HEMT
高電子遷移率晶體管 HEMT high-electron mobility transistor 一種異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，為MESFE的變型。此術(shù)語由富士通(Fujitsu)公司提出。高速電子遷移率晶體管...... [查看詳細(xì)]
