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EEPW首頁 >> 主題列表 >> z-trak 3d apps studio

鎧俠公布藍(lán)圖：2027年實(shí)現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

  • 近日，據(jù)媒體報(bào)道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實(shí)現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預(yù)測到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時(shí)間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報(bào)道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會春季學(xué)術(shù)演講會上表示，公司計(jì)劃于2030至2031
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%

  • 6月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個(gè)測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元，其中超過一半（即561個(gè)）為良
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西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場

  • ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析，幫助應(yīng)對從芯片設(shè)計(jì)和?3D?組裝的早期探索到項(xiàng)目?Signoff?過程中的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進(jìn)的設(shè)計(jì)工具，能夠在整個(gè)設(shè)計(jì)流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
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最新imc STUDIO 2024測量控制管理軟件

  • Axiometrix Solutions工業(yè)測試集團(tuán)旗下制造商imc Test & Measurement，發(fā)布了最新版imc STUDIO 2024，適用于整個(gè)測量流程。本次更新最重要的新功能包括更高效地輸入和管理元數(shù)據(jù)，以便更好地記錄測試結(jié)果和邊界條件；支持和簡化測量麥克風(fēng)校準(zhǔn)，升級后處理中靈活擴(kuò)展數(shù)據(jù)分析選項(xiàng)的Python?接口?？偠灾琲mc STUDIO 2024的各項(xiàng)功能和操作性能得到了進(jìn)一步提升，可同時(shí)處理包含數(shù)百個(gè)活躍通道的實(shí)驗(yàn)配置，響應(yīng)速度顯著加快。提升運(yùn)行速度和響應(yīng)性能為了讓
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

  • IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

  • 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項(xiàng)國際專利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對頻段數(shù)量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見的射頻干擾問題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)

  • 近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會，公布2024年第一季財(cái)報(bào)，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運(yùn)效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲

  • 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進(jìn)的點(diǎn)云

  • Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺相機(jī)的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點(diǎn)云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當(dāng)在高端GPU上運(yùn)行時(shí)，我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
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歐姆龍選用Wind River Studio加速工業(yè)邊緣平臺發(fā)展

  • 歐姆龍公司已在運(yùn)用Wind River Studio Pipelines(流水線)中的工作流程自動化功能，以及Wind River Studio Virtual Lab（虛擬實(shí)驗(yàn)室） 和Wind River Studio Test Automation（測試自動化）中的云原生測試功能來提高開發(fā)效率。該公司在系統(tǒng)開發(fā)工作中還將把風(fēng)河生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴的工具整合到自動化框架之中。通過構(gòu)建緊密融合信息和運(yùn)營技術(shù)(IT和OT)的尖端平臺，歐姆龍希望在制造業(yè)獲得更高的經(jīng)濟(jì)效益和社會效益。為了提高制造車間的生產(chǎn)率，必須
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最新版本W(wǎng)ind River Studio Developer為智能邊緣采用DevSecOps鋪平道路

  • 全球領(lǐng)先的關(guān)鍵任務(wù)智能系統(tǒng)軟件提供商風(fēng)河公司近日發(fā)布了最新版本W(wǎng)ind River Studio Developer。這是一個(gè)邊緣到云的DevSecOps平臺，旨在加快關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)的開發(fā)、部署和運(yùn)營。Wind River Studio新增強(qiáng)的功能和交付模式可以幫助軟件團(tuán)隊(duì)更輕松、更成功地引入云原生開發(fā)功能，從而讓他們更加適應(yīng)正在推行的DevSecOps方法。開發(fā)新一代云互聯(lián)系統(tǒng)的道路已經(jīng)顯露出異乎尋常的復(fù)雜度，因而需要為軟件生命周期引入DevSecOps方法?，F(xiàn)代化的云原生工具和技術(shù)能夠支持軟件團(tuán)隊(duì)快速創(chuàng)
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3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)

  • 在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問題越來越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
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瑞薩Quick Connect Studio實(shí)現(xiàn)顛覆性改變，賦予設(shè)計(jì)師并行開發(fā)軟硬件的能力

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布其基于云的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)平臺Quick Connect Studio推出全新功能并擴(kuò)展產(chǎn)品覆蓋范圍。Quick Connect Studio讓用戶能夠以圖形化方式實(shí)現(xiàn)硬件和軟件的協(xié)同優(yōu)化，從而快速驗(yàn)證原型設(shè)計(jì)并加速產(chǎn)品開發(fā)。Quick Connect Studio助力工程師能夠在云平臺上以圖形方式拖放器件和設(shè)計(jì)模塊，從而創(chuàng)造自己的解決方案。在放置每個(gè)模塊后，用戶可以自動生成、編譯和構(gòu)建基礎(chǔ)軟件，這是向無代碼開發(fā)范式的重大轉(zhuǎn)變，使得構(gòu)建量產(chǎn)級軟件就像拼接積木一樣簡單，
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3D NAND，1000層競爭加速！

  • 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會春季會議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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