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緩沖電路的種類(lèi)和選擇

緩沖電路包括由電阻器、線(xiàn)圈、電容器等無(wú)源元件組成的電路，以及由半導(dǎo)體元器件組成的有源電路(*1)。在這里將為您介紹無(wú)需控制且具有成本優(yōu)勢(shì)的電路方式。關(guān)鍵要點(diǎn)※ 要想使緩沖電路充分發(fā)揮出其效果，需要盡可能靠近開(kāi)關(guān)器件進(jìn)行安裝。緩沖電路包括由R、L、C等無(wú)源元件組成的電路和由半導(dǎo)體元器件組成的有源電路。※ 本文介紹了無(wú)需控制而且具有成本優(yōu)勢(shì)的電路方式——C緩沖電路、RC緩沖電路、放電型RCD緩沖電路和非放電型RCD緩沖電路。本文進(jìn)入本系列文章的第二個(gè)主題：“緩沖電路的種類(lèi)和選擇”。●
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ROHM開(kāi)發(fā)出適用于條碼標(biāo)簽打印應(yīng)用、500mm/秒的業(yè)內(nèi)超快打印速度的熱敏打印頭

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出兩款高可靠性高速熱敏打印頭“TE2004-QP1W00A（203dpi）”和“TE3004-TP1W00A（300dpi）”，新產(chǎn)品非常適用于物流和庫(kù)存管理等領(lǐng)域打印標(biāo)簽所用的條碼標(biāo)簽打印機(jī)。近年來(lái)，電子商務(wù)（EC）市場(chǎng)蓬勃發(fā)展，消費(fèi)者的需求越來(lái)越多樣化，使得對(duì)物流標(biāo)簽和庫(kù)存管理標(biāo)簽等的需求也日益高漲。然而，憑借以往的熱敏打印頭技術(shù)，250mm/秒～300mm/秒已經(jīng)是打印速度的極限。在這種背景下，ROHM采用新結(jié)構(gòu)和新技術(shù)開(kāi)發(fā)出高可靠性的高速熱敏打
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ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET 以小尺寸實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻

～非常適用于通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī)，有助于設(shè)備進(jìn)一步降低功耗和節(jié)省空間～全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，開(kāi)發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET*1一體化封裝的雙MOSFET新產(chǎn)品。新產(chǎn)品分為“HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列”和“HP8MEx（Nch+Pch*2）系列”兩個(gè)系列，共5款新機(jī)型。近年來(lái)，在通信基站和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，為了降低電流值、提高效率，以往的12V和24V系統(tǒng)逐漸被轉(zhuǎn)換為48V系統(tǒng)，電源電壓呈提
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ROHM開(kāi)發(fā)出配備VCSEL的小型接近傳感器，用于無(wú)線(xiàn)耳機(jī)等可穿戴設(shè)備

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向包括無(wú)線(xiàn)耳機(jī)和智能手表等可穿戴設(shè)備在內(nèi)的需要脫戴檢測(cè)和接近檢測(cè)的各種應(yīng)用，開(kāi)發(fā)出2.0mm×1.0mm尺寸的小型接近傳感器“RPR-0720”。近年來(lái)，隨著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的普及，在其中發(fā)揮著重要作用的傳感器產(chǎn)品需要具備更小的體積、更高的性能。ROHM擁有將發(fā)光元件和光接收元件一體化封裝的接近傳感器系列產(chǎn)品，由于其適用性高而被廣泛應(yīng)用于從移動(dòng)設(shè)備到工業(yè)設(shè)備的眾多領(lǐng)域。特別是在可穿戴設(shè)備領(lǐng)域，由于產(chǎn)品的性能不斷提升，導(dǎo)致所用的元器件數(shù)量增加，對(duì)設(shè)
關(guān)鍵字： ROHM VCSEL 接近傳感器無(wú)線(xiàn)耳機(jī) 可穿戴設(shè)備

ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來(lái)，為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)，對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對(duì)這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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逆變電路中開(kāi)關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性—逆變電路的種類(lèi)和通電方式

