CGD的ICeGaN HEMT榮獲臺(tái)積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統(tǒng) (SoC) 在臺(tái)積電 2023 年歐洲技術(shù)研討會(huì)創(chuàng)新區(qū)榮獲“最佳演示”獎(jiǎng)。

CGD 的 ICeGaN 已使用臺(tái)積電的 GaN 工藝技術(shù)為全球客戶進(jìn)行大批量生產(chǎn)，將典型外部驅(qū)動(dòng)電路的復(fù)雜性引入單片集成的 GaN HEMT 中。這一概念減少了 PCB 級(jí)的元件數(shù)量，并顯著提高功率晶體管和整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)健性和可靠性，同時(shí)使用戶能夠?qū)⑵渑c所選的柵極驅(qū)動(dòng)器耦合。這一概念可以輕松擴(kuò)展到更高的功率和電壓，這也是 CGD 正在積極追求的目標(biāo)。ICeGaN 作為行業(yè)首創(chuàng)，可以像 Si MOSFET 一樣驅(qū)動(dòng) GaN eMode HEMT。正是因?yàn)?ICeGaN 給市場(chǎng)帶來的差異化特性，創(chuàng)新區(qū)參觀者將其評(píng)選為“最佳演示”。創(chuàng)新區(qū)是臺(tái)積電在歐洲最大的年度活動(dòng)中為初創(chuàng)客戶展示尖端產(chǎn)品的地方。

GiorGIA LONGOBARDI | CGD 首席執(zhí)行官

“CGD 認(rèn)可臺(tái)積電在高壓 GaN 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，我們相信他們擁有業(yè)界最成熟、最可靠的工藝，所以我們選擇由臺(tái)積電生產(chǎn)我們的專有 ICeGaN 技術(shù) SoC。因此，我們也很高興獲得臺(tái)積電久負(fù)盛名的創(chuàng)新獎(jiǎng)。

這對(duì)我們來說具有重要意義，因?yàn)閯?chuàng)新是 CGD 的關(guān)鍵價(jià)值觀之一，我們的目標(biāo)是憑借技術(shù)取得領(lǐng)先地位。該獎(jiǎng)項(xiàng)也真實(shí)地展示了我們兩家公司在將顛覆行業(yè)的創(chuàng)新 GaN 技術(shù)推向市場(chǎng)方面所取得的成功?！?/p>

Paul de Bot | 臺(tái)積電歐洲區(qū)總經(jīng)理

“我們對(duì)   CGD 表示最熱烈的祝賀，其創(chuàng)新技術(shù)能夠獲得此獎(jiǎng)項(xiàng)，的確實(shí)至名歸。臺(tái)積電很高興與 CGD 合作，向全球開發(fā)各種應(yīng)用的公司大批量供應(yīng)易于使用的 650V ICeGaN GaN 晶體管。我們期待與他們?cè)?nbsp;GaN 功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的密切合作?！?/p>

近期剛剛上市的 ICeGaN H2 單芯片 eMode GaN HEMT 是我們的第二代 650V GaN IC，在空載到輕載工作中表現(xiàn)出創(chuàng)紀(jì)錄的低損耗特性，這對(duì)于許多消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用至關(guān)重要。CGD 與 H1 產(chǎn)品組合一起，在這次著名的臺(tái)積電歐洲活動(dòng)和全球多個(gè)知名會(huì)議上展示了 65W 至 3kW 整個(gè)范圍內(nèi)的最高效率和可靠性。CGD 力爭(zhēng)在不久的將來擴(kuò)展其產(chǎn)品組合。

ICeGaN 在功率晶體管芯片內(nèi)包含單片集成 GaN 接口電路。這簡化了它們的使用方法，使它們能夠像硅 MOSFET 一樣驅(qū)動(dòng)，而不需要特殊的柵極驅(qū)動(dòng)器、復(fù)雜且有損耗的驅(qū)動(dòng)電路、負(fù)電壓電源或外部鉗位元件。這種創(chuàng)新設(shè)計(jì)使器件極其堅(jiān)固可靠，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有 eMode GaN 技術(shù)中的最高性能。