存儲芯片 文章 進(jìn)入存儲芯片技術(shù)社區(qū)
SK 海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬片
- 12 月 20 日消息,據(jù) TheElec 報道,韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單,但具體額度未知。消息人士稱,博通計劃從 SK 海力士采購存儲芯片,并將其應(yīng)用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預(yù)計將在明年下半年供應(yīng)該芯片。由于需要同時向英偉達(dá)和博通供應(yīng) HBM,SK 海力士肯定會調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預(yù)測。這家公司計劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產(chǎn)能擴(kuò)大到 14~15 萬片(IT之家注:單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
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美國商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金,用于在該國生產(chǎn)芯片
- 12 月 11 日消息,美國商務(wù)部周二表示,作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分,美光科技已獲得高達(dá) 61.65 億美元(當(dāng)前約 448.07 億元人民幣)的撥款,用于在美國制造半導(dǎo)體。該機(jī)構(gòu)表示,這筆資金將支持美光的“二十年愿景”,即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達(dá)荷州投資 250 億美元用于新工廠,并創(chuàng)造約 20,000 個新工作崗位。美國商務(wù)部還表示,美光將根據(jù)某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外,美國商務(wù)部還宣布已與美光科技達(dá)成初步協(xié)議,將額外提供 2.75 億美元資金,用于擴(kuò)建
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存儲芯片行業(yè)多點(diǎn)開花,復(fù)蘇腳步提速!
- 近日,存儲市場多點(diǎn)開花,喜報頻傳。鎧俠正式開啟首次公開募股,計劃10月上市;行業(yè)消息顯示西部數(shù)據(jù)已開始剝離NAND和SSD業(yè)務(wù);SK海力士子公司Solidigm二季度首度實(shí)現(xiàn)盈利,并積極推進(jìn)IPO進(jìn)度;此外據(jù)行業(yè)消息,繼臺積電以后,存儲大廠美光計劃買下友達(dá)兩座大廠以擴(kuò)產(chǎn)HBM產(chǎn)能;另外佰維存儲、兆易創(chuàng)新等多家存儲企業(yè)紛紛披露最新財報。01鎧俠正式開啟首次公開募股,計劃10月上市據(jù)日媒報道,得益于人工智能(AI)市場對半導(dǎo)體需求的不斷飆升,日本存儲大廠鎧俠已于8月23日向東京證券交易所提交了上市申請,目標(biāo)在
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年中已過,存儲芯片Q3漲勢如何?
- 在這半年的時間里,存儲芯片市場經(jīng)歷了多次價格波動。從年初的平穩(wěn)開局,到隨后的快速上漲,再到近期的波動調(diào)整,每一次價格變動都牽動著業(yè)界的神經(jīng)。那么,這半年來存儲芯片究竟?jié)q價幾何呢?機(jī)構(gòu)預(yù)測和各原廠的漲價計劃根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,2024 年第一季度,DRAM 芯片合約價格上漲多達(dá) 20%,NAND 閃存則是上漲多達(dá) 23%—28%。近日,TrendForce 還對第二季度存儲產(chǎn)品價格作了最新預(yù)測,TrendForce 表示存儲芯片價格或?qū)⒊掷m(xù)上漲,第二季度 DRAM 合約價季漲幅將上修至 13~18%;NA
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韓國半導(dǎo)體出口創(chuàng)新高,存儲芯片同比大增88.7%
- 據(jù)韓聯(lián)社報道,韓國科技信息通信部7月15日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,今年上半年韓國信息通信技術(shù)(ICT)產(chǎn)業(yè)出口額同比增長28.2%,達(dá)1088.5億美元,創(chuàng)下歷年同期第二高紀(jì)錄。在AI人工智能、IT信息技術(shù)和通信設(shè)備市場需求支撐下,韓國主力出口產(chǎn)品之一的半導(dǎo)體出口額同比猛增49.9%,達(dá)658.3億美元。從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)細(xì)分領(lǐng)域來看,由于高帶寬存儲器(HBM)等產(chǎn)品出口增加,上半年韓國存儲芯片出口增勢迅猛,同比驟增88.7%。此外,得益于服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心投資增加以及個人電腦等設(shè)備需求增加,計算機(jī)和周邊設(shè)備出口同比增長
