存儲技術的巨大進步，IBM多位PCM相變存儲芯片開發(fā)成功

　　近日IBM的研究團隊自豪地宣布，他們已經(jīng)成功地攻克了PCM相變存儲(Phase Change Memory)的多位封裝難題，為解決PCM相變存儲提升容量、降低成本指出了一條明路。

　　實際上PCM相變存儲已經(jīng)存在多年，不過一直以來有一個重大難題制約著它的發(fā)展，就是每一個PCM相變存儲單元只能存儲1bit的數(shù)據(jù)，即1bpc(bit-per-cell)。這對PCM相變存儲提升容量、降低成本是一個巨大的阻力。

　　而最近IBM的研究團隊成功研發(fā)了多位存儲的PCM芯片，雖然采用的是90nm的CMOS工藝制造，不過這枚PCM芯片擁有者遠高于普通NAND芯片的讀寫速度和循環(huán)壽命，例如寫入延遲僅10微秒，寫入壽命達1000萬次等，這些都是NAND芯片“望塵莫及”的。

　　不過，IBM的研究團隊并沒有透露該PCM芯片的更多信息，例如每個存儲單元可以儲存多少數(shù)據(jù)等，而且從目前來看，多位PCM相變存儲芯片距離量產(chǎn)還有很長的距離。