Intel暗中相助：國(guó)產(chǎn)自主內(nèi)存即將騰飛

　　前段時(shí)間三星的閃存芯片工廠又出了一起事故,突發(fā)停電半個(gè)小時(shí),導(dǎo)致正在生產(chǎn)中的晶圓受損,不同消息來(lái)源于損壞的晶圓數(shù)量不一,有說(shuō)是6000片,有說(shuō)是60000片,最夸張的是損失了60萬(wàn)片晶圓,如果是后兩者,這對(duì)三星的NAND產(chǎn)能影響可不低,勢(shì)必會(huì)導(dǎo)致NAND閃存價(jià)格波動(dòng)。

　　聯(lián)想到三星以及SK Hynix兩家公司之前出現(xiàn)的一些停電、火災(zāi)等意外事故,很多網(wǎng)友又調(diào)侃這起事故又讓三星有了漲價(jià)的借口。

　　玩笑歸玩笑,三星作為生產(chǎn)廠商自然不樂(lè)意見(jiàn)到意外事故發(fā)生,但是這件事還是引起熱議,特別是在中國(guó)消費(fèi)者群體中,人們關(guān)心的一個(gè)問(wèn)題是未來(lái)誰(shuí)能制衡三星、SK Hynix、東芝、美光等公司呢?我們都期待國(guó)內(nèi)公司能逆襲,但如何逆襲呢?

　　對(duì)于國(guó)內(nèi)內(nèi)存及閃存的問(wèn)題,我們最近做了很多文章探討國(guó)產(chǎn)芯片的文章,特別是對(duì)紫光DDR3、DDR4內(nèi)存的報(bào)道及評(píng)測(cè)影響很廣泛,我注意了下很多站內(nèi)、站外網(wǎng)友的評(píng)論,有的讀者對(duì)國(guó)產(chǎn)一事冷嘲熱諷,還有的讀者認(rèn)為國(guó)產(chǎn)內(nèi)存一路順風(fēng),DDR3內(nèi)存已經(jīng)來(lái)了,DDR4內(nèi)存不遠(yuǎn)了,似乎一兩年內(nèi)就能把三星踩在腳下,讓內(nèi)存市場(chǎng)迅速降價(jià),甚至恢復(fù)之前的白菜價(jià)。

　　對(duì)于這兩種截然相反的評(píng)價(jià),我們要理性看待,嘲諷是不對(duì)的,但是盲目樂(lè)觀更不可取,存儲(chǔ)芯片是高科技制造行業(yè),中國(guó)廠商在這個(gè)領(lǐng)域缺席了幾十年了,國(guó)產(chǎn)化可以說(shuō)是一片空白,我們肯定要做到后來(lái)居上,但是這個(gè)過(guò)程可能需要很長(zhǎng)時(shí)間,不是短短幾年就能扭轉(zhuǎn)的。

　全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)格局:高度壟斷、三星獨(dú)大,門(mén)檻極高

　　按照中國(guó)制造2025的規(guī)劃,國(guó)產(chǎn)要突破的其實(shí)是整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,從半導(dǎo)體裝備再到芯片生產(chǎn)、測(cè)試及應(yīng)用等環(huán)節(jié)全部涉獵,存儲(chǔ)芯片是現(xiàn)在的重點(diǎn),不過(guò)它也只是半導(dǎo)體芯片中的一部分,而內(nèi)存芯片又是存儲(chǔ)芯片中的一部分,不過(guò)它是其中重要的一部分。

　　2017年全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)值720億美元,主要原因就是DRAM芯片一年內(nèi)漲價(jià)74%所致,而NAND產(chǎn)值約為498億美元,當(dāng)然閃存市場(chǎng)價(jià)格過(guò)去一兩年也是大漲的,只是價(jià)格沒(méi)有內(nèi)存這么夸張而已。

　　在全球720億美元的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)中,三星、SK Hynix、美光三家公司占據(jù)了大約95%的份額,其中三星一家就占了大約46%的份額,SK Hynix份額大約在29%。

