年中已過，存儲芯片Q3漲勢如何？

在這半年的時間里，存儲芯片市場經(jīng)歷了多次價格波動。從年初的平穩(wěn)開局，到隨后的快速上漲，再到近期的波動調(diào)整，每一次價格變動都牽動著業(yè)界的神經(jīng)。那么，這半年來存儲芯片究竟?jié)q價幾何呢？

機(jī)構(gòu)預(yù)測和各原廠的漲價計劃

根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2024 年第一季度，DRAM 芯片合約價格上漲多達(dá) 20%，NAND 閃存則是上漲多達(dá) 23%—28%。

近日，TrendForce 還對第二季度存儲產(chǎn)品價格作了最新預(yù)測，TrendForce 表示存儲芯片價格或?qū)⒊掷m(xù)上漲，第二季度 DRAM 合約價季漲幅將上修至 13~18%；NAND Flash 合約價季漲幅同步上修至約 15~20%，延續(xù)了第一季度的強(qiáng)勁勢頭。

與此同時，各大原廠也在今年不斷調(diào)整其價格策略。

今年年初，《中國臺灣電子時報》報道，三星、美光兩家存儲芯片大廠計劃將 2024 年一季度的 DRAM 芯片價格調(diào)漲 15%-20%。NAND 產(chǎn)品的價格在一季度也幾番動蕩，據(jù)悉，三星為恢復(fù)其存儲芯片業(yè)務(wù)的盈利能力，計劃將 NAND 閃存芯片價格提高至多 20%。根據(jù)美光此前公布的截至 2024 年 2 月 29 日的 2024 財年第二財季報告顯示，該季度其 NAND Flash 的平均價格漲幅超過了 30%。

近日，供應(yīng)鏈消息稱，SK 海力士將對旗下 LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5 等產(chǎn)品提價，漲幅均有 15%-20%。據(jù)悉，海力士 DRAM 產(chǎn)品價格從去年第四季度開始逐月上調(diào)，目前已累計上漲約 60%-100% 不等，下半年漲幅將趨緩。

今年 4 月，西部數(shù)據(jù)也向供應(yīng)商發(fā)布了漲價通知函，宣布將在本季度繼續(xù)對 NAND Flash 和 HDD 產(chǎn)品進(jìn)行漲價。值得注意的是，去年 12 月，西部數(shù)據(jù)就曾對客戶發(fā)出了漲價通知函，強(qiáng)調(diào)未來幾個季度 NAND Flash 產(chǎn)品的價格將采取周期性調(diào)漲方式，預(yù)期累計將上漲 55%。西部數(shù)據(jù)還指出，公司 HDD 產(chǎn)品會也每周審查定價，預(yù)計 2024 年上半年價格會上漲。
鎧俠近日發(fā)布的第一季度業(yè)績報告顯示，2024 年一季度 NAND Flash 售價（以日元計算）較 2023 自然年四季度上漲了 15-19%、為連續(xù)第三季呈現(xiàn)上漲。如果以美元計算的售價，環(huán)比增長 20% 左右。NAND Flash 出貨量則環(huán)比增長 5-9%。
接下來看看各類存儲產(chǎn)品在市場中的具體表現(xiàn)。

各類存儲產(chǎn)品的漲價情況

隨著市場需求的增長和供應(yīng)緊張的持續(xù)，存儲晶圓端的漲價品類正逐步增加，這種價格壓力已經(jīng)開始逐漸傳導(dǎo)至成品端，對最終產(chǎn)品成本產(chǎn)生影響。

根據(jù) CFM 數(shù)據(jù)顯示，截至目前，大部分客戶第二季度合約價格已經(jīng)陸續(xù)落地。

其中，服務(wù)器市場受益于 AI 投資熱潮，帶動 HBM、DDR5 需求激增?；ヂ?lián)網(wǎng)廠商積極回補(bǔ)庫存，對價格接受度相對較高。

企業(yè)級 NAND 方面，新制程產(chǎn)品仍在導(dǎo)入驗證過程中，由于企業(yè)級產(chǎn)品驗證周期較長，加上新制程工藝也需時間進(jìn)行產(chǎn)能爬坡，預(yù)計到 Q4 甚至明年才能完全導(dǎo)入完成。因此，整體處于供不應(yīng)求態(tài)勢，終端客戶對漲價也有預(yù)期，二季度漲幅達(dá)到 25%-30%，至 0.12 美元/GB。

