存儲進(jìn)入筑底階段？

隨著三大內(nèi)存芯片廠商紛紛加入減產(chǎn)，預(yù)計內(nèi)存供需狀況將從 23 年第三季度開始好轉(zhuǎn)，擺脫供應(yīng)過剩局面。到 2023 年，DRAM 供應(yīng)量的年增長率應(yīng)該僅為 5%。在產(chǎn)出基礎(chǔ)上（不包括庫存），供應(yīng)增長將歷史上首次同比下降。芯片需求將主要由個人電腦和智能手機(jī)引領(lǐng)。至于 PC，在經(jīng)歷了兩年的需求放緩之后，需求將以高性能計算機(jī) (HPC) 為中心有所改善。

IT 需求改進(jìn)應(yīng)因應(yīng)用程序和參與者而異。預(yù)計 AI 和 HPC 處理器、能夠生產(chǎn)它們的領(lǐng)先代工廠以及高端智能手機(jī)的需求量很大。與此同時，缺乏技術(shù)實力和品牌影響力的二線企業(yè)將在需求疲軟的情況下繼續(xù)掙扎。為了應(yīng)對不斷增長的聊天 GPT 需求，微軟、谷歌、百度和阿里巴巴最近向臺積電追加了數(shù)萬顆 Nvidia H100 和 A800 處理器的訂單。到 2023 年，iPhone 15 的出貨量預(yù)計將達(dá)到 9000 萬部左右，高于 iPhone 14 的水平。

SEC 和 SK 海力士將從 2023 年第三季度開始的內(nèi)存芯片需求改善中受益。除了內(nèi)存價格上漲，預(yù)計 SEC 和 SK 海力士的盈利將大幅改善。同樣積極的是對高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的新需求的產(chǎn)生。

美光科技審查事件結(jié)果出爐，不僅再次推升了市場對于國產(chǎn)存儲芯片替代進(jìn)程的關(guān)注，也使得本輪半導(dǎo)體周期拐點(diǎn)討論越來越熱。

受消費(fèi)低迷影響，存儲芯片仍處于筑底階段。根據(jù) TrendForce 預(yù)計，由于 DRAM 和 NAND Flash 下游需求不及預(yù)期，部分產(chǎn)品 2023 二季度價格跌幅有擴(kuò)大趨勢。

顯然，消費(fèi)電子下游需求景氣度拐點(diǎn)仍沒有到來，這或許解釋了 A 股芯片板塊「一日游行情」的原因。

5 月 22 日，存儲芯片板塊高開低走，深科技、佰維存儲等個股悉數(shù)轉(zhuǎn)跌，整個芯片板塊回撤明顯。而上一交易日 (5 月 19 日) 存儲芯片板塊掀起漲停潮，芯片股再度「一日游」。

存儲芯片周期進(jìn)入「筑底」階段

2022 年全球消費(fèi)電子需求明顯下降，原廠、渠道和終端庫存高企，導(dǎo)致存儲芯片價格一跌再跌。

在今年一季度全球 PC 出貨量下跌 33% 的背景下，存儲芯片價格一跌再跌，全行業(yè)庫存接近歷史高點(diǎn)，各廠商存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)進(jìn)一步大幅增加，整體仍處于主動去庫存狀態(tài)。

4 月份，DRAM(4GB) 現(xiàn)貨平均價環(huán)比下行 3.46%，NAND(64GB) 現(xiàn)貨平均價環(huán)比上行 0.39%，出現(xiàn)止跌信號。上周末，市場傳聞稱長江存儲傳出將調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品價格后，漲幅約為 3%~5%，有消息稱韓國三星電子、SK 海力士也將跟進(jìn)漲價，且不再接受存儲芯片更低詢價。

多個被視為存儲芯片長期跌價終止的信號出現(xiàn)后，市場分析稱，存儲芯片進(jìn)入筑底階段，靜待庫存水位及庫存結(jié)構(gòu)改變。

國盛證券研報指出，根據(jù) TrendForce 表示，DRAM 價格的跌幅主要原因系 DDR4 和 LPDDR5 庫存過高，NAND Flash 價格下跌原因在于市場目前供過于求的格局仍未明顯改善。我們認(rèn)為，2023 上半年存儲價格持續(xù)下行，目前已經(jīng)接近底部，后續(xù)且待價格企穩(wěn)回升。

