之間的強(qiáng)大聯(lián)盟。除了英偉達(dá)外，博通和Marvell也對(duì)硅光子深感興趣，并且同樣是委托臺(tái)積電代工。

在先進(jìn)制程相對(duì)落后的三星電子半導(dǎo)體（DS）部門，日前也一樣推出硅光子架構(gòu)，并已將其硅光子制程命名為“I-CubeSo”和“I-CubeEo”，正在積極開發(fā)產(chǎn)品。

業(yè)者指出，三星的硅光子細(xì)部內(nèi)容迄今并未揭露，三星電子半導(dǎo)體研究所正在與其客戶快速推進(jìn)硅光子的研發(fā)進(jìn)度；由于硅光子技術(shù)領(lǐng)先的英特爾，受到財(cái)務(wù)拖累，研發(fā)進(jìn)度步履蹣跚，三星可能也搶進(jìn)開拓硅光子市場(chǎng)，但以目前進(jìn)度來看，仍相對(duì)落后臺(tái)積電。