服務(wù)器 DRAM 方面，從 DDR4 向 DDR5 切換是大勢所趨，DDR4 產(chǎn)能釋出必定逐漸減少。受益于來自 AI 服務(wù)器的新增需求，原廠正積極推動 DDR5 產(chǎn)能快速爬坡，擴(kuò)大 32Gb DDR5 高容量顆粒供應(yīng)，結(jié)合支持 DDR5 的新型處理器平臺產(chǎn)能正在爬坡，在服務(wù)器端整體技術(shù)迭代和產(chǎn)品升級的趨勢下，下半年 DDR5 服務(wù)器端滲透率有望超過 50%。整體來看，二季度服務(wù)器 DRAM 漲幅有望達(dá)到 10%-20%。

相較之下以 PC、智能手機(jī)為代表的消費(fèi)類市場，面對銷量增長瓶頸與零部件成本壓力，對價格敏感度極高。嵌入式 UFS 合約價環(huán)比上漲 5%-10% 至 0.070-0.075USD/GB；LPDDR4X 合約價環(huán)比上漲 3%-8% 至 0.27-0.28USD/Gb；LPDDR5X 合約價環(huán)比漲幅為 0-3% 至 0.29-0.30USD/Gb。

PC 應(yīng)用方面，在原廠產(chǎn)能調(diào)動及強(qiáng)勢拉漲之下，頭部 PC 終端尚可接受 PCSSD10%-15% 的漲幅，PCDRAM 漲幅約 10%，NANDASP 主要落在 0.065-0.070USD/GB 之間。

可以看到，從價格漲幅看，消費(fèi)類應(yīng)用明顯低于企業(yè)級。今年服務(wù)器市場復(fù)蘇勢頭明確，尤其在 AI 服務(wù)器的帶動下，高容量 eSSD 和 DDR5 備貨需求增加，服務(wù)器端存儲價格領(lǐng)漲。然而在消費(fèi)類應(yīng)用，智能手機(jī)與 PC 廠商普遍有一定庫存水位，價格持續(xù)上揚(yáng)使得拉貨積極性顯著下降。

體現(xiàn)到價格上，下表列出了幾種主要存儲產(chǎn)品在過去一年的產(chǎn)品漲價幅度：

價格上漲的兩大驅(qū)動因素

存儲市場的價格持續(xù)上漲主要來源于供、需兩方面。

首先，從供應(yīng)端來看，2023 年上半年存儲行業(yè)整體處于下行區(qū)間，三星、SK 海力士、美光、西部數(shù)據(jù)和鎧俠等廠商紛紛宣布減少產(chǎn)能，廠商降低關(guān)于存儲業(yè)務(wù)的資本性支出。各大廠商不約而同的減產(chǎn)計劃促使存儲周期提前，在存儲需求不斷擴(kuò)大的前提下，存儲芯片的價格得以上升，提前進(jìn)入復(fù)蘇周期。

其次，從需求端來看，經(jīng)歷了去年終端市場需求持續(xù)疲軟后，消費(fèi)電子市場在 2024 年迎來逐步復(fù)蘇，存儲器價格也開始呈現(xiàn)上升態(tài)勢。此外，AI 手機(jī)、AI PC 的火熱也給存儲產(chǎn)品帶來一定拉動作用。

