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一文了解SiC MOS的應用

作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現(xiàn)更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調(diào)、新能
關鍵字： SiC MOS 碳化硅 MOSFET

低導通電阻SiC器件在大電流高功率應用中的優(yōu)越性

眾所周知，SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導體材料，因其高擊穿場強、寬禁帶寬度、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應用中使用，可有效突破傳統(tǒng)Si基半導體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開關器件是SiC MOSFET，與傳統(tǒng)Si IGBT相比，SiC材料的優(yōu)異性能配合MOSFET單極開關的特點可以在大功率應用中實現(xiàn)高頻、高效、高能量密度、低成本的目標，從而推動電力電子系統(tǒng)的發(fā)展。圖1: 碳化硅器件應用范圍示意圖1圖2: 典型應用場景對應的功率等級2從技術上講，
關鍵字：低導通電阻 SiC 大電流高功率

SiC 功率器件中的溝槽結構測量

汽車和清潔能源領域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開關速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率器件可以實現(xiàn)這一點。但是，雖然基于溝槽的架構可以降低導通電阻并提高載流子遷移率，但它們也帶來了更高的復雜性。對于 SiC 功率器件制造商來說，準確測量外延層生長和這些溝槽中注入層深度的能力是相當重要的，特別是在面臨不斷增加的制造復雜性時。今天我們分享一下來自Onto Innovation 應用開發(fā)總監(jiān)Nick Keller的文章，來重點介紹下SiC 功率器
關鍵字： SiC 功率器件溝槽結構測量

設計基于SiC的電動汽車直流快速充電機

電動汽車（EV）直流快速充電機繞過安裝在電動汽車上的車載充電機，直接為電池提供快速直流充電。如下圖所示，直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成：圖 1. 直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成在優(yōu)化系統(tǒng)效率的同時最大限度縮短充電時間是直流快速充電機的主要關注點。在設計此類系統(tǒng)時，必須考慮器件選型、電壓范圍和負載要求、運行成本、溫度、堅固性和環(huán)境保護，以及可靠性。相比傳統(tǒng)硅（Si）和 IGBT 器件，基于碳化硅（SiC）的器件由于具有工作溫度更高、導通損耗更小、漏電流
關鍵字： SiC 電動汽車直流快速充電機 Wolfspeed

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項，您知道嗎？

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點介紹M3S產(chǎn)品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
關鍵字： SiC MOSFET RSP

解決補能焦慮，安森美SiC方案助力800V車型加速發(fā)布

800V車型刷屏，高壓SiC車載應用加速普及。實際上，近期有越來越多的國內(nèi)外車企開始加速800V電壓架構車型的量產(chǎn)，多款20-25萬元價格段的標配SiC車型上市。2024年，隨著車企卷價格卷性能戰(zhàn)略推進，將進一步拉動SiC滲透。SiC迎來800V高壓平臺風口◆ 800V架構成為電動汽車主流電動化進程持續(xù)推進，安森美（onsemi）電源方案事業(yè)部汽車主驅方案部門產(chǎn)品總監(jiān)Jonathan Liao指出預計到2030年將有1.5億輛新能源汽車駛上道路。但從消費者角度看購買電動車的兩大顧慮是續(xù)航里程和充電便利性
關鍵字： SiC 逆變器功率模塊

優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長設備通過技術鑒定

6月7日，蘇州優(yōu)晶半導體科技股份有限公司（以下簡稱“優(yōu)晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長設備獲行業(yè)專家認可，成功通過技術鑒定評審。鑒定委員會認為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長設備及工藝成果技術難度大，創(chuàng)新性強，突破了國內(nèi)大尺寸晶體生長技術瓶頸，擁有自主知識產(chǎn)權，經(jīng)濟效益顯著。資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專注于大尺寸（6英寸及以上）導電型SiC晶體生長設備研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長設備，經(jīng)持續(xù)工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機型——UKIN
關鍵字：優(yōu)晶科技 8英寸 SiC 單晶生長設備

