ROHM與馬自達和今仙電機簽署聯(lián)合開發(fā)協(xié)定

 馬自達汽車株式會社 專務(wù)執(zhí)行董事 研發(fā)與成本創(chuàng)新部門統(tǒng)括 廣瀨 一郎（圖左）、ROHM Co., Ltd.專務(wù)執(zhí)行董事 COO 東 克己（圖右）。ROHM

半導體制造商ROHM（總公司：日本京都市）與馬自達汽車株式會社（以下簡稱 馬自達）和今仙電機制作所（以下簡稱 今仙電機）就包含e-Axle在內(nèi)的電動車馬達驅(qū)動系統(tǒng)中所搭載的逆變器和碳化矽功率模塊，簽署了聯(lián)合開發(fā)協(xié)定。

e-Axle是將馬達、減速器和逆變器三合一的「EV心臓」，是影響電動車行駛效能和功率轉(zhuǎn)換效率的重要單元。其中，逆變器為驅(qū)動中的核心，而在提高逆變器效率方面，碳化矽MOSFET則被寄予厚望。

ROHM將參與以馬自達為中心的「電動車馬達驅(qū)動系統(tǒng)開發(fā)暨生產(chǎn)共同合作體系」，并將透過聯(lián)手今仙電機等合作夥伴，開發(fā)整個e-Axle的逆變器。另外，藉由開發(fā)和供應(yīng)可提升效能的先進碳化矽功率模塊，將有助于開創(chuàng)與眾不同的小型高效驅(qū)動系統(tǒng)。

第4時代SiC MOSFET和GBT電耗比較。ROHM

SiC POWER DEVICES。ROHM

經(jīng)過本次合作案，ROHM將能夠從整車層面深入了解功率半導體所需具備的效能和最佳驅(qū)動方法，這將有助今后開發(fā)出更具競爭力的碳化矽MOSFET和模塊。

三方的目標不僅僅是透過汽車制造商和元件制造商之間的相互了解來創(chuàng)造新價值，更希望為全球更多國家和地區(qū)提供所獲得的知識、技術(shù)和產(chǎn)品，促進汽車領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新，為實現(xiàn)永續(xù)發(fā)展社會貢獻力量。

馬自達汽車株式會社專務(wù)執(zhí)行董事研發(fā)與成本創(chuàng)新部門統(tǒng)括廣瀨   一郎先生表示：「在碳中和目標的推動之下，汽車電動化轉(zhuǎn)型加速，因此馬自達很高興在e-Axle的開發(fā)和生產(chǎn)過程中，能與ROHM這樣擁有雄厚半導體技術(shù)實力、以及強大系統(tǒng)解決方案構(gòu)建能力、并以創(chuàng)造永續(xù)移動社會為目標的公司建立合作關(guān)系，不但能加強半導體元件與汽車領(lǐng)域的雙向連結(jié)，更將有助雙方共同創(chuàng)造新的價值鏈。透過與志同道合的夥伴相互合作，馬自達將繼續(xù)提供能為客戶帶來『駕馭樂趣』的產(chǎn)品，讓客戶在電動車上也能真正地享受駕駛樂趣。」

ROHM  Co.,  Ltd.專務(wù)執(zhí)行董事COO東克己先生表示：「ROHM很高興能夠與馬自達這樣致力于追求汽車自身的魅力—『駕馭樂趣』為目標的公司合作開發(fā)和生產(chǎn)e-Axle。希望藉由本次合作案，能夠更深入地了解馬自達打造『與地球及社會共存共生，永續(xù)發(fā)展的汽車社會』的愿景，并將其真正的需求和要求反映在產(chǎn)品中，開發(fā)出有助于發(fā)展無碳社會的車電系統(tǒng)。隨著半導體對汽車的影響愈來愈大，今后ROHM將致力打造高品質(zhì)產(chǎn)品，提供豐富多元的解決方案，為創(chuàng)建永續(xù)移動社會貢獻一己之力?！?/p>

參考信息

ROHM的主力產(chǎn)品—半導體對于實現(xiàn)「無碳社會」的影響愈來愈大。據(jù)了解「馬達」和「電源」所消耗的電力占全球大部分的耗電量，因此如何提高其效率是ROHM的重要使命。在此種背景下，ROHM在2020年制定了「將重點放在電源及類比領(lǐng)域，協(xié)助客戶實現(xiàn)「節(jié)能」、「小型化」，積極解決社會課題」的經(jīng)營愿景。在明確前進方向的同時，提升集團全體員工的相關(guān)認知，進一步增加企業(yè)的社會貢獻。

在電動車（xEV）領(lǐng)域，實現(xiàn)「碳中和」的目標也推動了更高效、更小型、更輕量的電動系統(tǒng)開發(fā)。尤其是在純電動車（EV）領(lǐng)域，為了延長續(xù)航里程并縮小電池尺寸，如何提高能發(fā)揮驅(qū)動核心作用的逆變器效率已成為重要課題，業(yè)界對碳化矽功率元件更是寄予厚望。

ROHM于2010年在全球率先開始量產(chǎn)碳化矽MOSFET，其后于2012年開始量產(chǎn)全碳化矽功率模塊，更于2015年開始量產(chǎn)溝槽結(jié)構(gòu)的碳化矽MOSFET（第3代），因此在碳化矽元件技術(shù)的開發(fā)方面，ROHM可說一直保持著領(lǐng)先地位。

2020年完成開發(fā)的新一代碳化矽MOSFET（第4代），除了改善短路耐受時間，并實現(xiàn)了業(yè)界超低導通電阻。在車電逆變器中采用該產(chǎn)品時，與IGBT相比，電耗可以減少6%（按照國際標準「WLTC燃料消耗量測試」計算），非常有助延長電動車的續(xù)航里程。目前，除了裸芯片之外，另也正在開發(fā)離散式封裝產(chǎn)品，在本次的合作案當中，ROHM計劃開發(fā)并提供內(nèi)建此種最新型碳化矽MOSFET（第4代）的功率模塊。

支持信息

ROHM官網(wǎng)上提供了碳化矽MOSFET、碳化矽SBD和碳化矽功率模塊等碳化矽功率元件的概要說明，同時，還發(fā)布了用于快速評估和導入第4代SiC MOSFET的各類型支持內(nèi)容，歡迎參閱。