美光、三星將聯(lián)合研發(fā)“夾心餅干”內存
—— 目標是盡快使其實用化進入工業(yè)化生產階段
之前我們曾經提到過美光開發(fā)的“夾心餅干”內存技術即HMC(Hyper Memory Cube),該公司還聯(lián)合Intel在IDF 2011舊金山開發(fā)者論壇上展示了相關樣品。10月6日,美光宣布將和存儲芯片業(yè)界龍頭韓國三星電子一起研發(fā)HMC這種新的內存架構,目標是盡快使其實用化,進入工業(yè)化生產階段。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/124339.htmHMC是采用硅穿孔(TSV,Through Silicon Via)技術,將多個芯片堆疊在一起,采用一個邏輯層控制的新內存架構方案??蓸O大提高內存帶寬,能耗比效率是目前低電壓版DDR3內存的7倍,性能是其15倍之多。
而HMC技術最大的挑戰(zhàn)就是內存的實際封裝問題,相信在業(yè)界龍頭Intel、美光、三星的合力攻關之下一定會有對應的解決方法。
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