三星存儲(chǔ)器庫(kù)存塞爆創(chuàng)同季歷史新高, 血戰(zhàn)才揭開序幕？

　　先前外資痛批三星電子不顧同行道義，在記憶體業(yè)趕盡殺絕。如今背后原因似乎揭曉，韓媒指出，今年第一季三星電子和 SK 海力士(SK Hynix)的半導(dǎo)體庫(kù)存雙雙創(chuàng)下新高，滿坑滿谷的記憶體賣不動(dòng)，三星或許因此殺紅了眼。

　　BusinessKorea 18 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，今年 Q1 季末，三星電子的半導(dǎo)體庫(kù)存達(dá) 7.4 兆韓圜，寫下同季歷史新高。SK 海力士的半導(dǎo)體庫(kù)存為 2.2 兆韓圜，更創(chuàng)下該公司史上之最。一般而言，企業(yè)都趕在新年之前盡量消化庫(kù)存，Q4 應(yīng)是出貨旺季，不料記憶體買氣從 2015 年開始急凍，2015 年 Q4 庫(kù)存增加速度之快，幾乎前所未見。

　　三星半導(dǎo)體庫(kù)存連年提高，近來(lái)更急速成長(zhǎng)。2012 年半導(dǎo)體庫(kù)存約為 4 兆韓圜，2015 年增至 6~7 兆韓圜，今年 Q1 更超越 7 兆韓圜。和 2015 年同期相比，今年 Q1 庫(kù)存飆升了 1.7 兆韓圜。主要原因應(yīng)是記憶體買氣驟減，Q1 三星記憶體部門營(yíng)收年減 3,700 億韓圜。

　　與此同時(shí)，2015 年 SK 海力士的庫(kù)存大都在 1.5 兆韓圜以下，不料 2015 年年底突然暴增至 1.9 兆韓圜，今年 Q1 又一舉突破 2 兆韓圜。SK 海力士的庫(kù)存資產(chǎn)占總資產(chǎn)比重一路攀升，2014 年來(lái)從 5.6% 升至 6.5%，再增至 7.4%。庫(kù)存爆滿，問題是記憶體前景欠佳，需求仍淡，業(yè)者可能會(huì)啟動(dòng)更激烈的殺價(jià)戰(zhàn)，出清庫(kù)存。

　　記憶體業(yè)凄慘，又有新技術(shù)出來(lái)?yè)屖袌?chǎng)，前景更為黯淡。Phone Arena、Engadget 17 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，“相變化記憶體”(Phase-Change Memory，簡(jiǎn)稱 PCM)因成本太高，智慧機(jī)等行動(dòng)裝置無(wú)法采納，過去 15 年來(lái)一直應(yīng)用在光碟片等科技產(chǎn)品。然而，IBM 現(xiàn)在不但降低了成本，還想出新的方法，可在每個(gè)記憶單位(cell)中儲(chǔ)存 3 位元資訊、即使周遭溫度較高也毫無(wú)障礙，未來(lái)可能會(huì)讓記憶體領(lǐng)域出現(xiàn)巨變。

　　IBM Research 17 日在巴黎舉辦的 IEEE 國(guó)際記憶體研討會(huì)(International Memory Workshop)上表示，新開發(fā)的技術(shù)可降低 PCM 成本，價(jià)格不但能與快閃記憶體競(jìng)爭(zhēng)，還會(huì)比 DRAM 更便宜。