　　美光兩年前收購(gòu)了為它代工內(nèi)存芯片的華亞科公司,市場(chǎng)份額大約在21%,剩下的份額被臺(tái)灣南亞、力晶等公司所獲得,不過(guò)他們對(duì)市場(chǎng)并沒(méi)有什么影響力,而兩家韓國(guó)公司就控制了全球75%的內(nèi)存市場(chǎng)份額,呈現(xiàn)出高度壟斷的形勢(shì),三星一家的規(guī)模差不多是其他兩家之和,產(chǎn)能遙遙領(lǐng)先,整個(gè)情況跟三國(guó)時(shí)期差不多,魏國(guó)三星一家獨(dú)大,吳國(guó)SK Hynix、蜀國(guó)美光實(shí)力無(wú)法與之相比。

　　這三家公司不僅壟斷了市場(chǎng),也給市場(chǎng)的后來(lái)者制造了極大的準(zhǔn)入門(mén)檻,其他國(guó)家或者地區(qū)因?yàn)闆](méi)有DRAM產(chǎn)業(yè)鏈,所以人才培養(yǎng)就無(wú)從談起,而內(nèi)存工廠也跟處理器工廠一樣需要不斷升級(jí)工藝,所需的技術(shù)及資金投入也是個(gè)難題,SK Hynix、美光大大落后于三星就是因?yàn)樵?0nm節(jié)點(diǎn)升級(jí)上進(jìn)度不順,而三星不僅是第一個(gè)量產(chǎn)20nm工藝的,還是第一個(gè)量產(chǎn)18nm工藝的,不出意外的話未來(lái)的17nm、16nm都將是三星首發(fā)、量產(chǎn)。

　　要想盤(pán)活內(nèi)存產(chǎn)業(yè),技術(shù)、人才、資金一個(gè)不能少,中國(guó)現(xiàn)在不愁的是砸錢(qián),但是人才、技術(shù)是沒(méi)法獨(dú)自解決的,而這也是國(guó)內(nèi)發(fā)展內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的一個(gè)桎梏,為了快速進(jìn)入這個(gè)產(chǎn)業(yè),不少國(guó)內(nèi)公司紛紛從臺(tái)灣、韓國(guó)以及日本等地區(qū)的公司搶人才,甚至挖角現(xiàn)任員工,而這很容易陷入法律糾紛中。

　　前不久就有報(bào)道稱美光公司去年底選擇在美國(guó)加州提起訴訟,指控臺(tái)灣聯(lián)電及大陸的福建晉華侵犯他們的DRAM專利權(quán),竊取商業(yè)機(jī)密,這就是國(guó)內(nèi)公司從臺(tái)灣華亞科等公司搶人才所帶來(lái)的不利后果之一,很容易就惹出法律官司。

　　總之,內(nèi)存市場(chǎng)龐大的產(chǎn)值雖然讓不少公司心動(dòng),但是現(xiàn)在的格局導(dǎo)致了內(nèi)存市場(chǎng)的進(jìn)入門(mén)檻極高,日本公司曾經(jīng)是內(nèi)存市場(chǎng)霸主級(jí)別的力量,但是爾必達(dá)、瑞薩等公司要么退出內(nèi)存芯片市場(chǎng),要么就破產(chǎn)倒閉,市場(chǎng)拱手讓給了美國(guó)、韓國(guó)公司。

　　日本公司早前進(jìn)軍DRAM市場(chǎng)上還能輕松得到美國(guó)公司的技術(shù)授權(quán),下場(chǎng)依然如此,更別提中國(guó)公司要在0的基礎(chǔ)上打造內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的難度了。

　　中國(guó)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀:DDR3剛起步,工藝嚴(yán)重落后

　　那么中國(guó)自己的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀如何呢?

