sic fet 文章進(jìn)入sic fet技術(shù)社區(qū)

ROHM攜汽車(chē)電子及工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)產(chǎn)品強(qiáng)勢(shì)登陸“2018慕尼黑上海電子展”

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國(guó)際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"?！　　澳侥岷谏虾ｋ娮诱?不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽，還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會(huì)之一。ROHM在此次展會(huì)上以“汽車(chē)電子”和“工業(yè)設(shè)備”為軸，為大家呈現(xiàn)包括“汽車(chē)電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動(dòng)設(shè)備”在內(nèi)的5大解決方案展區(qū)，囊括了業(yè)界領(lǐng)先的強(qiáng)大產(chǎn)品陣容。另外，為此
關(guān)鍵字： ROHM SiC

慕展：功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品都在世強(qiáng)

　　慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會(huì)吸引了數(shù)萬(wàn)名電子行業(yè)的觀眾到場(chǎng)參觀學(xué)習(xí)。而全球先進(jìn)的元件分銷(xiāo)商——世強(qiáng)元件電商，則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動(dòng)化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測(cè)試測(cè)量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相?！　{借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類(lèi)的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線(xiàn)充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)、新能源汽車(chē)、5G通信、藍(lán)牙Mesh等眾多熱門(mén)市場(chǎng)的最新產(chǎn)品的展示，世強(qiáng)元件電商吸引了大批工程師
關(guān)鍵字： SiC GaN

5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件

　　據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道，一些非常重要的市場(chǎng)趨勢(shì)正在推動(dòng)化合物半導(dǎo)體器件在關(guān)鍵行業(yè)的應(yīng)用，化合物半導(dǎo)體正在強(qiáng)勢(shì)回歸。這些趨勢(shì)主要包括第五代(5G)無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)協(xié)議、無(wú)人駕駛和自動(dòng)汽車(chē)、交通電氣化、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和虛擬現(xiàn)實(shí)(AR/VR)。這些應(yīng)用正在推動(dòng)3D傳感的應(yīng)用，提高功率模塊效率和更高頻率的通信應(yīng)用。所有這些新發(fā)展背后的關(guān)鍵器件都是由化合物半導(dǎo)體制造而成。科銳(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關(guān)于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告，還僅僅是化合物半導(dǎo)體應(yīng)用的冰山一角。　　我們
關(guān)鍵字： 5G SiC

ADI用于Microsemi SiC功率模塊的隔離驅(qū)動(dòng)器板加快產(chǎn)品上市時(shí)間

　　Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯(lián)合推出市場(chǎng)首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評(píng)估板，在200kHz開(kāi)關(guān)頻率時(shí)該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設(shè)計(jì)旨在提高設(shè)計(jì)可靠性，同時(shí)減少創(chuàng)建額外原型的需求，為電源轉(zhuǎn)換和儲(chǔ)能客戶(hù)節(jié)省時(shí)間、降低成本并縮短上市時(shí)間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國(guó)得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會(huì)上展示該評(píng)估
關(guān)鍵字： ADI SiC

安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本

　　推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體?(ON?Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開(kāi)關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實(shí)現(xiàn)器件并聯(lián)。　　安森美半導(dǎo)體最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復(fù)、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容
關(guān)鍵字：安森美 SiC

納微半導(dǎo)體將在中國(guó)臺(tái)灣的電源設(shè)計(jì)技術(shù)論壇活動(dòng)上

　　納微 (Navitas)半導(dǎo)體宣布其現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用及技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)黃萬(wàn)年將在2018年1月30日于中國(guó)臺(tái)北舉辦的“2018前瞻電源設(shè)計(jì)與功率組件技術(shù)論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實(shí)現(xiàn)下一代電源適配器設(shè)計(jì)”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內(nèi)首個(gè)及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統(tǒng)中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見(jiàn)解。納微是這項(xiàng)活動(dòng)的銀級(jí)贊助商，該活動(dòng)為具有創(chuàng)新性的制造商、合作伙伴及客戶(hù)提供了一個(gè)交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專(zhuān)業(yè)知識(shí)?！　↑S萬(wàn)年
關(guān)鍵字：納微 SiC

ROHM贊助上海同濟(jì)大學(xué)“DIAN Racing”電動(dòng)方程式車(chē)隊(duì)

