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東芝推出面向更高效工業(yè)設(shè)備的第三代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開(kāi)始出貨。新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標(biāo)。這樣可以將開(kāi)關(guān)損耗減少大約
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安森美慶祝在新罕布什爾州擴(kuò)張?zhí)蓟韫S

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，昨天美國(guó)時(shí)間舉行了剪彩儀式，慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數(shù)幾乎翻兩番。此擴(kuò)張使安森美能完全控制其SiC制造供應(yīng)鏈，從SiC粉末和石墨原料的采購(gòu)，到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶提供必要的供應(yīng)保證，以滿足對(duì)基于SiC的方案迅速增長(zhǎng)的需求。SiC對(duì)于提高電
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UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購(gòu)）為功率設(shè)計(jì)擴(kuò)展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對(duì)快速增長(zhǎng)的車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務(wù)器電源應(yīng)用實(shí)現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強(qiáng)型封裝，為需求最大效率、低傳導(dǎo)損失和高性?xún)r(jià)比的高功耗應(yīng)用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
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Nexperia發(fā)布具備市場(chǎng)領(lǐng)先效率的晶圓級(jí)12和30V MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號(hào)Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級(jí)DSN1006封裝，具有市場(chǎng)領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機(jī)、智能手表、助聽(tīng)器和耳機(jī)等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢(shì)，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。 RDS(on)與競(jìng)爭(zhēng)器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負(fù)載開(kāi)關(guān)
關(guān)鍵字： Nexperia 晶圓級(jí) MOSFET

單片驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文介紹最新的驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。引言隨著技術(shù)的進(jìn)步，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。在該領(lǐng)域，推動(dòng)穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個(gè)參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個(gè)參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換效率
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UnitedSiC（現(xiàn)為 Qorvo）針對(duì)電源設(shè)計(jì)擴(kuò)展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合

Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項(xiàng)，Qorvo 的 SiC FET可為車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務(wù)器電源等快速增長(zhǎng)的應(yīng)用量身定制，能夠?yàn)樵跓嵩鰪?qiáng)型封裝中實(shí)現(xiàn)更高效率、低傳導(dǎo)損耗和卓越成本效益的高功率應(yīng)用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時(shí)具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
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安森美: 打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商

由于 SiC 具有更快的開(kāi)關(guān)速度，因此對(duì)于某些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可縮減無(wú)源元器件如電感器的尺寸以降低系統(tǒng)尺寸和成本。光伏發(fā)電和大規(guī)模儲(chǔ)能變得越來(lái)越重要，最終將取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前僅占全球總發(fā)電量的一小部分，因此 SiC 將有長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展路向。隨著電動(dòng)車(chē)采用率的增加，充電樁將大規(guī)模部署，另外，SiC 最終還將成為電動(dòng)車(chē)主驅(qū)逆變器的首選材料，因?yàn)樗蓽p少車(chē)輛的整體尺寸和重量，且能效更高，可延長(zhǎng)電池使用壽命。安森美首席碳化硅專(zhuān)家，中國(guó)汽車(chē)OEM技術(shù)負(fù)責(zé)人吳桐博士安森美 (onsemi) 在收購(gòu)上游
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安森美：打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商

受訪人：安森美首席碳化硅專(zhuān)家，中國(guó)汽車(chē)OEM技術(shù)負(fù)責(zé)人吳桐博士1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)具有較高的電子遷移率和較高的能帶隙，用它們制成的晶體管具有比硅基晶體管更高的擊穿電壓和更耐受高溫，可以突破硅基器件的應(yīng)用極限，開(kāi)關(guān)速度更快，導(dǎo)通電阻更低，損耗更小，能效更高?！　aN的開(kāi)關(guān)頻率比SiC高得多，而SiC的可靠
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第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)的“互補(bǔ)共生”

　　受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統(tǒng)工程營(yíng)銷(xiāo)組的應(yīng)用經(jīng)理，負(fù)責(zé)工業(yè)和個(gè)人電子市場(chǎng)的定制電源設(shè)計(jì)。他的團(tuán)隊(duì)每年負(fù)責(zé)500項(xiàng)設(shè)計(jì)，并在過(guò)去20年中設(shè)計(jì)了15000個(gè)電源。Robert于2002年加入TI，大部分時(shí)間都在擔(dān)任各種應(yīng)用的電源設(shè)計(jì)師。Robert擁有佛羅里達(dá)大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　
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TrendForce：估今年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)破10億

