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基于SRAM和DRAM結構的大容量FIFO的設計

分別基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E，介紹了采用兩種不同的RAM結構，通過CPLD來設計并實現(xiàn)大容量FIFO的方法。
關鍵字： SRAM DRAM FIFO 大容量

ATmegal28擴展512KB掉電保護SRAM方案

　　如今，電子技術發(fā)展迅猛，尤其是單片機已廣泛地應用于通信、交通、家用電器、便攜式智能儀表和機器人制作等領域，產(chǎn)品功能、精度和質(zhì)量均有大幅度提高，且電路簡單，故障率低，可靠性高，價格低廉。在單片機的某些應用中，如果不對系統(tǒng)的外部SRAM進行擴展，就不能滿足系統(tǒng)設計的要求。因此如何擴展、擴展什么類型的芯片、擴展的容量多大就成為值得考慮的問題。這個問題解決的好與壞直接關系到項目的成敗。本文介紹在AVR ATmegal28中如何實現(xiàn)擴展掉電數(shù)據(jù)不丟失的512 KB SRAM的方案。　　1 系統(tǒng)硬件結構　
關鍵字： ATmegal28 SRAM

TMS320C61416 EMIF下雙FPGA加載設計

　　基于SRAM結構的FPGA容量大，可重復操作，應用相當廣泛;但其結構類似于SRAM，掉電后數(shù)據(jù)丟失，因此每次上電時都需重新加載。　　目前實現(xiàn)加載的方法通常有兩種：一種是用專用Cable通過JTAG口進行數(shù)據(jù)加載，另一種是外掛與該FPGA廠商配套的PROM芯片。前者需要在PC機上運行專用的加載軟件，直接下載到FPGA片內(nèi)，所以掉電數(shù)據(jù)仍然會丟失，只適用于FPGA調(diào)試階段而不能應用于工業(yè)現(xiàn)場的數(shù)據(jù)加載。　　后者雖然可以解決數(shù)據(jù)丟失問題，但這種專用芯片成本較高，供貨周期也較長(一般大于2個月)，使F
關鍵字： SRAM TMS320C61416 FPGA

鐵電存儲器1T單元C-V特性的計算機模擬

　　鐵電存儲器同時具備可存儲大量資料的動態(tài)隨機存儲器DRAM)與高速運作的靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的優(yōu)點，且在斷電后，資料不會消失，亦具備快閃存儲器的優(yōu)點。在所有非易失性存儲器(NVM)中，鐵電存儲器件被認為是最有吸引力的用于IT的存儲器件之一[1]。1T單元體積更小，集成度更高。特別是這種方式易于實現(xiàn)多值存儲，在相同規(guī)模下可以達到更高的存儲容量，因而在提高性價比方面具有極大的優(yōu)勢。　　為了系統(tǒng)地從理論上研究鐵電存儲器IT單元特性，米勒首先提出了數(shù)學模型[2]。后人也有用實驗數(shù)據(jù)、依據(jù)實驗數(shù)據(jù)得到的
關鍵字：存儲器 SRAM NVM 存儲器

基于DBL結構的嵌入式64kb SRAM的低功耗設計

針對嵌入式系統(tǒng)的低功耗要求，采用位線分割結構和存儲陣列分塊譯碼結構，完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設計。與一般布局的存儲器相比，采用這兩種技術使存儲器的功耗降低了43% ，而面積僅增加了18%。
關鍵字： DBL 嵌入式系統(tǒng) SRAM 低功耗嵌入式

從過去到未來

如果你認為過去的歸過去，未來的歸未來，那么你就錯了，因為沒有過去就不會有現(xiàn)在，沒有現(xiàn)在當然就不會有未來。然而過去、現(xiàn)在、未來之間是如何相互依存的呢？從某方面來說這是神秘難以解答的一件事，但簡單來講就是靠記憶的作用，過去雖然不存在了，卻可以回想，未來雖然還沒有決定，現(xiàn)在卻可以一步步去計劃、設想與實踐
關鍵字： NVM SRAM DRAM

