sram 文章進(jìn)入sram技術(shù)社區(qū)

富士通半導(dǎo)體與SuVolta攜手合作

富士通半導(dǎo)體有限公司和SuVolta，Inc今日宣布，通過(guò)將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))模塊可以正常運(yùn)行。這些技術(shù)降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果將會(huì)在12月5日開(kāi)始在華盛頓召開(kāi)的2011年國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表。
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新型高可靠性低功耗6管SRAM單元設(shè)計(jì)

摘要：提出一種新型的6管SRAM單元結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)采用讀／寫(xiě)分開(kāi)技術(shù)，從而很大程度上解決了噪聲容限的問(wèn)題，并且該結(jié)構(gòu)在數(shù)據(jù)保持狀態(tài)下，采用漏電流以及正反饋保持?jǐn)?shù)據(jù)，從而不需要數(shù)據(jù)的刷新來(lái)維持?jǐn)?shù)據(jù)。仿真顯示了正
關(guān)鍵字：單元設(shè)計(jì) SRAM 功耗可靠性新型

非易失性SRAM DS1747

DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶(hù)可通過(guò)如圖1所示的 ...
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Altera 選擇賽普拉斯的高容量QDR?II 和 QDRII+ SRAM器件用于28 納米 Stratix V FPGA 開(kāi)發(fā)套件

2011年10月24日，北京訊，加州圣何塞訊——SRAM領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先者賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克股票代碼：CY）日...
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科學(xué)家研制出新型鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

　　據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，美國(guó)科學(xué)家們正在研制一種新的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備——鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲(chǔ)設(shè)備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。研究發(fā)表在美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)的《納米快報(bào)》雜志上。　
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嵌入式MIPS32 M4K處理器內(nèi)核SRAM接口應(yīng)用

嵌入式MIPS32 M4K處理器內(nèi)核SRAM接口應(yīng)用, 在微控制器尺寸和成本的限制下，M4K內(nèi)核內(nèi)部不支持指令高速緩存(I-cache)或數(shù)據(jù)高速緩存(D-cache)的標(biāo)準(zhǔn)功能。本文重點(diǎn)討論的一個(gè)內(nèi)容--SRAM接口，這是MIPS32 M4K內(nèi)核的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)功能?！　4K內(nèi)核SRAM接口基本描述
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基于SRAM的可重配置電路PLD

本文介紹了一種基于微控制器的PLD ICR控制電路，該控制電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、占用空間小、性?xún)r(jià)比較高，適用于需要ICR功能的電子裝置中，該ICR控制電路是為配置ALTERR系列PLD器件來(lái)設(shè)計(jì)的，稍加屐也適用于XILINX公司的FPGA器件。這個(gè)配置電路的主要弱點(diǎn)在于配置速率較慢，只能適應(yīng)用于配置速率要求不高的應(yīng)用。
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賽普拉斯推出32位總線(xiàn)寬度低耗異步SRAM

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出具有 32 位總線(xiàn)寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更長(zhǎng)電池使用壽命)異步 SRAM。這些器件的推出進(jìn)一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的 SRAM 產(chǎn)品系列(包括高性能同步、異步和微功耗器件)。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能，從而充分滿(mǎn)足電信、計(jì)算機(jī)、外設(shè)、消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。　　
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賽普拉斯推出全球首批低功耗異步SRAM

賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克股票代碼：CY）日前宣布推出具有 32 位總線(xiàn)寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL （更長(zhǎng)電池使用壽命）異步 SRAM。這些器件的推出進(jìn)一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的 SRAM 產(chǎn)品系列（包括高性能同步、異步和微功耗器件）。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能，從而充分滿(mǎn)足電信、計(jì)算機(jī)、外設(shè)、消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。
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Cortex―M3的SRAM單元故障軟件的自檢測(cè)研究

Cortex―M3的SRAM單元故障軟件的自檢測(cè)研究,引言
目前，對(duì)于存儲(chǔ)單元SRAM的研究都是基于硬件電路來(lái)完成，而且這些方法都是運(yùn)用在生產(chǎn)過(guò)程中，但是生產(chǎn)過(guò)程并不能完全杜絕SRAM的硬件故障。在其使用過(guò)程中，如果SRAM硬件出錯(cuò)，將導(dǎo)致程序出錯(cuò)而且很難被發(fā)現(xiàn)
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四倍速SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計(jì)

互聯(lián)網(wǎng)的飛速發(fā)展極大地促進(jìn)了高速數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的需求量增加，同時(shí)也促進(jìn)了更快速的處理器的發(fā)展，推動(dòng)了存儲(chǔ)器...
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QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計(jì)

QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計(jì),為了滿(mǎn)足當(dāng)前系統(tǒng)和處理器的生產(chǎn)量需求，更新的靜態(tài)存儲(chǔ)器應(yīng)運(yùn)而生。QDR SRAM就是由Cypress、Renesas、IDT、NEC和Samsung為高性能的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)應(yīng)用而共同開(kāi)發(fā)的一種具有創(chuàng)新體系結(jié)構(gòu)的同步靜態(tài)存儲(chǔ)器?！　? QDR SRAM的
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QDR聯(lián)盟推出新型最高速的QDR SRAM

　　北京訊，包括賽普拉斯半導(dǎo)體公司(NASDAQ:CY)和瑞薩電子公司(TSE: 6723)在內(nèi)的QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。這些新型存儲(chǔ)器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633兆赫茲(MHz)的時(shí)鐘頻率允許。這些器件將與現(xiàn)有的QDR II+器件在管腳、尺寸和功能方面兼容，從而使網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、路由器及聚合平臺(tái)制造商不必修改電路板設(shè)計(jì)，只需提高系統(tǒng)內(nèi)時(shí)鐘速度即可大幅改善產(chǎn)品性能?！?/li>
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AM-OLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片中內(nèi)置SRAM的設(shè)計(jì)

摘要：詳細(xì)描述了一種內(nèi)置于AM-OLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片中的單端口SRAM電路的設(shè)計(jì)方法，提出了一種解決SRAM訪(fǎng)問(wèn)時(shí)序沖突問(wèn)題的仲裁算法。同時(shí)給出了基于0．18mu;m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計(jì)的一款大小為320x240x18位的SRAM電路。通過(guò)
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Finfet+平面型架構(gòu)混合體：傳Intel近期將公布22nm節(jié)點(diǎn)制程工藝細(xì)節(jié)

　　據(jù)消息來(lái)源透露，Intel公司近期可能會(huì)公開(kāi)其22nm制程工藝的部分技術(shù)細(xì)節(jié)，據(jù)稱(chēng)Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來(lái)源還稱(chēng)Intel“很快就會(huì)”對(duì)外公開(kāi)展示一款基于這種22nm制程的處理器實(shí) 物。不過(guò)記者詢(xún)問(wèn)Intel發(fā)言人后得到的答復(fù)則是:"我們不會(huì)對(duì)流言或猜測(cè)進(jìn)行評(píng)論。" 　　盡管早在2009年Intel高管Mark Bohr便曾公開(kāi)過(guò)其22nm制程SRA
關(guān)鍵字： Intel 22nm SRAM

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sram介紹

　　SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě)，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對(duì)DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一 [ 查看詳細(xì) ]