逆變電路主要分為單相逆變電路和三相逆變電路兩類(lèi)。單相逆變電路的電路圖和輸出電流的示意波形分別如圖1和圖2所示。單相逆變電路可將直流電轉(zhuǎn)換為單相交流電，因此通常被用于功率調(diào)節(jié)器和不間斷電源（UPS）等普通家庭的商用電源應(yīng)用。關(guān)鍵要點(diǎn)?逆變電路主要分為單相逆變電路和三相逆變電路兩類(lèi)。?電機(jī)驅(qū)動(dòng)采用可使轉(zhuǎn)矩穩(wěn)定、且可抑制振動(dòng)和噪聲的三相逆變器。?用三相逆變器驅(qū)動(dòng)電機(jī)時(shí)的激勵(lì)（通電）方式有方波驅(qū)動(dòng)（120°激勵(lì)）和正弦波驅(qū)動(dòng)（三相調(diào)制、兩相調(diào)制），不同的方式各有優(yōu)缺點(diǎn)。?在本系列文章中，將以電機(jī)驅(qū)動(dòng)中常用的正弦波
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ROHM面向車(chē)載應(yīng)用開(kāi)發(fā)出高耐壓霍爾IC新產(chǎn)品“BD5310xG-CZ/BD5410xG-CZ系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向使用到磁場(chǎng)檢測(cè)的車(chē)載應(yīng)用開(kāi)發(fā)出新的霍爾IC“BD5310xG-CZ?/ BD5410xG-CZ系列”。近年來(lái)，隨著汽車(chē)的電動(dòng)化和高性能化發(fā)展，以及舒適性和安全性的提高，在汽車(chē)中電子產(chǎn)品的應(yīng)用越來(lái)越多，而控制這些電子產(chǎn)品的ECU（電子控制單元）和附帶的傳感器已成為不可或缺的組成部分。在傳感器類(lèi)產(chǎn)品中，霍爾IC能夠以非接觸方式進(jìn)行位置檢測(cè)和電機(jī)旋轉(zhuǎn)檢測(cè)，與機(jī)械式開(kāi)關(guān)相比，具有不易磨損、體積小、可配備保護(hù)電路等諸多優(yōu)點(diǎn)，因此其應(yīng)用尤為廣泛。ROHM
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漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌

開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，線(xiàn)路和電路板版圖的電感之中會(huì)直接積蓄電能（電流能量）。當(dāng)該能量與開(kāi)關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí)，就會(huì)在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來(lái)說(shuō)明發(fā)生浪涌時(shí)的振鈴電流的路徑。這是一個(gè)橋式結(jié)構(gòu)，在High Side（以下簡(jiǎn)稱(chēng)HS）和Low Side（以下簡(jiǎn)稱(chēng)LS）之間連接了一個(gè)開(kāi)關(guān)器件，該圖是LS導(dǎo)通，電路中存在開(kāi)關(guān)電流IMAIN的情形。通常，該IMAIN從VSW流入，通過(guò)線(xiàn)路電感LMAIN流動(dòng)。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?漏極和源極間的浪涌是由各種電感分量和MOSFET寄生電容的諧振引起的。?在實(shí)際的版圖設(shè)
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安全使用三端穩(wěn)壓器必備的散熱基礎(chǔ)知識(shí)

三端穩(wěn)壓器是一種可以用來(lái)對(duì)電源進(jìn)行降壓的簡(jiǎn)單電子器件。由于降壓部分直接因發(fā)熱而成為熱損耗，因此在從很高的電壓降壓時(shí)或在大電流條件下使用時(shí)，需要安裝合適的散熱器。研究發(fā)現(xiàn)，溫度每升高2℃，電子元器件的不良率就會(huì)增加10%，因此，適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計(jì)對(duì)于提高電子元器件的可靠性和延長(zhǎng)使用壽命而言至關(guān)重要。1 三端穩(wěn)壓器的最大電流取決于溫度三端穩(wěn)壓器有多種類(lèi)型，其最大輸出電流涵蓋0.5A到2A的范圍。但是，在最大電流條件下使用時(shí)，需要配備合適的散熱器。在三端穩(wěn)壓器的技術(shù)規(guī)格書(shū)中，列出了單獨(dú)使用IC時(shí)和帶散熱器使用IC時(shí)
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ROHM開(kāi)發(fā)出汽車(chē)內(nèi)飾用RGB貼片LED 減少由混色引起的色差問(wèn)題

