富士通電子推出可在125℃高溫下穩(wěn)定運(yùn)行的最新4Mbit FRAM

富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量達(dá)到FRAM產(chǎn)品最高水平，運(yùn)作溫度最高可達(dá)125℃。目前可為客戶提供評測版樣品。

這款全新FRAM是非易失性內(nèi)存產(chǎn)品，在125℃高溫環(huán)境下可以達(dá)到10兆次讀/寫次數(shù)，工作電流低，是工業(yè)機(jī)器人和高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等汽車應(yīng)用的最佳選擇。

FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，并已量產(chǎn)20多年，近年來廣泛用于可穿戴設(shè)備、工業(yè)機(jī)器人和無人機(jī)。

自去年發(fā)布以來，2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽車和工業(yè)設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用，而MB85RS4MTY將其容量提高了一倍，達(dá)到4M bit，滿足更高容量的需求，配有SPI接口，工作電壓為1.8V至3.6V。由于這款FRAM工作電流低，即使在125℃高溫下，最大工作電流僅為4mA（運(yùn)作頻率50MHz），最大掉電模式電流為30μA，因此有助于降低環(huán)境敏感應(yīng)用的功耗。

這款全新FRAM在-40℃至+ 125℃溫度范圍內(nèi)可以達(dá)到10兆次讀/寫次數(shù)，適合某些需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用。例如，每0.03毫秒重寫一次數(shù)據(jù)，同一地址連續(xù)記錄數(shù)據(jù)可達(dá)10年之久。

這款FRAM產(chǎn)品采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)8-pin SOP封裝，可輕松取代現(xiàn)有類似引腳的EEPROM。此外，還提供8-pin DFN（無引線雙側(cè)扁平）封裝。

富士通電子將繼續(xù)提供內(nèi)存產(chǎn)品和解決方案，滿足市場和客戶的未來需求。

關(guān)鍵規(guī)格：

●   組件型號： MB85RS4MT

●   容量（組態(tài)）： 4 Mbit（512K x 8位）

●   接口： SPI（Serial Peripheral Interface）

●   運(yùn)作頻率： 最高50 MHz

●   運(yùn)作電壓： 1.8V - 3.6V

●   運(yùn)作溫度范圍： -40°C - +125°C

●   讀/寫耐久性： 10兆次（1013次）

●   封裝規(guī)格： 8-pin DFN，8-pin SOP

圖1：MB85RS4MTY 8-pin DFN（頂部?底部）

詞匯與備注

鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存（FRAM）

FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲存數(shù)據(jù)的內(nèi)存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀/寫周期的優(yōu)點(diǎn)。富士通自1999年即開始生產(chǎn)FRAM，亦稱為FeRAM。

圖2：FRAM應(yīng)用實(shí)例

相關(guān)鏈接：

●   富士通電子網(wǎng)站 

●   FRAM產(chǎn)品系列網(wǎng)站 

●   MB85RS4MTY簡介 

●   MB85RS4MTY數(shù)據(jù)表 

●    (參考) MB85RS2MTY數(shù)據(jù)表