分析解讀世界半導體技術的發(fā)展大趨勢

　　IBM半導體研發(fā)中心技術開發(fā)副總裁PercyGilbert2月8日在“世界半導體東京峰會2012”發(fā)表了演講，他說，半導體技術的進步為社會帶來了互聯(lián)網(wǎng)的普及等變革，今后還要繼續(xù)推進該技術的發(fā)展。不過，除了傳統(tǒng)技術之外，器件、制造及材料的技術革新變得不可或缺。同時，業(yè)務模式也要革新，IBM作為研發(fā)型半導體公司稱“合作”尤其重要，IBM的“共生系統(tǒng)”戰(zhàn)略不僅要聯(lián)手半導體廠商，還要與設備廠商、裝置及材料廠商合作，由此來分擔研發(fā)投資。

　　臺積電代表也在會上表示，邏輯電路尖端工藝的發(fā)展將繼續(xù)受到市場歡迎。公司現(xiàn)行28nm工藝，計劃2012年下半年將使20nm工藝量產(chǎn)化，2014年則將推進到14nm工藝量產(chǎn)化。同時，對“更摩爾”(MoreMoore)微細化以外追求差異化的“超摩爾”(MorethanMoore)的量產(chǎn)器件，也將推進微細化以降低成本。

　　SIA(美國半導體工業(yè)協(xié)會)于去年底在韓國首次公布了《2011ITRS》(2011年國際半導體技術發(fā)展路線圖)，對半導體設計和制造技術到2026年的發(fā)展作了預測。SIA總裁BrianToohey說，路線圖的宗旨之一是遵循摩爾定律的發(fā)展速度，不斷縮小工藝尺寸、提高性能以滿足消費者的需求。ITRS特別指出，DRAM將加速發(fā)展以因應高端服務器、臺式游戲機復雜圖形的進步。廣泛用于數(shù)碼相機、平板電腦和手機的Flash閃存近幾年內(nèi)也將快速發(fā)展，2016年將出現(xiàn)3D架構產(chǎn)品。此外，也詳細介紹了連接器、開關、有關器件、材料以及射頻和模擬混合信號技術的未來革新。