為進(jìn)一步提升電動(dòng)車(chē)動(dòng)力性能，全球各大車(chē)企已將目光鎖定在新一代SiC（碳化硅）功率組件，并陸續(xù)推出了多款搭載相應(yīng)產(chǎn)品的高性能車(chē)型。依TrendForce研究，隨著越來(lái)越多車(chē)企開(kāi)始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.7億美元，2026年將攀升至39.4 億美元。隨著越來(lái)越多車(chē)企開(kāi)始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.7億美元。TrendForce指出，目前車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)主要由歐美IDM大廠掌控，關(guān)鍵供貨
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ROHM SiC技術(shù)助力SEMIKRON功率模塊打造次世代電動(dòng)車(chē)

SEMIKRON和半導(dǎo)體制造商ROHM在開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運(yùn)用于SEMIKRON車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊「eMPack」，開(kāi)啟了雙方合作的全新里程碑。合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國(guó)公司社長(zhǎng) Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國(guó)一家大型汽車(chē)制造商簽
關(guān)鍵字： ROHM SiC SEMIKRON 功率模塊

賽米控與羅姆就碳化硅功率元器件展開(kāi)新的合作

賽米控（總部位于德國(guó)紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)開(kāi)展了十多年的合作。合作儀式剪影：賽米控CEO兼CTO? Karl-Heinz Gaubatz先生（左）羅姆德國(guó)公司社長(zhǎng)?Wolfram Harnack（中）賽米控CSO Peter Sontheimer先生（右）此次，羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊“eMPack?”，開(kāi)啟了雙方合作的新征程。此外，賽米控宣布已與德國(guó)一家大型汽車(chē)制造商簽署
關(guān)鍵字：羅姆碳化硅 SiC 無(wú)線寬帶

Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護(hù)器件，如今更進(jìn)一步，Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運(yùn)用到MOSFET產(chǎn)品組合中，成為行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的領(lǐng)跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設(shè)備和可聽(tīng)戴設(shè)備正在融入新的人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)技術(shù)，這為產(chǎn)品設(shè)計(jì)帶來(lái)了若干挑戰(zhàn)。首先，隨著功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著
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SiC FET的起源及其向著完美開(kāi)關(guān)發(fā)展的歷程

使用寬帶隙半導(dǎo)體作為高頻開(kāi)關(guān)為實(shí)現(xiàn)更高的功率轉(zhuǎn)換效率提供了有力支持。一個(gè)示例是，碳化硅開(kāi)關(guān)可以實(shí)施為SiC MOSFET或以共源共柵結(jié)構(gòu)實(shí)施為SiC FET。本白皮書(shū)追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。白皮書(shū)當(dāng)然，接近完美的電子開(kāi)關(guān)已經(jīng)存在很長(zhǎng)一段時(shí)間了，但是我們這里要談的不是機(jī)械開(kāi)關(guān)?，F(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換依賴(lài)的是半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，它們最好在打開(kāi)時(shí)沒(méi)有電阻，在關(guān)閉時(shí)電阻和耐受電壓無(wú)限大，并能在簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)下以任意快的速度在開(kāi)關(guān)狀態(tài)間切換且沒(méi)有瞬時(shí)功率損耗。在這個(gè)重視能源與成本
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破解SiC、GaN柵極動(dòng)態(tài)測(cè)試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

SiC、GaN 作為最新一代功率半導(dǎo)體器件具有遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。但同時(shí)，SiC、GaN極快的開(kāi)關(guān)速度也給工程師帶來(lái)了使用和測(cè)量的挑戰(zhàn)，稍有不慎就無(wú)法獲得正確的波形，從而嚴(yán)重影響到器件評(píng)估的準(zhǔn)確、電路設(shè)計(jì)的性能和安全、項(xiàng)目完成的速度。SiC、GaN動(dòng)態(tài)特性測(cè)量中，最難的部分就是對(duì)半橋電路中上橋臂器件驅(qū)動(dòng)電壓VGS的測(cè)量，包括兩個(gè)部分：開(kāi)關(guān)過(guò)程和Crosstalk。此時(shí)是無(wú)法使用無(wú)源探頭進(jìn)行測(cè)量的，這會(huì)導(dǎo)致設(shè)備和人員危險(xiǎn)，同時(shí)還會(huì)由
關(guān)鍵字： SiC GaN 柵極動(dòng)態(tài)測(cè)試光隔離探頭