Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統(tǒng)級封裝GaN產(chǎn)品系列。

新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩款新的器件與USB PD或可編程電源適配器控制器配對即可提供整體適配器解決方案。
值得注意的是，它們還可提供更多創(chuàng)新功能，包括UHV谷底跟蹤充電模式、自適應OCP補償和自適應綠色模式控制等，使客戶能夠使用更少的器件、最精簡的設計方案，更快地設計出高質(zhì)量的電源產(chǎn)品。

偉詮電子市場推廣副總裁羅汶光表示：“基于Transphorm SuperGaN平臺并采用整體封裝解決方案，可以為從30W低功率USB-C PD電源適配器到功率接近200W的充電器在內(nèi)的各種裝置提供更易設計的高性能電源?！?/p>

Transphorm全球銷售及FAE副總裁Tushar Dhayagude表示：“從適配器和充電器制造商的需求考慮，SiP可以成為重要的器件選項。不僅能滿足系統(tǒng)電源轉(zhuǎn)換效率的要求，而且功能集成，器件更易使用，從而在最短的時間內(nèi)可設計出產(chǎn)品。”

據(jù)了解，自2023年以來，偉詮電子和Transphom已經(jīng)聯(lián)合推出了三款GaN封裝器件。Transphorm為偉詮電子在GaN快充的長期合作伙伴，雙方在GaN系統(tǒng)級封裝布局完整。

為布局電動車、數(shù)據(jù)中心、AI及再生能源等成長性市場，強化在GaN產(chǎn)品線的布局，日本IDM大廠瑞薩于今年1月宣布收購Transphorm。據(jù)經(jīng)濟日報報道，隨著Transphorm被瑞薩收購，偉詮電子有望打入瑞薩供應鏈。

報道指出，日本供應鏈由于相對其他市場較難攻入，因此后續(xù)偉詮電子若能與瑞薩展開合作，將有助于偉詮電子拓展日本市場，甚至有機會展開車用、服務器及其他領域的新合作。

前不久，偉詮電子公布3月合并營收達新臺幣2.30億元（折合人民幣約0.51億元）、同比增長3.65％；第一季度累計營收新臺幣6.65億元（折合人民幣約1.48億元），同比增長18.56%。