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ROHM面向性能日益提升的ADAS傳感器和雷達(dá)應(yīng)用開發(fā)出 300mA輸出的小型車載LDO穩(wěn)壓器“BUxxJA3DG-C系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向汽車ADAS（高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)）中的傳感器和雷達(dá)等性能日益提升的小型車載應(yīng)用，開發(fā)出LDO穩(wěn)壓器*1IC“BUxxJA3DG-C系列（BU12JA3DG-C、BU15JA3DG-C、BU18JA3DG-C、BU25JA3DG-C、BU30JA3DG-C、BU33JA3DG-C）”。 ? ? ? ? ? ? ??近年來，在汽車領(lǐng)域，隨著事故防止和自動(dòng)駕駛技術(shù)的創(chuàng)新，對(duì)安全性能
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ROHM面向高端ADAS開發(fā)出業(yè)界超穩(wěn)定運(yùn)行的DC-DC轉(zhuǎn)換器IC“BD9S402MUF-C”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）面向包括車載傳感器和攝像頭等在內(nèi)的ADAS（高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)）、信息娛樂系統(tǒng)等日益復(fù)雜的車載應(yīng)用，開發(fā)出一款降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器IC*1“BD9S402MUF-C”。近年來，在汽車領(lǐng)域，隨著事故防止和自動(dòng)駕駛技術(shù)的創(chuàng)新，對(duì)安全性能的要求也越來越高。與此同時(shí)，控制包括車載傳感器和攝像頭在內(nèi)的ADAS系統(tǒng)的SoC和微控制器也日益復(fù)雜（為提高處理能力而提高電流、為省電而降低電壓），這就要求向它們供電的電源IC，要在負(fù)載電流波動(dòng)的嚴(yán)苛條件下，也能更穩(wěn)定地運(yùn)行。為了
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ROHM用于車載多屏顯示器的串行/解串器支持全高清并助力功能安全

智能座艙已經(jīng)成為如今汽車特別是新能源汽車的標(biāo)配，隨著智能座艙功能越來越多，對(duì)汽車座艙的屏幕顯示技術(shù)的要求越來越高，如何滿足越來越復(fù)雜的屏幕顯示需求，已經(jīng)成為諸多半導(dǎo)體廠商面臨的新挑戰(zhàn)。隨著電子后視鏡和液晶儀表盤的普及，每輛車安裝的顯示器數(shù)量隨之增加，視頻傳輸路徑也變得更加復(fù)雜，這必然會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)成本和故障風(fēng)險(xiǎn)增加，因此簡(jiǎn)化視頻傳輸路徑一直是亟需解決的課題。另外，由于電子鏡上的圖像卡頓和儀表盤上的指示燈圖標(biāo)不亮等問題可能會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重事故，所以融入功能安全設(shè)計(jì)也非常重要。近日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向多屏
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ROHM開發(fā)出使用納法級(jí)超小電容車載LDO穩(wěn)壓器“BD9xxN1系列”

Nano Cap 技術(shù)為解決電容問題開拓了小型化和穩(wěn)定化新領(lǐng)域全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)、車身和汽車信息娛樂系統(tǒng)等廣泛的車載應(yīng)用的一次（直接連接12V電池）電源，開發(fā)出車載LDO穩(wěn)壓器*1 IC“BD9xxN1系列（BD950N1G-C、BD933N1G-C、BD900N1G-C、BD950N1WG-C、BD933N1WG-C、BD900N1WG-C）”。近年來，隨著各種設(shè)備的電子化進(jìn)程加速，電子元器件的安裝數(shù)量也與日俱增，為了減少元器件的尺寸和數(shù)量，對(duì)于減少常
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ROHM開發(fā)出可簡(jiǎn)化視頻傳輸路徑的車載串行/解串器“BU18xx82-M”

