三星3納米超車臺積電？重要數據曝光！結局出乎意料

臺積電在4月中的法說會曾透露，預計今年下半年量產3納米，2納米制程的量產時間則落在2025年，沒想到三星上周公開表示，公司將在未來幾周內量產3納米。若此事成真，三星將搶先臺積電量產3納米，然而三星在制程利率的問題仍是外界關注焦點，先前有外媒披露，三星3納米的良率最高僅2成，迫使部分IC 設計大廠選擇轉單至臺積電。
科技網站Tom's Hardware報導，三星上周發(fā)出一份公開聲明，內容提到公司將透過世界上首次大規(guī)模生產3納米GAA技術來加強技術在產業(yè)領先的地位，有望在本季，即未來幾周內開始量產。
另一方面，臺積電4月中法說會曾提到，3納米制程預計年底量產，2納米按照進度開發(fā)，預計2024年進入風險試產階段，于2025年量產。臺積電3納米使用的是FinFET架構，與三星使用的GAA架構不同，臺積電要是在2納米才轉向使用GAA架構。
若三星真的在本季量產3納米，代表他們將超車臺積電，但產品的良率仍是關注焦點，先前有外媒披露，三星3納米由于專利IP數量的不足，導致良率僅10至20%左右，這使得客戶出現(xiàn)擔憂，且三星4納米的良率雖然有較高的35%良率，但遠遠不及臺積電的7成，使得高通選擇轉單臺積電。