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華邦電子亮相慕展 以創(chuàng)新驅(qū)動存儲芯片技術(shù)
- 在2024年慕尼黑上海電子展的璀璨舞臺上,華邦電子以其卓越的產(chǎn)品、領(lǐng)先的技術(shù)和廣泛的應(yīng)用解決方案吸引了眾多業(yè)界目光。作為存儲芯片領(lǐng)域的佼佼者,華邦電子不僅展示了其在DRAM、閃存及安全閃存等方面的最新成果,還帶來了極具性價比和差異化價值的存儲產(chǎn)品CUBE,以滿足邊緣 AI不斷增長的需求。本次采訪,我們有幸邀請到了華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪先生,深入探討了華邦電子的產(chǎn)品、技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域的最新動態(tài)。“大家好,我是華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪?!痹谀侥岷谏虾k娮诱沟娜A邦電子展臺E4館-4110,朱迪先生以飽滿的熱情開啟了本次
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎爆發(fā)新風(fēng)口,存儲芯片廠商重金“下注”
- 自ChatGPT發(fā)布以來,人工智能AI迅速席卷全球,引發(fā)了新一輪的科技革命。與此同時,隨著HBM市場需求持續(xù)火爆,以SK海力士、三星、美光等為代表的半導(dǎo)體存儲芯片廠商亦抓住機(jī)會轉(zhuǎn)變賽道,開啟了新一輪的市場爭奪戰(zhàn)。投資約748億美元存儲芯片廠商SK海力士押注AI近日,據(jù)彭博社及路透社等外媒報道,半導(dǎo)體存儲芯片廠商SK海力士計劃投資103萬億韓元(約748億美元)發(fā)展芯片業(yè)務(wù),重點(diǎn)關(guān)注人工智能和半導(dǎo)體領(lǐng)域。報道稱,韓國SK集團(tuán)上周日在一份申明中表示,旗下存儲芯片廠商SK海力士計劃在2028年前投資103萬億韓
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我國科學(xué)家技術(shù)突破 存儲芯片無限次擦寫引圍觀:TLC、QLC買誰 恐不再糾結(jié)
- 7月1日消息,據(jù)國內(nèi)媒體報道稱,四川科學(xué)家借力AI 開發(fā)出"耐疲勞鐵電材料",讓存儲芯片無限次擦寫。報道中提到,電子科技大學(xué)光電科學(xué)與工程學(xué)院劉富才教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合復(fù)旦大學(xué)、中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所在國際知名學(xué)術(shù)期刊《Science》上發(fā)表最新研究成果,開發(fā)出"耐疲勞鐵電材料",在全球范圍內(nèi)率先攻克困擾領(lǐng)域內(nèi)70多年的鐵電材料疲勞問題。鐵電材料在經(jīng)歷反復(fù)極化切換后,極化只能實(shí)現(xiàn)部分翻轉(zhuǎn),導(dǎo)致鐵電材料失效,即鐵電疲勞。這一問題早在1953年就已被研究者發(fā)現(xiàn)報道,
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美光愛達(dá)荷與紐約晶圓廠預(yù)計分別于2027、2028年投產(chǎn)
- 日前,美光(Micron)舉行2024年Q3財報電話會議。美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在報告中提到,其位于愛達(dá)荷州博伊西的晶圓廠預(yù)計將于2027財年投入運(yùn)營,而紐約州的克萊晶圓廠則預(yù)計將在2028財年或之后開始生產(chǎn)。2022年,美光曾宣布擬于未來20年投資1000億美元,在紐約州克萊建設(shè)大型晶圓廠項(xiàng)目。其中包含2座晶圓廠的首階段項(xiàng)目將耗資200億美元,定于2029年投運(yùn)。此外,美光還計劃未來在紐約州克萊再建設(shè)兩座晶圓廠,目標(biāo)2041年投運(yùn)。同年,美光還宣布計劃在10年內(nèi)投資150億美
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西部數(shù)據(jù):NAND Flash及機(jī)械硬盤全面漲價
- 西部數(shù)據(jù)4月8日首次確認(rèn)機(jī)械硬盤(HDD)和固態(tài)硬盤(SSD)均出現(xiàn)供應(yīng)短缺,并發(fā)出正式客戶信函,通知NAND閃存和硬盤產(chǎn)品正在進(jìn)行價格調(diào)整。西部數(shù)據(jù)表示,閃存和硬盤產(chǎn)品的需求均超出預(yù)期,導(dǎo)致供應(yīng)緊張。本季度將繼續(xù)調(diào)整閃存和硬盤產(chǎn)品的價格,部分調(diào)整將立即生效。西部數(shù)據(jù)坦言,后續(xù)會根據(jù)市場變動更為頻繁地調(diào)整產(chǎn)品售價。不僅如此,西部數(shù)據(jù)還表示,其處理計劃外訂單的能力相當(dāng)有限,因此任何訂單變更都需要提前通知。此前在2023年12月,中國臺媒就曾報道稱,西部數(shù)據(jù)對客戶發(fā)出了漲價通知函,強(qiáng)調(diào)未來幾個季度NAND F
