ultra c sic 文章進(jìn)入ultra c sic技術(shù)社區(qū)

第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層

柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個(gè)關(guān)注點(diǎn)。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點(diǎn)介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時(shí)必須考慮到這一點(diǎn)。首先，與Si相比，SiC的熱氧化速率低。因此，該過程需要很長時(shí)間，而且還需要高溫。在SiC的熱氧
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) SiC 柵極絕緣層

第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入

離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實(shí)現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。SiC的雜質(zhì)原子擴(kuò)散系數(shù)非常小，因此無法利用熱擴(kuò)散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結(jié)構(gòu)（形成pn結(jié)）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術(shù)：在SiC中進(jìn)行離子注入時(shí)，對于n型區(qū)域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區(qū)域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩(wěn)定地進(jìn)行高濃度的Al離子注入，需
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) SiC

全球 33 家 SiC 制造商進(jìn)展概覽

SiC 功率器件市場規(guī)模逐年擴(kuò)大，并將保持高速增長。
關(guān)鍵字： SiC 功率器件

意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護(hù)功能

意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。STGAP3S 在柵極驅(qū)動(dòng)通道與低壓控制和接口電路之間采用增強(qiáng)型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達(dá)到 200V/ns。通過采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動(dòng)化、家電等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的可靠性。新驅(qū)動(dòng)器還適合電源和能源應(yīng)用，包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 IGBT SiC MOSFET

東芝推出具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測試樣品，供客戶評估。當(dāng)?shù)湫蚐iC MOSFET的體二極管在反向傳導(dǎo)操作[3]期間雙極通電時(shí)，其可靠性會因?qū)娮柙黾佣档汀|芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結(jié)構(gòu)來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
關(guān)鍵字：東芝低導(dǎo)通電阻牽引逆變器 SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)逆變器

小米SU7 Ultra高性能電動(dòng)汽車開啟預(yù)訂

小米已開始在中國接受SU7轎車的高性能版本SU7 Ultra的預(yù)訂，起售價(jià)為814,900元（約合114,400美元）。據(jù)小米介紹，SU7 Ultra搭載了與小米SU7 Ultra原型車相同的三電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和電池組。該車型的三電機(jī)系統(tǒng)最高輸出功率可達(dá)1,548馬力，峰值扭矩達(dá)1,770?！っ祝蛊浒俟锛铀賰H需1.98秒，最高時(shí)速可達(dá)350公里/小時(shí)。這款注重性能的跑車配備了碳陶瓷制動(dòng)盤和高性能Akebono制動(dòng)卡鉗。為了減輕車身重量，車頂、后視鏡外殼及側(cè)裙飾件均采用碳纖維材質(zhì)。SU7 Ultra的電池由
關(guān)鍵字：小米 SU7 Ultra 電動(dòng)汽車

小米 SU7 Ultra 量產(chǎn)版車型由于道路法規(guī)限制，前鏟、尾翼部分設(shè)計(jì)較原型車做明顯縮減

11 月 5 日消息，小米汽車昨晚繼續(xù)發(fā)布答網(wǎng)友問（第八十一集），此次對于 SU7 Ultra 量產(chǎn)版車型和原型車之間的設(shè)計(jì)差異作出解答。問答中提到，小米 SU7 Ultra 量產(chǎn)版車型由于道路法規(guī)限制，前鏟、尾翼部分設(shè)計(jì)較原型車進(jìn)行明顯縮減。整理此次問答詳情內(nèi)容如下：小米 SU7 Ultra 中大量使用的 Alcantara 是什么，和翻毛皮、仿麂皮比有什么優(yōu)勢？Alcantara 是一種人工合成環(huán)保材料，主要應(yīng)用于高性能豪華汽車品牌的內(nèi)飾中。具有色澤豐富、柔軟細(xì)膩、防滑耐磨、輕量化
關(guān)鍵字：小米新能源汽車 SU7 Ultra