支持全高清（Full HD）分辨率的產(chǎn)品且通過業(yè)界先進(jìn)的端到端數(shù)據(jù)監(jiān)控功能，助力功能安全全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向多屏化趨勢(shì)下的車載顯示器領(lǐng)域，開發(fā)出支持全高清分辨率（1,980×1,080像素）的SerDes IC*1（串行器：BU18TL82-M，解串器：BU18RL82-M）。近年來，隨著電子后視鏡和液晶儀表盤的普及，每輛車安裝的顯示器數(shù)量隨之增加，視頻傳輸路徑也變得更加復(fù)雜，這必然會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)成本和故障風(fēng)險(xiǎn)增加，因此簡(jiǎn)化視頻傳輸路徑一直是亟需解決的課題。另外，由于電子鏡上
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ROHM SiC技術(shù)助力SEMIKRON功率模塊打造次世代電動(dòng)車

SEMIKRON和半導(dǎo)體制造商ROHM在開發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運(yùn)用于SEMIKRON車規(guī)級(jí)功率模塊「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑。合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國(guó)公司社長(zhǎng) Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國(guó)一家大型汽車制造商簽
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ROHM開發(fā)出高精度、超低功耗且支持40V電壓的窗口型復(fù)位IC* “BD48HW0G-C”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向需要對(duì)電子電路進(jìn)行電壓監(jiān)控以確保安全的各種車載和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用（包括車輛引擎控制單元和FA設(shè)備），開發(fā)出具有高精度和超低靜態(tài)電流的復(fù)位IC*1（電壓檢測(cè)器）“BD48HW0G-C”。近年來，在汽車和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，圍繞自動(dòng)駕駛（自動(dòng)化）的技術(shù)創(chuàng)新日新月異，對(duì)安全性的要求也越來越高。與此同時(shí)，為了構(gòu)建更安全的系統(tǒng)，要求在設(shè)備開發(fā)過程中就要考慮到在發(fā)生問題時(shí)如何確保安全（故障安全和功能安全）。目前，ROHM已開發(fā)出1,000多種復(fù)位IC，這些是電子
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ROHM開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了低損耗性能和超低噪聲特性的第4代快速恢復(fù)二極管“RFL/RFS系列”

有助于提高空調(diào)、電動(dòng)汽車充電樁等的電源效率并為減少噪聲對(duì)策做出貢獻(xiàn)全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向在空調(diào)和電動(dòng)汽車充電樁等需要大功率的工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了低VF和高速trr特性*1以及超低噪聲特性的第4代快速恢復(fù)二極管（以下稱“FRD”）650V耐壓“RFL/RFS系列”。近年來，隨著全球電力消耗量的增加，如何有效利用電力已成為亟待解決的課題。其中，高功耗的白色家電和電動(dòng)汽車充電樁等工業(yè)設(shè)備不僅需要提高電源電路的效率，還需要減輕降噪設(shè)計(jì)的負(fù)擔(dān)。在這種背景下，ROHM推
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驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果：雙脈沖測(cè)試比較

在上一篇文章中，我們通過工作原理和公式了解了有無驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來的影響，從而可降低開關(guān)損耗。在本文中，我們將通過雙脈沖測(cè)試來確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果。?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳，可以大大降低導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗。?如果ID導(dǎo)通峰值或VDS關(guān)斷浪涌因開關(guān)速度提升而增加，就需要采取對(duì)策。在上一篇文章中，我們通過工作原理和公式了解了有無驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來的影響，從而可降低開關(guān)損耗。在本文
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可輕松實(shí)現(xiàn)無線供電功能的13.56MHz無線充電模塊