恩智浦與采埃孚合作開發(fā)基于SiC的牽引逆變器

6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半導體）在官網(wǎng)披露，其與ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，為電動汽車（EV）開發(fā)基于碳化硅（SiC）的下一代牽引逆變器解決方案。通過利用恩智浦GD316x高壓（HV）隔離柵極驅動器，該解決方案旨在加速800V平臺和SiC功率器件的推廣應用。據(jù)介紹，GD316x產(chǎn)品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器，可延長電動汽車的續(xù)航里程、減少充電停車次數(shù)、同時降低OEM廠商的系統(tǒng)級成本。據(jù)了解，牽引逆變器是電動汽車電力傳動系統(tǒng)的
關鍵字：恩智浦 SiC 逆變器

吉利汽車與ST簽署SiC長期供應協(xié)議，成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室

●? ?意法半導體第三代SiC MOSFET助力吉利相關品牌純電車型提高電驅能效●? ?雙方成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，共同推動節(jié)能智能化電動汽車發(fā)展服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)近日與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌
關鍵字：吉利汽車 ST SiC 意法半導體

意法半導體與吉利汽車簽署SiC長期供應協(xié)議

6月4日，意法半導體（ST）與吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉型。此外，吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構（如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng)）、高級駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車等相關領域的創(chuàng)新解決方案。據(jù)數(shù)據(jù)顯
關鍵字： ST 吉利汽車 SiC

吉利汽車與ST簽署SiC長期供應協(xié)議，深化新能源汽車轉型；成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，推動雙方創(chuàng)新合作

服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉型。此外，吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構（如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng)）、
關鍵字： SiC ADAS 新能源汽車

構建新型能源體系，充電樁市場將迎來高增長

? ?能源是人類生存和發(fā)展的重要物質(zhì)基礎，能源轉型則是當今國際社會關注的焦點問題，隨著全球對環(huán)境保護意識的增強和能源危機的擔憂，新能源市場的需求正在快速增長?！　‘斍叭蚱嚠a(chǎn)業(yè)電動化正在深度推進，在新能源革命浪潮下，新能源汽車產(chǎn)業(yè)成為各國重點發(fā)力方向。隨著新能源汽車技術的日趨成熟，充電基礎設施快速發(fā)展。近年來，我國已建成世界上數(shù)量最多、服務范圍最廣、品種類型最全的充電基礎設施體系。目前按照1公樁=3個私樁的測算，中國2023年增量市場的純電動車的車樁比已經(jīng)1：1，領先世界其它國家數(shù)倍
關鍵字：充電樁新能源汽車 SIC

如何增強 SiC 功率器件的性能與可靠性？垂直整合是關鍵！

電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。事實上，至少在本世紀下半葉之前，SiC功率器件可能會供不應求。而隨著 SiC 襯底應用于 SiC 功率器件，襯底質(zhì)量和制造技術方面取得了哪些進步，以提高器件性能、減少缺陷并增強可靠性？為了優(yōu)化未來 SiC 功率器件的襯底特性，還需要哪些改進和發(fā)展？SiC的可靠性挑戰(zhàn)SiC 是硅和碳的化合物，與硅相比有許多優(yōu)點。SiC 芯片可以在更高溫度下運行，并能有效處理更高電壓，從而增強電動汽車的功率密度
關鍵字： SiC 電動汽車功率器件

第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動方案

第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動方案相比傳統(tǒng)的硅MOSFET，SiC MOSFET可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關。新能源、電動汽車、工業(yè)自動化等領域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導體場效應晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅動方案備受關注。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性，也意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅動方案展開了解，其中包括驅動過電流、過電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
關鍵字：第三代半導體 SiC MOSFET 高效驅動電力電子

Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝

Nexperia近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿足市場對采用D2
關鍵字： Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7

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sic介紹

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細 ]