CGD的ICeGaN HEMT榮獲臺積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統(tǒng) (SoC) 在臺積電 2023 年歐洲技術研討會創(chuàng)新區(qū)榮獲“最佳演示”獎。

CGD 的 ICeGaN 已使用臺積電的 GaN 工藝技術為全球客戶進行大批量生產，將典型外部驅動電路的復雜性引入單片集成的 GaN HEMT 中。這一概念減少了 PCB 級的元件數量，并顯著提高功率晶體管和整個系統(tǒng)的穩(wěn)健性和可靠性，同時使用戶能夠將其與所選的柵極驅動器耦合。這一概念可以輕松擴展到更高的功率和電壓，這也是 CGD 正在積極追求的目標。ICeGaN 作為行業(yè)首創(chuàng)，可以像 Si MOSFET 一樣驅動 GaN eMode HEMT。正是因為 ICeGaN 給市場帶來的差異化特性，創(chuàng)新區(qū)參觀者將其評選為“最佳演示”。創(chuàng)新區(qū)是臺積電在歐洲最大的年度活動中為初創(chuàng)客戶展示尖端產品的地方。

GiorGIA LONGOBARDI | CGD 首席執(zhí)行官

“CGD 認可臺積電在高壓 GaN 領域的領導地位，我們相信他們擁有業(yè)界最成熟、最可靠的工藝，所以我們選擇由臺積電生產我們的專有 ICeGaN 技術 SoC。因此，我們也很高興獲得臺積電久負盛名的創(chuàng)新獎。

這對我們來說具有重要意義，因為創(chuàng)新是 CGD 的關鍵價值觀之一，我們的目標是憑借技術取得領先地位。該獎項也真實地展示了我們兩家公司在將顛覆行業(yè)的創(chuàng)新 GaN 技術推向市場方面所取得的成功?！?/p>

Paul de Bot | 臺積電歐洲區(qū)總經理

“我們對   CGD 表示最熱烈的祝賀，其創(chuàng)新技術能夠獲得此獎項，的確實至名歸。臺積電很高興與 CGD 合作，向全球開發(fā)各種應用的公司大批量供應易于使用的 650V ICeGaN GaN 晶體管。我們期待與他們在 GaN 功率半導體技術領域的密切合作?！?/p>

近期剛剛上市的 ICeGaN H2 單芯片 eMode GaN HEMT 是我們的第二代 650V GaN IC，在空載到輕載工作中表現出創(chuàng)紀錄的低損耗特性，這對于許多消費和工業(yè)應用至關重要。CGD 與 H1 產品組合一起，在這次著名的臺積電歐洲活動和全球多個知名會議上展示了 65W 至 3kW 整個范圍內的最高效率和可靠性。CGD 力爭在不久的將來擴展其產品組合。

ICeGaN 在功率晶體管芯片內包含單片集成 GaN 接口電路。這簡化了它們的使用方法，使它們能夠像硅 MOSFET 一樣驅動，而不需要特殊的柵極驅動器、復雜且有損耗的驅動電路、負電壓電源或外部鉗位元件。這種創(chuàng)新設計使器件極其堅固可靠，同時實現了現有 eMode GaN 技術中的最高性能。