存儲芯片 文章 最新資訊
SK海力士Q1利潤飆升158% 或取代三星成AI內(nèi)存芯片新王
- 4月24日消息,韓國內(nèi)存巨頭SK海力士公布2025年Q1財報,Q1營業(yè)利潤同比增長158%,為7.44萬億韓元(約合52億美元),超過預(yù)期的6.6萬億韓元。營收同比增長42%,達到17.63萬億韓元。數(shù)據(jù)顯示,這是SK海力士第二好的季度業(yè)績,此前該公司上一季度營收和營業(yè)利潤均創(chuàng)歷史新高。作為英偉達HBM(高帶寬存儲器)的重要供應(yīng)商,SK海力士受益于HBM等AI關(guān)鍵組件的強勁需求增長。2025年Q1,SK海力士在DRAM市場的份額超過三星。報告期內(nèi),SK海力士占據(jù)了DRAM市場36%的份額,而三星是34%。
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HBM4標準正式發(fā)布
- 據(jù)報道,當?shù)貢r間4月16日,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣布,正式推出HBM4內(nèi)存規(guī)范JESD270-4,該規(guī)范為HBM的最新版本設(shè)定了更高的帶寬性能標準。據(jù)介紹,與此前的版本相比,HBM4標準在帶寬、通道數(shù)、功耗、容量等多方面進行了改進。其中,HBM4采用2048位接口,傳輸速度高達8Gb/s,HBM4可將總帶寬提高至2TB/s。 還支持 4 / 8 / 12 / 18 層 DRAM 堆棧和 24Gb / 32Gb 的芯片密度,單堆棧容量可達 64GB。此外,HBM4將每個堆疊的獨立通道數(shù)加倍,從16個通道(
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歐洲重啟存儲芯片生產(chǎn):德國鐵電FMC押注新非易失性內(nèi)存技術(shù)FeRAM
- 4 月 8 日消息,德國鐵電存儲器公司(FMC)宣布與半導(dǎo)體企業(yè) Neumonda 達成戰(zhàn)略合作,將在德國德累斯頓建立新型非易失性存儲芯片(FeRAM)生產(chǎn)線。這是繼 2009 年英飛凌、奇夢達德國DRAM 工廠破產(chǎn)關(guān)停后,歐洲首次嘗試重啟存儲芯片本土化生產(chǎn)?!?圖源:Neumonda雙方此次合作的核心是 FMC 研發(fā)的 "DRAM+" 技術(shù)。該技術(shù)采用 10nm 以下制程兼容的鉿氧化物(HfO?)作為鐵電層,替代傳統(tǒng)鋯鈦酸鉛 PZT 材料,存儲容量從傳統(tǒng) FeRAM 的 4-
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存儲芯片,正式漲價
- 今日,存儲芯片正式開始漲價浪潮。自此,存儲市場長達多半年的低迷態(tài)勢,終于迎來轉(zhuǎn)折。存儲芯片的兩大主力產(chǎn)品 NAND 與 DRAM,在新一季度的市場表現(xiàn)也各不相同。NAND,開始漲價打響漲價第一槍的是 NAND 存儲大廠閃迪,其表示將于4月1日開始實施漲價,漲幅將超10%,該舉措適用于所有面向渠道和消費類產(chǎn)品。緊接著美光也告知將針對新訂單提高價格,平均漲幅約 11%。3 月 25 日,美光直接發(fā)布漲價函,預(yù)計此次漲價幅度將在10%~15%。之后,SK 海力士、三星相繼宣布將于4月同步上調(diào)NAND閃存價格。根
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總投資30.5億元!中微公司在四川成都建研發(fā)基地
- 3月3日消息,據(jù)報道,中微公司宣布擬在成都市高新區(qū)投資設(shè)立全資子公司中微半導(dǎo)體設(shè)備(成都)有限公司,建設(shè)研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部項目。據(jù)披露,中微公司將在2025年至2030年期間投資約30.5億元,用于該公司在成都市高新區(qū)建設(shè)研發(fā)中心、生產(chǎn)制造基地、辦公用房及附屬配套設(shè)施,配備先進的自動化生產(chǎn)線和高精度檢測設(shè)備,滿足量產(chǎn)需求。此外,該公司將積極推動公司上下游供應(yīng)鏈企業(yè)落戶成都高新區(qū),推動形成半導(dǎo)體高端裝備產(chǎn)業(yè)鏈集群。2月21日,中微公司與成都高新區(qū)簽訂合作協(xié)議,將在成都高新區(qū)落地研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部
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拆解華為Mate 70 存儲芯片來自SK海力士
- 華為Mate 70系列旗艦手機12月4日正式開賣,研究公司TechInsights拆解后發(fā)現(xiàn),該款手機采用南韓SK海力士制造內(nèi)存芯片,主因在于美國禁止對中國大陸出口先進芯片制造設(shè)備,而大陸制造的內(nèi)存芯片選擇受限?!赌先A早報》報導(dǎo),根據(jù)TechInsights的分析,華為Mate 70 Pro手機搭載SK海力士12GB低功耗行動DRAM及512GB NAND,高階款Mate 70 Pro Plus也采用相同的NAND及SK海力士的16GB DRAM。TechInsights分析師崔貞東(Jeongdong
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存儲芯片市場,風(fēng)口大開!