中國閃存市場總經(jīng)理邰煒指出，2024 年的手機(jī)平均容量將超過 200GB，內(nèi)存也朝更高性能的 LPDDR5x 演進(jìn)，今年手機(jī) DRAM 的平均容量在 7GB 以上。觀察市場現(xiàn)有 AI 手機(jī)的存儲容量，vivoX90 系列的內(nèi)存為 8GB、12GB，閃存最高為 512GB，X100 系列的內(nèi)存提升至 12GB、16GB，閃存最高為 1TB；OPPOFindX7 系列和 OPPOFindX6 系列的內(nèi)存均為 12GB、16GB 兩種規(guī)格，但前者的閃存最高達(dá) 1TB，后者閃存最高為 512GB；三星 GalaxyS23 系列內(nèi)存為 8GB，三星 GalaxyS24 系列內(nèi)存有 8GB、12GB 兩個規(guī)格。從整體來看，無論是內(nèi)存還是閃存，AI 手機(jī)的存儲容量都在加大。

AI 也是個人 PC 市場的新引擎，AI PC 嵌入了 AI 芯片且支持本地化 AI 模型，需要更快的數(shù)據(jù)傳輸速度、更大的存儲容量和帶寬，32GLPDDR5x 和 1TBPCIe4.0SSD 將迎來較好的應(yīng)用。目前，英特爾、微軟、華為、聯(lián)想、戴爾、華碩等廠商已發(fā)布 AI PC 產(chǎn)品。但 AI 行業(yè)的分析師認(rèn)為，市面上個別廠商的 AI PC 產(chǎn)品有噱頭屬性，因為 PC 的 AI 功能還處于初級階段，「需要出現(xiàn)一款爆火的顛覆性應(yīng)用，才會大幅推動 AIPC 的銷量?！?/span>

Q3 價格或?qū)⒃贊q？

大摩最新研究報告調(diào)升了今年 Q3 的 DRAM 和 NAND 芯片價格漲幅預(yù)期，由原預(yù)期 8% 和 10% 上調(diào)至 13% 和 20%。在此情況下，市場對于存儲產(chǎn)業(yè)的期待進(jìn)一步拉升。

Q3 本就是存儲市場的傳統(tǒng)旺季，因為即將迎來中國大陸國慶假期，以及雙 11、雙 12 等購物活動，歐美感恩節(jié)、圣誕節(jié)等也將接踵而至，大部分市場商家均有備貨和補(bǔ)貨需求。

存儲芯片產(chǎn)業(yè)界近日傳來消息，通用型 DRAM 內(nèi)存芯片可能面臨供應(yīng)短缺的局面。隨著業(yè)界對高帶寬存儲（HBM）這類 DRAM 的大力投資，通用型 DRAM 的產(chǎn)能利用率相對較低，三星和 SK 海力士的產(chǎn)能利用率僅在 80% 到 90% 之間，與 NAND 閃存的全速生產(chǎn)形成鮮明對比。

與 HBM DRAM 相比，通用型 DRAM 指的是用于手機(jī)、PC 的內(nèi)存芯片，這一供應(yīng)短缺的信號可能預(yù)示著 DRAM 內(nèi)存芯片的價格上漲。

三星也計劃 Q3 繼續(xù)提高存儲產(chǎn)品定價預(yù)計漲幅 10% 至 15%。

美光科技在其最新發(fā)布的 2024 財年第三財季 (3-5 月) 業(yè)績報告中，預(yù)測 2024 年全年價格將繼續(xù)上漲。本季度，美光 DRAM 收入 47 億美元，占總收入 69%，環(huán)比增長 13%。DRAM Bit 出貨量環(huán)比下降中個位數(shù)百分比，DRAM ASP 環(huán)比增長約 20%。NAND 收入 21 億美元，占總收入 30%，環(huán)比增長 32%。NAND Bit 出貨量環(huán)比增長高個位數(shù)百分比，NAND ASP 環(huán)比增長約 20%。

不過，在存儲下游的消費(fèi)電子等產(chǎn)業(yè)需求并未完全回暖的情況下，這輪漲價并非利好所有產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)。據(jù)悉，部分細(xì)分領(lǐng)域存在需求端因不堪上游漲價而下降采購量的情況。從上表中的最新終端產(chǎn)品報價也可以看到，5 月之后，SDD、內(nèi)存條等產(chǎn)品售價存在明顯下降趨勢。

