sram 文章進(jìn)入sram技術(shù)社區(qū)

汽車TFT彩屏儀表開發(fā)技巧

摘要：本文基于飛思卡爾的MPC5606S芯片，介紹了MPC5606S針對(duì)TFT彩屏控制的顯示器控制模塊(DCU)，且對(duì)于TFT彩屏上的各種動(dòng)畫效果，進(jìn)行逐一解析如何在MPC5606S上實(shí)現(xiàn)。
關(guān)鍵字： MPC5606S DCU TFT 汽車儀表 SRAM 201310

MPU還是MCU，不是一個(gè)簡單選擇的問題

當(dāng)為你的下一個(gè)設(shè)計(jì)方案選擇正確的核心處理器件時(shí)，你應(yīng)該考慮哪些因素呢?本文將對(duì)MPU和MCU做些對(duì)比分析，并以此對(duì)器件的選擇給出一些指導(dǎo)性建議和意見。
關(guān)鍵字： MCU MPU ARM DMIPS SRAM

DRAM SRAM SDRAM內(nèi)存精華問題匯總

問題1：什么是DRAM、SRAM、SDRAM？　　答：名詞解釋如下　　DRAM--------動(dòng)態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存 ...
關(guān)鍵字： DRAM SRAM SDRAM

基于SRAM的核心路由器交換矩陣輸入端口設(shè)計(jì)

交換矩陣是核心路由器的重要組成部分，為了避免來自不同輸入端口的信元同時(shí)發(fā)往同一個(gè)輸出端口，需要在輸入端口設(shè)置緩沖區(qū)，即輸入排隊(duì)交換結(jié)構(gòu)。基于靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器完成了交換矩陣輸入端口虛擬輸出隊(duì)列(VOQ)的設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)可以降低核心路由器交換芯片的面積，提高輸入端口緩沖區(qū)信元的響應(yīng)速率，并通過DE-115開發(fā)板完成對(duì)設(shè)計(jì)的驗(yàn)證。
關(guān)鍵字：交換矩陣輸入端口 VOQ SRAM

東芝開發(fā)嵌入式SRAM低功耗技術(shù)智能手機(jī)

　　東芝公司已經(jīng)宣布了一項(xiàng)新的突破，應(yīng)用于嵌入式硬件的智能手機(jī)和移動(dòng)產(chǎn)品市場。東芝公司已經(jīng)宣布成功研究了一個(gè)新的低功耗的嵌入式SRAM技術(shù)。新技術(shù)有望延長智能手機(jī)和其他設(shè)備的電池壽命。東芝表示，新的技術(shù)通過功率計(jì)算器和數(shù)字化控制減少設(shè)備運(yùn)行溫度從常溫到高溫時(shí)的損耗，以路的主電源和備用電源的長時(shí)間運(yùn)行。　　在25°C，這項(xiàng)新技術(shù)在設(shè)備運(yùn)行時(shí)可節(jié)省約85%的損耗，而在設(shè)備待機(jī)時(shí)間可以節(jié)省約27%的的損耗。東芝公司已經(jīng)在2013年在舊金山國際固態(tài)電路會(huì)議上展示這項(xiàng)新技術(shù)。
關(guān)鍵字：東芝嵌入式 SRAM

基于FPGA的SRAM自測試研究

引言

　　SRAM有高速和不用刷新等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛用于高性能的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的提高以及存儲(chǔ)系統(tǒng)多方面的需要，存儲(chǔ)器件日益向高速、高集成方向發(fā)展，在使系統(tǒng)功能強(qiáng)大的同時(shí)，也增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性
關(guān)鍵字： FPGA SRAM 自測試

基于CMOS圖像傳感器的視頻采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)

提出了一種采用Altera公司CycloneⅡ系列的FPGA作為主控芯片，采用OV7670這款CMOS圖像傳感器作為視頻信號(hào)源并采用SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)作為數(shù)據(jù)緩存的實(shí)用方案，實(shí)現(xiàn)了對(duì)圖像傳感器寄存器配置、圖像傳感器輸出信號(hào)采集、圖像數(shù)據(jù)格式轉(zhuǎn)換、圖像數(shù)據(jù)緩存及最終在VGA顯示器上進(jìn)行圖像顯示的一系列過程。該視頻采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)能夠很好地滿足實(shí)時(shí)圖像的輸出需求。
關(guān)鍵字：視頻采集 OV7670 FPGA SRAM VGA

SRAM外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展實(shí)驗(yàn)

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?．掌握89C51單片機(jī)擴(kuò)展外RAM的方法2．了解靜態(tài)RAM使用方法二、實(shí)驗(yàn)說明MCS-51型單片機(jī)內(nèi)有1 ...
關(guān)鍵字： SRAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展實(shí)驗(yàn)

賽普拉斯增加了16-Mbit并行nvSRAM和同步NAND接口

賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼：CY)日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器 (nvSRAM) 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲(chǔ)器。
關(guān)鍵字：賽普拉斯 NAND SRAM

RTN的SRAM誤操作進(jìn)行觀測并模擬的方法簡介

瑞薩電子開發(fā)出了對(duì)起因于隨機(jī)電報(bào)噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進(jìn)行觀測并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計(jì)22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當(dāng)設(shè)定針對(duì)RTN的設(shè)計(jì)余度。該公司已在ldquo
關(guān)鍵字： SRAM RTN 模擬方法

Cortex—M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究

引言目前，對(duì)于存儲(chǔ)單元SRAM的研究都是基于硬件電路來完成，而且這些方法都是運(yùn)用在生產(chǎn)過程中，但是生產(chǎn)過程 ...
關(guān)鍵字： Cortex-3 SRAM 自檢測

詳解s3c44b0 cpu 8K cache SRAM的初始化

關(guān)于s3c44b0的cpu內(nèi)部8Kcache SRAM的初始化問題。主要是因?yàn)閏pu_init()調(diào)用了icache_enable()函數(shù)，而該函數(shù) ...
關(guān)鍵字： s3c44b0 SRAM 初始化

Microchip推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件

　　Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布，推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件，擴(kuò)展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內(nèi)首批5V工作的產(chǎn)品，廣泛適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。這些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了產(chǎn)品組合的低功耗和小型8引腳封裝，成本較低，10,000片起批量供應(yīng)。通過四路SPI或SQI協(xié)議可實(shí)現(xiàn)高達(dá)80 Mbps的速度，為卸載圖形、數(shù)據(jù)緩沖、數(shù)據(jù)記錄、顯示、數(shù)學(xué)、音頻、視頻及其他數(shù)據(jù)密集型功能提供所需的近乎瞬時(shí)數(shù)據(jù)傳送及零寫入時(shí)間。　　
關(guān)鍵字： Microchip SRAM

SoC用低電壓SRAM技術(shù)介紹

東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化，可抑
關(guān)鍵字： SRAM SoC 低電壓

采用FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的設(shè)計(jì)

采用FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的設(shè)計(jì),1 前言　針對(duì)FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點(diǎn)，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來改進(jìn)設(shè)計(jì)的方法，并給出了部分VHDL程序。　　2 硬件設(shè)計(jì)　　這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61LV
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) 設(shè)計(jì) 數(shù)據(jù) 大容量 FPGA SRAM 采用

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sram介紹

　　SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對(duì)DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一 [ 查看詳細(xì) ]