瑞薩攜手英特爾，為英特爾全新酷睿Ultra 200V系列處理器打造先進(jìn)電源管理解決方案

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布與英特爾攜手，推出一款電源管理解決方案，為搭載英特爾?全新酷睿? Ultra 200V系列處理器的筆記本電腦實(shí)現(xiàn)最佳的電池效率。瑞薩同英特爾緊密合作，開發(fā)出創(chuàng)新的定制化電源管理芯片（PMIC），全面滿足最新一代英特爾處理器的電源管理需求。這款先進(jìn)且高度集成的PMIC，配合預(yù)穩(wěn)壓器和電池充電器，面向采用全新英特爾處理器的個(gè)人電腦提供一站式解決方案。這三款全新器件協(xié)同工作，為客戶端筆記本電腦，特別是運(yùn)行高功耗人工智能（AI）應(yīng)用的筆記本電腦，提供了量身定制的高效電源解決
關(guān)鍵字：瑞薩英特爾 Ultra 200V 電源管理

英偉達(dá)將Blackwell Ultra產(chǎn)品更名為B300系列，預(yù)計(jì)2025年將推動(dòng)CoWoS-L增長

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，NVIDIA（英偉達(dá)）近期將其所有Blackwell Ultra產(chǎn)品更名為B300系列，預(yù)估明年將策略性主推B300和GB300等采用CoWoS-L的GPU產(chǎn)品，這將提升對先進(jìn)封裝技術(shù)的需求量。英偉達(dá)將原B200 Ultra更名為B300、GB200 Ultra更名為GB300，B200A Ultra和GB200A Ultra則分別調(diào)整為B300A和GB300A。B300系列產(chǎn)品按原規(guī)劃將于2025年第二季至第三季間開始出貨。至于B200和GB200，預(yù)計(jì)將在
關(guān)鍵字：英偉達(dá) Blackwell Ultra B300 CoWoS-L TrendForce

業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列

Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管，這是市場上首款非對稱瞬態(tài)抑制解決方案，專為保護(hù)碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開關(guān)速度更快、效率更高，因此越來越受到歡迎，對穩(wěn)健柵極保護(hù)的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創(chuàng)新的單元件解決方案，在簡化設(shè)計(jì)的同時(shí)顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
關(guān)鍵字： SiC MOSFET柵極保護(hù) 非對稱瞬態(tài)抑制二極管 Littelfuse

進(jìn)擊的中國碳化硅

中國碳化硅廠商把價(jià)格打下來了。
關(guān)鍵字： SiC

全球有多少個(gè)8英寸碳化硅晶圓廠？

全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
關(guān)鍵字： SiC

利用SiC模塊進(jìn)行電動(dòng)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

壓縮機(jī)是汽車空調(diào)的一部分，它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經(jīng)冷凝器，節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱，實(shí)現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動(dòng)機(jī)為動(dòng)力，通過皮帶帶動(dòng)壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。而新能源汽車脫離了發(fā)動(dòng)機(jī)，以電池為動(dòng)力，通過逆變電路驅(qū)動(dòng)無刷直流電機(jī)，從而帶動(dòng)壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)空調(diào)的冷熱交換功能。電動(dòng)壓縮機(jī)是電動(dòng)汽車熱管理的核心部件，除了可以提高車廂內(nèi)的環(huán)境舒適度（制冷，制熱）以外，對電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的溫度控制發(fā)揮著重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續(xù)航里程都至關(guān)重要。圖1.電動(dòng)壓縮機(jī)是電動(dòng)汽車熱管理的核心部件電動(dòng)壓縮機(jī)需
關(guān)鍵字：壓縮機(jī) 汽車空調(diào) SiC

意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世！為下一代電動(dòng)汽車電驅(qū)逆變器量身定制

意法半導(dǎo)體（簡稱ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時(shí)，意法半導(dǎo)體還針對電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計(jì)劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導(dǎo)體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動(dòng)電動(dòng)汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
關(guān)鍵字： STPOWER SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)逆變器

東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽能逆變器、電動(dòng)汽車充電站和開關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結(jié)勢壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢壘中使用新型金屬，有
關(guān)鍵字：東芝 SiC 肖特基勢壘二極管工業(yè)電源