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第十二屆中國電子信息博覽會深圳開幕
- 作為培育新質(zhì)生產(chǎn)力的重要引擎,電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展受到萬眾矚目。迎著四月春光,國內(nèi)行業(yè)領(lǐng)先、具有國際影響力的電子信息產(chǎn)業(yè)盛會在深圳盛大啟幕,共繪電子信息產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展新篇章。4月9日,第十二屆中國電子信息博覽會(簡稱電博會,CITE 2024)在深圳會展中心開幕。本屆電博會以“追求卓越,數(shù)創(chuàng)未來”為主題,攜手第103屆中國電子展,從芯片、硬件設(shè)備到軟件服務(wù),從電子制造到云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能等新興領(lǐng)域,展示中國電子信息產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)大實(shí)力和創(chuàng)新能力,搭建高質(zhì)量平臺與全球產(chǎn)業(yè)精英共話電子信息產(chǎn)業(yè)的“數(shù)創(chuàng)未來”。中國
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3D NAND,1000層競爭加速
- 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道,日本存儲芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術(shù)官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會春季會議上宣布,該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設(shè)計出垂直堆疊單元技術(shù)后,NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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存儲大廠業(yè)績高于預(yù)期
- 當(dāng)?shù)貢r間3月20日,存儲大廠美光科技公布截止2024年2月29日的2024財年第二季度業(yè)績。受惠于人工智能AI對HBM的強(qiáng)烈需求,美光科技該財季意外實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)虧為盈,且本季財測優(yōu)于預(yù)期。數(shù)據(jù)顯示,美光科技2 大 024財年第二季度收入為58.2億美元,上一季度為47.3億美元,去年同期為36.9億美元,同比增長約57.7%,增速遠(yuǎn)超第一財季的15.6%,高于51億到55億美元的公司自身指引區(qū)間。另外,2024年第二季度資本支出投資凈額為12.5億美元。圖片來源:美光科技官網(wǎng)截圖美光科技總裁兼首席執(zhí)行
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三星和SK海力士之爭
- 近年來,存儲芯片行業(yè)的市場動態(tài)發(fā)生了相當(dāng)大的變化。三星電子公司曾經(jīng)是該領(lǐng)域無可爭議的領(lǐng)導(dǎo)者,但現(xiàn)在卻落后于規(guī)模較小的競爭對手 SK 海力士。兩家公司之間不斷擴(kuò)大的差距是來自哪里?爭做 CXL 游戲規(guī)則改變者造成這種差距的一個主要因素是投資者對 SK 海力士作為潛在人工智能 (AI) 領(lǐng)導(dǎo)者的信心增強(qiáng)。公司一直積極拓展在人工智能行業(yè)的布局,吸引了來自各個領(lǐng)域的巨額投資。SK 海力士的尖端研發(fā)工作和戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系展現(xiàn)了對推進(jìn)人工智能技術(shù)的堅定承諾。由于對其高帶寬內(nèi)存 (HBM) 芯片的高需求,其股價今年飆升
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電子半導(dǎo)體市場復(fù)蘇之路為何如此坎坷?
- 2023 上半年,全球手機(jī)和 PC 市場涼到冰點(diǎn),人們把希望都寄托在了以 AI 服務(wù)器為代表的高性能計算市場。但是,到了下半年,越來越多的人意識到,AI 服務(wù)器雖美,但其在全球電子半導(dǎo)體總市場中的占有率有限,而傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)也已經(jīng)疲軟,要想全面恢復(fù)市場活力,還要將希望寄托在具有龐大市場規(guī)模的消費(fèi)類應(yīng)用領(lǐng)域,特別是手機(jī)、個人電腦(PC),以及汽車。從最近的情況來看,在 2023 年的最后一個季度,市場給人們的期待做出了積極的回應(yīng)。據(jù) IDC 統(tǒng)計,全球智能手機(jī)出貨量在 2021 年第三季度同比下滑了 6%
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