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EEPW首頁 >> 主題列表 >> sic fet

Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負(fù)載開關(guān)

  • 　　2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術(shù)的16?mΩ雙通道GreenFET3?負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負(fù)載開關(guān)每條通道最高電流可達(dá)到?4.5A?、總電流高達(dá)9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術(shù)來實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、外形尺寸最小同時可靠性提高?！　LG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
  • 關(guān)鍵字： Silego  FET  SLG59M1527V  

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

  • 　　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。 　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  

研究人員以硼/氮共摻雜實現(xiàn)石墨烯能隙

  • 　　韓國蔚山科技大學(xué)(UNIST)的研究人員們宣稱開發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法，從而可實現(xiàn)基于石墨烯的場效電晶體(FET)制造與設(shè)計。 　　由Jong-BeomBaek主導(dǎo)的研究團(tuán)隊們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡單溶劑熱反應(yīng)，大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管，即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。 　　石墨烯自2004年經(jīng)由實驗發(fā)現(xiàn)后，已經(jīng)開發(fā)出各種方法來制造基于石墨烯的FET，包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶，以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
  • 關(guān)鍵字： 石墨烯  FET  

汽車啟動/停止系統(tǒng)電源方案

  • 為了限制油耗，一些汽車制造商在其新一代車型中應(yīng)用了“啟動/停止”(Start/Stop)功能。當(dāng)汽車停下來時，這些創(chuàng)新的新系統(tǒng)關(guān)閉發(fā)動機(jī);而當(dāng)駕駛?cè)说哪_從剎車踏板移向油門踏板時，就自動重新啟動發(fā)動機(jī)。這就幫助降低市區(qū)駕車及停停走走式的交通繁忙期時的油耗。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  二極管  PCB  穩(wěn)壓器  P-FET  

如何針對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 反向轉(zhuǎn)換器  FET  關(guān)斷電壓  緩沖  漏極電感  

在光伏逆變器中運用SiC BJT實現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本

  • 最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產(chǎn)出一款可實現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設(shè)計更簡易的...
  • 關(guān)鍵字： 光伏逆變器  SiC  BJT  

通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢

  • 　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 　　比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
  • 關(guān)鍵字： 三菱電機(jī)  SiC  

SiC二極管 通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻

  • 　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 　　比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
  • 關(guān)鍵字： SiC  二極管  

新日本無線新推出粗銅線絲焊類型的音頻SiC-SBD

  • 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專長于高速開關(guān)動作，再加上注重最佳音質(zhì)的制造工藝技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高音質(zhì)音響效果。
  • 關(guān)鍵字： 新日本無線  SiC-SBD  MUSES  

美高森美全新650V碳化硅肖特基解決方案提升大功率系統(tǒng)性能

  • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC) 擴(kuò)展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)包括太陽能逆變器的大功率工業(yè)應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： 美高森美  SiC  

功率半導(dǎo)體的革命：SiC與GaN的共舞（二）

  • GaN和SiC將區(qū)分使用　　2015年，市場上或許就可以穩(wěn)定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
  • 關(guān)鍵字： 功率  半導(dǎo)體  SiC  GaN  

山東天岳及韓國SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

  • 　　在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國際學(xué)會“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上，最近開始擴(kuò)大SiC晶圓業(yè)務(wù)的亞洲企業(yè)紛紛出展。 　　山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開始對外銷售的直徑2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圓。該公司當(dāng)前的目標(biāo)
  • 關(guān)鍵字： SiC  晶圓  

PV逆變器應(yīng)用升溫，推動SiC功率元件發(fā)展

  • 碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽能（PV）逆變器應(yīng)用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳...
  • 關(guān)鍵字： PV  逆變器  SiC  功率元件  

SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”？

  • 　　SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別?！边@是因為，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布，在學(xué)會和展會的舞臺上，這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)代”的色彩。 　　那么，在使用功率半導(dǎo)體的制造現(xiàn)場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導(dǎo)體使用者的心目中，此類產(chǎn)品已逐漸由
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  

經(jīng)典FET輸入甲類前級

  • 經(jīng)典FET輸入甲類前級本電路是參照《無線電與電視》雜志2000第一期的《電池供電高級純A類分立件前級放大 ...
  • 關(guān)鍵字： FET  甲類前級  
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sic fet介紹

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