【導(dǎo)讀】近年來，在智能手機(jī)和智能手表等眾多的應(yīng)用領(lǐng)域，由于可以取消充電端口并提高防水和防塵性能，無線供電功能的應(yīng)用越來越廣泛。同樣，在小型薄型設(shè)備領(lǐng)域，對(duì)這種非常方便的無線供電功能的需求也日益增長(zhǎng)。另一方面，由于天線形狀、尺寸和距離等因素會(huì)影響到能否實(shí)現(xiàn)供電功能以及供電效率，因此需要在電子設(shè)備整機(jī)上反復(fù)進(jìn)行試制、調(diào)整、評(píng)估等工作之后才能實(shí)現(xiàn)無線供電功能，這使得天線設(shè)計(jì)和布局設(shè)計(jì)方面的開發(fā)負(fù)擔(dān)非常繁重。因此，業(yè)內(nèi)對(duì)于更好地通用于小型設(shè)備的無線供電標(biāo)準(zhǔn)和方式的期望值越來越高。無線供電方式及其特點(diǎn)無線供電方式有
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同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和超低導(dǎo)通電阻的 600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET “R60xxVNx系列” ～非常有助于降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的功耗～

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款機(jī)型，新產(chǎn)品非常適用于電動(dòng)汽車充電樁、服務(wù)器、基站等需要大功率的工業(yè)設(shè)備的電源電路、以及空調(diào)等因節(jié)能趨勢(shì)而采用變頻技術(shù)的白色家電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。近年來，隨著全球電力消耗量的增加，如何有效利用電力已成為亟待解決的課題，在這種背景下，電動(dòng)汽車充電樁、服務(wù)器和基站等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等白色家電的效率不斷提升，因此也就要求其中所用的功率半導(dǎo)體進(jìn)一步降低功率損耗。針對(duì)這種
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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

半導(dǎo)體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達(dá)8V，非常適用于基地臺(tái)、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺(tái)和數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能，有助降低各種電源功耗和實(shí)現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關(guān)工作時(shí)的組件可靠性方面尚存在課題。針對(duì)該課題，RO
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ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達(dá)8V，非常適用于基站、數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實(shí)現(xiàn)外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開關(guān)工作時(shí)的器件可靠性方面存在問題。針對(duì)這一課題，ROHM的新產(chǎn)品通過采用自有的結(jié)構(gòu)，成功
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羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng)：快充測(cè)試

一、測(cè)試工裝準(zhǔn)備1、P02SCT3040KR-EVK-001測(cè)試板2、電壓源3、示波器4、負(fù)載儀二、測(cè)試項(xiàng)目進(jìn)行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號(hào)2、DCDC 在線測(cè)試1）空載測(cè)試驅(qū)動(dòng)空載輸出12V，gs驅(qū)動(dòng)為200hz總寬度3.6uS的錐形信號(hào)2）加載 24轉(zhuǎn)55V 2A dcdc驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形如下：帶載 6.6k 15V驅(qū)動(dòng)信號(hào)單脈沖寬度，3uS左右總結(jié)由于輕負(fù)載，溫度始終未超過50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對(duì)應(yīng)設(shè)備
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羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng)：射頻熱凝控制儀測(cè)試

測(cè)試設(shè)備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個(gè)低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負(fù)載半橋電源電源的輸出負(fù)載，可恒流或者恒壓或者恒負(fù)載，測(cè)試電源的帶載能力非常好用。③信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號(hào)，用于MOS管的驅(qū)動(dòng)④示波器觀察驅(qū)動(dòng)信號(hào)、輸出信號(hào)、MOS管的波形⑤萬用表測(cè)量各測(cè)試點(diǎn)的電壓⑥溫度巡檢儀測(cè)量帶載后MOS管的溫度測(cè)試拓?fù)鋵⒄f明書中電路按照上述描述修改：兩個(gè)直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
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rohm介紹

Rohm株式會(huì)社為全球知名的半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)，ROHM公司總部所在地設(shè)在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產(chǎn)商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步進(jìn)入了晶體管、二極管領(lǐng)域和IC等半導(dǎo)體領(lǐng)域.2年后的1971年ROHM作為第一家進(jìn)入美國(guó)硅谷的日本企業(yè),在硅谷開設(shè)了IC設(shè)計(jì)中心.以當(dāng)時(shí)的企業(yè)規(guī)模，憑借被稱為"超常思維"的創(chuàng)新理念，加之年輕的、充滿夢(mèng)想和激情的員工的艱苦奮斗，ROHM [ 查看詳細(xì) ]