- 當前,半導(dǎo)體已然成為國家科技發(fā)展的關(guān)鍵。尤其是隨著國產(chǎn)化浪潮進一步推進,國內(nèi)A股市場半導(dǎo)體領(lǐng)域兼并重組案例時有發(fā)生,跨界并購亦是屢見不鮮。前有TCL、海爾、格力、創(chuàng)維等傳統(tǒng)家電入局造芯,后有百度、阿里、騰訊等互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)跑步進場,此外百貨零售企業(yè)友阿股份、醫(yī)藥廠商雙成藥業(yè)、工業(yè)殺菌劑原藥劑企業(yè)百傲化學(xué)、房地產(chǎn)商皇庭國際等都也都在籌劃或正在布局半導(dǎo)體領(lǐng)域。近日,半導(dǎo)體領(lǐng)域又見跨界并購,而這次發(fā)起收購的企業(yè)是有“溫州鞋王”之稱的浙江奧康鞋業(yè)股份有限公司(以下簡稱“奧康股份”),其瞄準的是存儲芯片領(lǐng)域?!皽刂菪?/li>
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SK 海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴大到 16~17 萬片
- 12 月 20 日消息,據(jù) TheElec 報道,韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單,但具體額度未知。消息人士稱,博通計劃從 SK 海力士采購存儲芯片,并將其應(yīng)用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預(yù)計將在明年下半年供應(yīng)該芯片。由于需要同時向英偉達和博通供應(yīng) HBM,SK 海力士肯定會調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預(yù)測。這家公司計劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產(chǎn)能擴大到 14~15 萬片(IT之家注:單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
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美國商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金,用于在該國生產(chǎn)芯片
- 12 月 11 日消息,美國商務(wù)部周二表示,作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分,美光科技已獲得高達 61.65 億美元(當前約 448.07 億元人民幣)的撥款,用于在美國制造半導(dǎo)體。該機構(gòu)表示,這筆資金將支持美光的“二十年愿景”,即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達荷州投資 250 億美元用于新工廠,并創(chuàng)造約 20,000 個新工作崗位。美國商務(wù)部還表示,美光將根據(jù)某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外,美國商務(wù)部還宣布已與美光科技達成初步協(xié)議,將額外提供 2.75 億美元資金,用于擴建
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存儲芯片行業(yè)多點開花,復(fù)蘇腳步提速!
- 近日,存儲市場多點開花,喜報頻傳。鎧俠正式開啟首次公開募股,計劃10月上市;行業(yè)消息顯示西部數(shù)據(jù)已開始剝離NAND和SSD業(yè)務(wù);SK海力士子公司Solidigm二季度首度實現(xiàn)盈利,并積極推進IPO進度;此外據(jù)行業(yè)消息,繼臺積電以后,存儲大廠美光計劃買下友達兩座大廠以擴產(chǎn)HBM產(chǎn)能;另外佰維存儲、兆易創(chuàng)新等多家存儲企業(yè)紛紛披露最新財報。01鎧俠正式開啟首次公開募股,計劃10月上市據(jù)日媒報道,得益于人工智能(AI)市場對半導(dǎo)體需求的不斷飆升,日本存儲大廠鎧俠已于8月23日向東京證券交易所提交了上市申請,目標在
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年中已過,存儲芯片Q3漲勢如何?