基于SRAM編程技術的PLD核心可重構電路結構設計

本文針對 CPLD的核心可編程結構：P-Term和可編程互連線，采用2.5V、0.25μmCMOS工藝設計了功能相近的基于SRAM編程技術的可重構電路結構。
關鍵字： SRAM PLD 編程技術核心

用單片機實現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應用

　　摘要：首先對采用SRAM工藝的FPGA的保密性和加密方法進行原理分析，然后提出一種實用的采用單片機產(chǎn)生長偽隨機碼實現(xiàn)加密的方法，并詳細介紹具體的電路和程序。關鍵詞：靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）加密　　在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進行克隆
關鍵字：靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）加密 MCU和嵌入式微處理器

單片機SRAM工藝的FPGA加密應用

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進行克隆設計。因此，在關鍵、核心設備中，必須采用加密技術保護設計者的知識產(chǎn)權。 1　基于SRAM工藝FPGA的保密性問題通常，采用SRAM工藝的
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 SRAM FPGA 加密嵌入式

2007年6月12日，瑞薩開發(fā)出32納米及以上工藝片上SOI SRAM前瞻技術

　　2007年6月12日，瑞薩開發(fā)出一種可在32 nm(納米)及以上工藝有效實現(xiàn)SRAM的技術，以用于集成在微處理器或SoC(系統(tǒng)級芯片)中的片上SRAM。
關鍵字：瑞薩 SRAM Renesas

揚長補短發(fā)展FeRAM

　　存儲器在半導體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數(shù)據(jù)計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應用領域也因這一特性而是涇渭分明。　　易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術，包
關鍵字： DRAM FeRAM RAM SRAM 存儲器

瑞薩科技與松下開發(fā)新SRAM制造技術

　　瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布，共同開發(fā)出一種新技術，可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS的SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）穩(wěn)定工作。這種SRAM可嵌入在SoC（系統(tǒng)(集成)芯片）器件和微處理器（MPU）當中。經(jīng)測試證實，采用該技術的512Kb SRAM的實驗芯片，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩(wěn)定工作，而且在工藝發(fā)生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實驗的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產(chǎn)，集成了兩種不同的存儲單元設計，一個元
關鍵字： SRAM 瑞薩科技松下存儲器

新一代非易失性存儲器——NVSRAM的原理和應用

摘要：本文介紹了針對高端存儲應用的最新非易失性存儲器NVSRAM。可以根據(jù)應用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲器架構。關鍵詞： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM 概述眾所周知，在非易失性存儲器領域，市場熱度節(jié)節(jié)攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫，即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲器，并介紹NVSRAM的特點和優(yōu)勢， NVSRAM 的應用以及工作方式。非易失性存儲器應用
關鍵字： 0701_A NVSRAM SRAM 消費電子雜志_技術長廊存儲器消費電子

用單片機實現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應用

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進行克隆設計。因此，在關鍵、核心設備中，必須采用加密技術保護設計者的知識產(chǎn)權。 1　基于SRAM工藝FPGA的保密性問題　　通常，采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法主要有三種：由計算機通過下載電纜配置、用專用配置芯片（如Altera公司的EPCX系列芯片）配置、采用存儲器
關鍵字： FPGA SRAM 單片機加密嵌入式系統(tǒng) 存儲器

網(wǎng)絡應用中的SRAM

引言同步SRAM的傳統(tǒng)應用領域是搜索引擎，用于實現(xiàn)算法。在相當長的一段時間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術的出現(xiàn)，系統(tǒng)設計師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計數(shù)器、統(tǒng)計、包緩沖、隊列管理和存儲分配器。如今，人們對所有路由器和交換機的要求都不僅限于FIB(轉(zhuǎn)發(fā)信息庫)搜索。計數(shù)器需要跟蹤接受服務的信息包數(shù)量，并獲取統(tǒng)計數(shù)據(jù)來解決帳單編制問題。通過統(tǒng)計來連續(xù)監(jiān)視網(wǎng)絡(被稱為NetFlow)，從而完成問題檢測和判定。隨著每個信息包處理量的增加，需要采用包
關鍵字： IPV6 SRAM 存儲器通訊網(wǎng)絡無線存儲器

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sram介紹

　　SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [ 查看詳細 ]