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出一款面向汽車(chē)內(nèi)飾的RGB貼片LED*1“SMLVN6RGBFU”，非常適用于儀表盤(pán)和CID（Center Information Display）*2等車(chē)內(nèi)功能和狀態(tài)顯示用的指示燈*3，以及腳燈和門(mén)把手燈等裝飾照明應(yīng)用。近年來(lái)，隨著汽車(chē)電子化程度的提高和功能多樣化的發(fā)展，車(chē)速自動(dòng)控制、車(chē)距檢測(cè)、車(chē)道線(xiàn)檢測(cè)等各種駕駛輔助功能得以廣泛應(yīng)用。為了用儀表盤(pán)等的指示燈顯示這些功能的工作狀態(tài)，業(yè)內(nèi)對(duì)于能夠表現(xiàn)各種顏色的RGB貼片LED的需求日益高漲。另外，對(duì)使用R
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ROHM開(kāi)始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。據(jù)悉，電源和電機(jī)的用電量占全世界用電量的一大半，為實(shí)現(xiàn)無(wú)碳社會(huì)，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問(wèn)題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
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ROHM開(kāi)發(fā)出超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET

新推出40V～150V耐壓的共13款產(chǎn)品，非常適用于工業(yè)設(shè)備電源和各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動(dòng)以24V、36V、48V級(jí)電源供電的應(yīng)用，例如基站和服務(wù)器用的電源、工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備用的電機(jī)等。近年來(lái)，全球電力需求量持續(xù)增長(zhǎng)，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機(jī)和基站、服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備的工作
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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
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PFC電路：柵極電阻的更改

在實(shí)際的電路設(shè)計(jì)工作中，降噪是的一項(xiàng)重大課題，通常，可以通過(guò)提高開(kāi)關(guān)器件的柵極電阻來(lái)抑制噪聲，但其代價(jià)是效率降低（損耗增加），因此很好地權(quán)衡柵極電阻值的設(shè)置是非常重要的。在本文中，我們來(lái)探討當(dāng)將開(kāi)關(guān)器件的損耗抑制在規(guī)定值以下時(shí)，最大柵極電阻RG的情況。另外，由于噪聲需要實(shí)際裝機(jī)評(píng)估，所以在這里省略噪聲相關(guān)的探討。關(guān)鍵要點(diǎn)?增加開(kāi)關(guān)元件的柵極電阻會(huì)抑制噪聲，但與之存在權(quán)衡關(guān)系的效率會(huì)降低，因此很好地權(quán)衡柵極電阻值的設(shè)置是非常重要的。?將開(kāi)關(guān)器件的損耗抑制在規(guī)定值以下時(shí)，其最大柵極電阻RG可以通過(guò)仿真來(lái)確認(rèn)。
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非常適用于車(chē)載和工業(yè)設(shè)備的雙面散熱功率模塊！ROHM開(kāi)發(fā)出12W級(jí)額定功率的0.85mm業(yè)界超薄金屬板分流電阻器“PSR350”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車(chē)載和工業(yè)設(shè)備中的大功率應(yīng)用，開(kāi)發(fā)出12W級(jí)額定功率的業(yè)界超薄金屬板分流電阻器“PSR350”。另外，ROHM針對(duì)已在15W級(jí)額定功率產(chǎn)品中達(dá)到業(yè)界超小級(jí)別的“PSR330”和“PSR100”，還計(jì)劃推出0.2mΩ 的產(chǎn)品，以進(jìn)一步增強(qiáng)“PSR系列”的產(chǎn)品陣容。在工業(yè)設(shè)備的功率模塊中，早已出現(xiàn)了內(nèi)置分流電阻器的產(chǎn)品。近年來(lái)，在xEV的主驅(qū)逆變器中，為了減小外殼尺寸，在模塊兩側(cè)配置散熱機(jī)構(gòu)的薄型功率模塊逐漸增加，在其中內(nèi)置分流電阻器的需求也日益高漲。然而
關(guān)鍵字：雙面散熱功率模塊 ROHM 分流電阻器 PSR350

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rohm介紹

Rohm株式會(huì)社為全球知名的半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)，ROHM公司總部所在地設(shè)在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產(chǎn)商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步進(jìn)入了晶體管、二極管領(lǐng)域和IC等半導(dǎo)體領(lǐng)域.2年后的1971年ROHM作為第一家進(jìn)入美國(guó)硅谷的日本企業(yè),在硅谷開(kāi)設(shè)了IC設(shè)計(jì)中心.以當(dāng)時(shí)的企業(yè)規(guī)模，憑借被稱(chēng)為"超常思維"的創(chuàng)新理念，加之年輕的、充滿(mǎn)夢(mèng)想和激情的員工的艱苦奮斗，ROHM [ 查看詳細(xì) ]