- 在這半年的時間里,存儲芯片市場經(jīng)歷了多次價格波動。從年初的平穩(wěn)開局,到隨后的快速上漲,再到近期的波動調(diào)整,每一次價格變動都牽動著業(yè)界的神經(jīng)。那么,這半年來存儲芯片究竟?jié)q價幾何呢?機構(gòu)預(yù)測和各原廠的漲價計劃根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,2024 年第一季度,DRAM 芯片合約價格上漲多達 20%,NAND 閃存則是上漲多達 23%—28%。近日,TrendForce 還對第二季度存儲產(chǎn)品價格作了最新預(yù)測,TrendForce 表示存儲芯片價格或?qū)⒊掷m(xù)上漲,第二季度 DRAM 合約價季漲幅將上修至 13~18%;NA
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韓國半導(dǎo)體出口創(chuàng)新高,存儲芯片同比大增88.7%
- 據(jù)韓聯(lián)社報道,韓國科技信息通信部7月15日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,今年上半年韓國信息通信技術(shù)(ICT)產(chǎn)業(yè)出口額同比增長28.2%,達1088.5億美元,創(chuàng)下歷年同期第二高紀錄。在AI人工智能、IT信息技術(shù)和通信設(shè)備市場需求支撐下,韓國主力出口產(chǎn)品之一的半導(dǎo)體出口額同比猛增49.9%,達658.3億美元。從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)細分領(lǐng)域來看,由于高帶寬存儲器(HBM)等產(chǎn)品出口增加,上半年韓國存儲芯片出口增勢迅猛,同比驟增88.7%。此外,得益于服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心投資增加以及個人電腦等設(shè)備需求增加,計算機和周邊設(shè)備出口同比增長
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華邦電子亮相慕展 以創(chuàng)新驅(qū)動存儲芯片技術(shù)
- 在2024年慕尼黑上海電子展的璀璨舞臺上,華邦電子以其卓越的產(chǎn)品、領(lǐng)先的技術(shù)和廣泛的應(yīng)用解決方案吸引了眾多業(yè)界目光。作為存儲芯片領(lǐng)域的佼佼者,華邦電子不僅展示了其在DRAM、閃存及安全閃存等方面的最新成果,還帶來了極具性價比和差異化價值的存儲產(chǎn)品CUBE,以滿足邊緣 AI不斷增長的需求。本次采訪,我們有幸邀請到了華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪先生,深入探討了華邦電子的產(chǎn)品、技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域的最新動態(tài)。“大家好,我是華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪。”在慕尼黑上海電子展的華邦電子展臺E4館-4110,朱迪先生以飽滿的熱情開啟了本次
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎爆發(fā)新風(fēng)口,存儲芯片廠商重金“下注”
- 自ChatGPT發(fā)布以來,人工智能AI迅速席卷全球,引發(fā)了新一輪的科技革命。與此同時,隨著HBM市場需求持續(xù)火爆,以SK海力士、三星、美光等為代表的半導(dǎo)體存儲芯片廠商亦抓住機會轉(zhuǎn)變賽道,開啟了新一輪的市場爭奪戰(zhàn)。投資約748億美元存儲芯片廠商SK海力士押注AI近日,據(jù)彭博社及路透社等外媒報道,半導(dǎo)體存儲芯片廠商SK海力士計劃投資103萬億韓元(約748億美元)發(fā)展芯片業(yè)務(wù),重點關(guān)注人工智能和半導(dǎo)體領(lǐng)域。報道稱,韓國SK集團上周日在一份申明中表示,旗下存儲芯片廠商SK海力士計劃在2028年前投資103萬億韓
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我國科學(xué)家技術(shù)突破 存儲芯片無限次擦寫引圍觀:TLC、QLC買誰 恐不再糾結(jié)
- 7月1日消息,據(jù)國內(nèi)媒體報道稱,四川科學(xué)家借力AI 開發(fā)出"耐疲勞鐵電材料",讓存儲芯片無限次擦寫。報道中提到,電子科技大學(xué)光電科學(xué)與工程學(xué)院劉富才教授團隊聯(lián)合復(fù)旦大學(xué)、中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所在國際知名學(xué)術(shù)期刊《Science》上發(fā)表最新研究成果,開發(fā)出"耐疲勞鐵電材料",在全球范圍內(nèi)率先攻克困擾領(lǐng)域內(nèi)70多年的鐵電材料疲勞問題。鐵電材料在經(jīng)歷反復(fù)極化切換后,極化只能實現(xiàn)部分翻轉(zhuǎn),導(dǎo)致鐵電材料失效,即鐵電疲勞。這一問題早在1953年就已被研究者發(fā)現(xiàn)報道,
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