　　近年來(lái)，出于地球溫室化對(duì)策和減少空氣污染的考慮，對(duì)汽車(chē)的環(huán)保性能要求越來(lái)越高。世界各國(guó)均已制定了新能源汽車(chē)的開(kāi)發(fā)和引進(jìn)計(jì)劃，未來(lái)新能源汽車(chē)的普及將會(huì)進(jìn)一步加速。其中，中國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)發(fā)展勢(shì)頭最為迅猛。隨著中國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)的迅速壯大和新能源汽車(chē)技術(shù)的快速發(fā)展，越來(lái)越多的中國(guó)新能源汽車(chē)品牌開(kāi)始走出國(guó)門(mén)，投身到波瀾壯闊的世界新能源汽車(chē)市場(chǎng)?！　∽鳛槿蛑雽?dǎo)體制造商， ROHM一直以來(lái)都將汽車(chē)市場(chǎng)為主要目標(biāo)領(lǐng)域，通過(guò)開(kāi)發(fā)并提供SiC元器件、電源IC、控制IC等滿(mǎn)足最新汽車(chē)電子化需求的創(chuàng)新型高
關(guān)鍵字： ROHM SiC

電動(dòng)汽車(chē)打開(kāi)應(yīng)用窗口：SiC產(chǎn)品要來(lái)了！

隨著技術(shù)的不斷更新?lián)Q代，以及電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的巨大助力，SiC產(chǎn)品有望迎來(lái)快速增長(zhǎng)期。
關(guān)鍵字：電動(dòng)汽車(chē) SiC

集成智能——第1部分：EMI管理

　　智能集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)可以幫助電動(dòng)汽車(chē)和新一代汽車(chē)變得更具吸引力、更可行及更可靠?！　D1所示為集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器結(jié)合驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的一切要素，如場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)、柵極驅(qū)動(dòng)器和狀態(tài)機(jī)。集成避免了電線(xiàn)從電子控制單元(ECU)到電機(jī)的布線(xiàn)距離過(guò)長(zhǎng)，并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統(tǒng)成本的優(yōu)點(diǎn)?！　LDC電機(jī)在汽車(chē)應(yīng)用中提供的優(yōu)勢(shì)包括效率、緊湊的尺寸、更長(zhǎng)的電機(jī)壽命和電池壽命、更安靜的車(chē)內(nèi)體驗(yàn)以及更好的EMI性能?！　D1：智能集成BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器　　集成智能系列博
關(guān)鍵字： BLDC FET

具有低輸入偏置電流和高交流共模抑制性能的高速FET輸入儀表放大器

關(guān)鍵字： ADI FET 儀表放大器

使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個(gè)寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構(gòu)成的。這個(gè)寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
關(guān)鍵字： FET 雙極性晶體管緩沖電路寬帶

我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破

　　近日，863計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過(guò)了技術(shù)驗(yàn)收。　　通常，國(guó)際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱(chēng)之為第三代半導(dǎo)體材料。其在禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢(shì)，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導(dǎo)體材料的制造裝備對(duì)設(shè)備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場(chǎng)分布、設(shè)備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 SiC

如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響-　在使用電子元器件時(shí)，你有時(shí)候不可避免地會(huì)聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓，系統(tǒng)中的電流以相反的方向運(yùn)行；從輸出到輸入。幸運(yùn)的是，有很多方法可以保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護(hù)系列博文的第一篇文章，在這篇文章中，你將能夠?qū)ΜF(xiàn)有解決方案有高層次的總體認(rèn)識(shí)和了解。
關(guān)鍵字： FET TPS22963 德州儀器反向電流

揭開(kāi)電池管理系統(tǒng)的神秘面紗

揭開(kāi)電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設(shè)備具有更高的移動(dòng)性并且比以前更綠色，電池技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)了這一進(jìn)展，并惠及了包括便捷式電動(dòng)工具、插電式混合動(dòng)力車(chē)、無(wú)線(xiàn)揚(yáng)聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來(lái)，電池效率（輸出功率/尺寸比）和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車(chē)電池得多龐大和笨重，其主要用途是啟動(dòng)汽車(chē)。隨著技術(shù)的最新進(jìn)展，你可以改用鋰離子電池來(lái)迅速啟動(dòng)汽車(chē)，其重量只有幾磅，尺寸也就人手那么大。
關(guān)鍵字：電池管理系統(tǒng) FET FET驅(qū)動(dòng)器

在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

　　摘要　　本文評(píng)測(cè)了主開(kāi)關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測(cè)試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開(kāi)關(guān)管提升了開(kāi)關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對(duì)市場(chǎng)上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計(jì)影響較大?！　∏把浴　∈袌?chǎng)對(duì)開(kāi)關(guān)速度、功率、機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限。　　寬帶隙半導(dǎo)體器件因電、熱、機(jī)械等各項(xiàng)性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認(rèn)為是硅半導(dǎo)體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中，兼容硅
關(guān)鍵字： MOSFET SiC