　　如果說(shuō)NAND閃存以及NOR閃存市場(chǎng)上,中國(guó)公司尚有一絲存在感的話,那么DRAM內(nèi)存上真的是一窮二白。

　　最近我們測(cè)試DDR內(nèi)存的文章引起了很多同行及玩家的追捧,紫光的DDR3顆粒整體表現(xiàn)還不錯(cuò),也有部分媒體寫(xiě)的很夸張,似乎紫光DDR3內(nèi)存要吊打金士頓、芝奇、三星了,不過(guò)實(shí)際情況是紫光的DDR3內(nèi)存也是剛起步而已,我們現(xiàn)在網(wǎng)上買(mǎi)的紫光顆粒DDR3內(nèi)存條主要是經(jīng)銷商所為,數(shù)量并不多,店鋪顯示的庫(kù)存只不過(guò)是66多條而已。

　　即便是DDR3內(nèi)存,也不是紫光自主研發(fā)的,生產(chǎn)單位西安紫光國(guó)芯其實(shí)是買(mǎi)來(lái)的,最初它是英飛凌2003年在西安成立的存儲(chǔ)芯片部門(mén),2006年英飛凌半導(dǎo)體業(yè)務(wù)拆分成立了奇夢(mèng)達(dá)科技,2009年他們被國(guó)內(nèi)的浪潮公司收購(gòu),重組成了西安華芯半導(dǎo)體,2015年紫光從另一個(gè)清華系公司同方手中收購(gòu)了同方國(guó)芯的36%的股權(quán),成立了紫光國(guó)芯,而西安紫光國(guó)芯就是他們從浪潮手中買(mǎi)來(lái)的,現(xiàn)在是子公司,他們的DDR3內(nèi)存實(shí)際也是奇夢(mèng)達(dá)公司的遺產(chǎn)。

　　不僅是主流內(nèi)存量產(chǎn)進(jìn)度落后,國(guó)產(chǎn)內(nèi)存現(xiàn)在還有技術(shù)落伍的風(fēng)險(xiǎn),迄今為止紫光的DDR3顆粒制程工藝也沒(méi)有公布,考慮到奇夢(mèng)達(dá)已經(jīng)是10多年前的事了,西安紫光國(guó)芯的DRAM工藝至少也是30nm及以上級(jí)別的了,而現(xiàn)在主流的內(nèi)存工藝早就是20nm級(jí)別了,三星2016年就量產(chǎn)18nm工藝了,下一步就是17nm工藝了。

　　國(guó)產(chǎn)內(nèi)存確切的制程工藝一直是個(gè)謎,不過(guò)我們可以從別的信息佐證下,去年兆易創(chuàng)新公司宣布進(jìn)軍DRAM內(nèi)存,他們與合肥市政府控股投資公司簽署了合作協(xié)議,項(xiàng)目預(yù)算180億元,目的是在2018年底研發(fā)出19nm工藝的內(nèi)存芯片——

　　如果成功了,他們的內(nèi)存工藝其實(shí)還是挺先進(jìn)的,雖然還是比不過(guò)三星,但至少也是主流級(jí)別的了,只不過(guò)兆易創(chuàng)新的目標(biāo)是良率不低于10%,這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)并不是量產(chǎn)水平的,10%的良率只可能是技術(shù)實(shí)驗(yàn),意味著離量產(chǎn)上市有很長(zhǎng)的一段距離。

　　別說(shuō)DRAM內(nèi)存了,國(guó)內(nèi)的NAND閃存工藝都要是挺落后的,紫光在武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司現(xiàn)在研發(fā)的只是32層堆棧的閃存,核心容量不過(guò)64Gb,這跟目前主流64層堆棧、核心容量256Gb甚至512Gb的3D NAND也要落后兩年時(shí)間。

　　而兆易創(chuàng)新的NAND閃存量產(chǎn)水平才是38nm工藝,24nm級(jí)別的還在研發(fā)中,注意他們的還是2D NAND閃存,三星、東芝早就量產(chǎn)15、16nm工藝的2D NAND閃存了,而且2D閃存是他們正在淘汰的技術(shù)。