北京君正在 5 月初的投資者調(diào)研中表示，目前看消費(fèi)行業(yè)庫存去化已取得非常顯著的成果，能經(jīng)?？吹郊眴蔚某霈F(xiàn)，這表明客戶需求已經(jīng)在出現(xiàn)。工業(yè)領(lǐng)域的供求關(guān)系反轉(zhuǎn)比消費(fèi)領(lǐng)域會晚一些，其庫存去化還需要一些時間?？傮w來看，第二季度從量的維度上可能環(huán)比一季度不會有太大的變化。

談及國產(chǎn)化加速下存儲行業(yè)的投資機(jī)遇，某半導(dǎo)體行業(yè)人士對記者說：「國內(nèi)廠商短時間內(nèi)無法『吃掉』美光的所有市場份額，產(chǎn)能爬坡和產(chǎn)品導(dǎo)入都需要時間?！?/p>

半導(dǎo)體周期拐點(diǎn)隱現(xiàn)？

全球半導(dǎo)體存儲市場中，DRAM 和 NAND Flash 是主要的兩種存儲芯片，兩者占據(jù)主導(dǎo)地位。據(jù) WSTS 預(yù)測，2023 年全球存儲芯片市場規(guī) 模將達(dá)到 1675 億美元，其中中國存儲器市場空間巨大，預(yù)計 2023 年國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模將達(dá)到 6492 億元 (約 942 億美元)，約占全球市場的 55.8%。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，由于存儲芯片是市場需求中最基礎(chǔ)的重要品類，呈現(xiàn)出較強(qiáng)的周期性，行業(yè)景氣度受供需關(guān)系影響較大，也被視為周期的風(fēng)向標(biāo)。

伴隨存儲芯片價格筑底，關(guān)于半導(dǎo)體周期拐點(diǎn)將臨近的討論越來越熱。今年 3 月，全球和中國半導(dǎo)體銷售額自去年 6 月以來首次實現(xiàn)環(huán)比增長，意味著行業(yè)衰退期已經(jīng)過半。

「一旦渠道環(huán)節(jié)完成庫存消化、終端需求崛起，周期便從底部崛起。目前來看，底部反轉(zhuǎn)的多項條件已經(jīng)具備，比如美元加息預(yù)期減弱。半導(dǎo)體是全球性產(chǎn)業(yè)，對宏觀經(jīng)濟(jì)波動影響敏感，周期的拐點(diǎn)也與美元利率掛鉤?！拱雽?dǎo)體人士補(bǔ)充說：「三季度是半導(dǎo)體需求旺季，也成為今年半導(dǎo)體板塊業(yè)績的『勝負(fù)手』。不同產(chǎn)品的渠道庫存去化進(jìn)展不同，總體上，我們預(yù)計三季度的下游需求可能會有明顯改善。」

2022 年是全球半導(dǎo)體行情的「至暗時刻」，中華半導(dǎo)體芯片指數(shù)全年重挫逾 30%，同期美股的費(fèi)成半導(dǎo)體指數(shù)亦是如此。一季報數(shù)據(jù)來看，A 股半導(dǎo)體整體業(yè)績表現(xiàn)不佳，各環(huán)節(jié)平均業(yè)績較上年同期均有一定下滑，僅半導(dǎo)體設(shè)備板塊的業(yè)績實現(xiàn)了一定增長。

估值角度來看，4 月份，申萬半導(dǎo)體指數(shù)下跌 6.03%，跑輸滬深 300 指數(shù) 5.49 個百分點(diǎn)。半導(dǎo)體子行業(yè)方面，除半導(dǎo)體設(shè)備上漲 18.74% 外，其余均下跌，其中模擬芯片設(shè)計、集成電路封測、分立器件跌幅較大，分別下跌 16.34%、14.01%、11.4%。