因此業(yè)界也有一些不同的聲音，他們預(yù)測下半年的存儲產(chǎn)品市場增長勢頭將趨于平緩。

北京君正在 5 月底調(diào)研時表示，去年存儲芯片的毛利率 36.48%，今年一季度也在 36% 以上，存儲芯片毛利率較為穩(wěn)定。消費(fèi)類存儲芯片最近價格上漲較多，這主要是由于去年消費(fèi)類存儲芯片降價幅度大，基本到了極限了，所以大廠通過限產(chǎn)等策略對產(chǎn)品價格進(jìn)行保護(hù)。我們主要面向行業(yè)市場，存儲芯片價格一直不算低，預(yù)計價格增長的可能性比較小，未來主要的增長還是來自量的增加。

慧榮科技 CAS 業(yè)務(wù)群資深副總段喜亭在今年 3 月下旬曾表示閃存的漲勢在今年下半年會稍微平緩，然后整體漲勢可能持續(xù)到明年第一季度-第二季度。而影響內(nèi)存的變數(shù)比較多，預(yù)計今年下半年漲勢可能放緩，主要看 AI 移到終端的速度是否夠快。

國產(chǎn)廠商迎來業(yè)績拐點

據(jù)統(tǒng)計，萬得存儲器指數(shù) 25 只成分股 2023 年合計實現(xiàn)營收 1456.53 億元，同比下降 6.52 個百分點；合計實現(xiàn)歸母凈利潤 14.43 億元，僅為 2022 年的 20.40%。今年一季度，25 只成分股合計實現(xiàn)營收 342.02 億元，同比增長 8.17%，合計實現(xiàn)歸母凈利潤 18.09 億元，同比增長 127.26%。

在行業(yè)景氣度快速恢復(fù)過程中，很多國產(chǎn)公司的業(yè)績情況也得到了明顯改善。據(jù)一季報數(shù)據(jù)，存儲器指數(shù) 25 只成分股中，有 16 家公司今年一季度實現(xiàn)營收同比增長，實現(xiàn) 70% 以上增長的公司有 9 家，其中，佰維存儲營收增長高達(dá) 305.80%。

歸母凈利潤方面，一季度實現(xiàn) 100% 增長的公司有 12 家，分別為瀾起科技、德明利、普冉股份、協(xié)創(chuàng)數(shù)據(jù)、江波龍、佰維存儲、興森科技、中電興發(fā)、全志科技、萬潤科技、華天科技、聚辰股份等。其中瀾起科技以歸母凈利潤同比增長 1032.86% 位居板塊第一，而江波龍以實現(xiàn) 3.84 億元歸母凈利潤成為板塊內(nèi)最能賺錢的公司。

與業(yè)績表現(xiàn)相對應(yīng)的是，部分公司銷售毛利率和銷售凈利率也得到了一定幅度的增長。銷售毛利率方面，代表性公司江波龍今年一季度銷售毛利率為 24.39%，同比增加 23.12 個百分點，環(huán)比增加 5.88 個百分點，相比 2023 年報數(shù)值增加了 16.2 個百分點。此外，同有科技、佰維存儲、德明利、上海新陽等公司一季度銷售毛利率，無論是同比還是環(huán)比，也均有不錯的提升。

經(jīng)歷一輪波動劇烈的存儲行業(yè)下行周期后，產(chǎn)業(yè)鏈廠商正在為下一個高成長階段蓄力，國產(chǎn)廠商更為如此。

根據(jù)摩根士丹利的最新報告，全球內(nèi)存市場在 2025 年將迎來一次前所未有的供需失衡，2025 年 HBM 的供應(yīng)不足率將達(dá)到 11%，而整個 DRAM 市場的供應(yīng)不足率將高達(dá) 23%。這意味著，2025 年全球存儲芯片，尤其是 HBM、服務(wù)器 DRAM 和超高密度 QLC 固態(tài)硬盤價格預(yù)計將大幅上漲。

因此，對于那些已經(jīng)在行業(yè)中展現(xiàn)出強(qiáng)勁競爭力和良好業(yè)績的國產(chǎn)公司來說，這無疑是一個重要的機(jī)遇。他們有望借助這一市場趨勢，進(jìn)一步擴(kuò)大市場份額，實現(xiàn)更快速的發(fā)展。