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緩沖電路的種類和選擇

作者: 時(shí)間:2023-09-28 來源:ROHM 收藏

包括由電阻器、線圈、電容器等無源元件組成的電路,以及由半導(dǎo)體元器件組成的有源電路(*1)。在這里將為您介紹無需控制且具有成本優(yōu)勢的電路方式。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/202309/451078.htm

關(guān)鍵要點(diǎn)

※ 要想使充分發(fā)揮出其效果,需要盡可能靠近開關(guān)器件進(jìn)行安裝。包括由R、L、C等無源元件組成的電路和由半導(dǎo)體元器件組成的有源電路。

※ 本文介紹了無需控制而且具有成本優(yōu)勢的電路方式——C緩沖電路、RC緩沖電路、放電型RCD緩沖電路和非放電型RCD緩沖電路。

本文進(jìn)入本系列文章的第二個(gè)主題:“緩沖電路的種類和選擇”。

●   漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌

●   緩沖電路的種類和選擇

●   C緩沖電路的設(shè)計(jì)

●   RC緩沖電路的設(shè)計(jì)

●   放電型RCD緩沖電路的設(shè)計(jì)

●   非放電型RCD緩沖電路的設(shè)計(jì)

●   封裝引起的浪涌差異

SiC MOSFET:緩沖電路的種類和選擇

緩沖電路包括由電阻器、線圈、電容器等無源元件組成的電路,以及由半導(dǎo)體元器件組成的有源電路(*1)。在這里將為您介紹無需控制且具有成本優(yōu)勢的電路方式。

圖1為緩沖電路示例。四個(gè)電路分別是:在橋式結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET上下方一并連接電容器CSNB的(a)C緩沖電路、在各開關(guān)器件的漏極和源極之間連接電阻器RSNB和電容器CSNB的(b)RC緩沖電路、在RC緩沖電路中添加了二極管的(c)放電型RCD緩沖電路、以及將RDC緩沖電路的放電路徑改變后的(d)非放電型RCD緩沖電路。

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圖一:緩沖電路的種類

為了使這些緩沖電路充分發(fā)揮其效用,必須將它們盡可能地靠近開關(guān)器件進(jìn)行安裝。

●   (a)C緩沖電路的元器件數(shù)量較少,但由于必須配置在橋式結(jié)構(gòu)的上下之間,因此存在布線長度較長的缺點(diǎn),這種電路方式多用于由分立結(jié)構(gòu)二合一組成的模塊中。

●   (b)RC緩沖電路可以配置在各開關(guān)器件的附近,但每當(dāng)開關(guān)器件導(dǎo)通時(shí),存儲在CSNB中的能量必須由RSNB全部消耗掉(在橋式結(jié)構(gòu)的情況下,同步側(cè)存儲在CSNB中的能量在死區(qū)時(shí)間內(nèi)被回收)。因此,在這種方式中,當(dāng)開關(guān)頻率提高時(shí),RSNB消耗的功率甚至達(dá)到幾瓦的程度,而CSNB不能過大,浪涌抑制效果往往有限。另外,RSNB限制了浪涌吸收能力,這也導(dǎo)致浪涌抑制效果受限。

●   對于(c)放電型RCD緩沖電路而言,RSNB消耗的功率與(b)RC緩沖電路相同,但由于浪涌僅經(jīng)由二極管來吸收,因此其浪涌吸收效果優(yōu)于(b),更具實(shí)用性。但是,需要注意所用二極管的反向恢復(fù)特性,另外還要考慮到吸收浪涌時(shí)的電流變化較大,需要盡量減小緩沖電路的布線電感等。此外,即使將RSNB與CSNB并聯(lián)連接,它們在工作上也是相同的。

●   至于(d)非放電型RCD緩沖電路,RSNB只消耗CSNB所吸收的浪涌能量,所以不必在每次開關(guān)時(shí)將CSNB中存儲的能量全部放電。因此,即使提高開關(guān)頻率,RSNB的功耗也不會增加太多,故可增加CSNB的容量,從而可構(gòu)建出浪涌抑制效果非常出色的電路。然而,這種方式的緩沖電路,其布線布局更復(fù)雜,除非使用四層以上的電路板,否則很難實(shí)現(xiàn)。

前面介紹的緩沖電路各有優(yōu)缺點(diǎn),因此需要根據(jù)電源電路的結(jié)構(gòu)和轉(zhuǎn)換功率容量來選擇最合適的緩沖電路。從下一篇開始,將為您介紹每種緩沖電路的設(shè)計(jì)方法。

*1:“開關(guān)轉(zhuǎn)換器基礎(chǔ)”P95-P107,P95~P107作者:原田耕介、二宮保、顧文建,出版社:CORONA PUBLISHING CO., LTD.1992年2月



關(guān)鍵詞: ROHM 緩沖電路

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