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安全使用三端穩(wěn)壓器必備的散熱基礎知識
- 三端穩(wěn)壓器是一種可以用來對電源進行降壓的簡單電子器件。由于降壓部分直接因發(fā)熱而成為熱損耗,因此在從很高的電壓降壓時或在大電流條件下使用時,需要安裝合適的散熱器。研究發(fā)現(xiàn),溫度每升高2℃,電子元器件的不良率就會增加10%,因此,適當?shù)纳嵩O計對于提高電子元器件的可靠性和延長使用壽命而言至關重要。1 三端穩(wěn)壓器的最大電流取決于溫度三端穩(wěn)壓器有多種類型,其最大輸出電流涵蓋0.5A到2A的范圍。但是,在最大電流條件下使用時,需要配備合適的散熱器。在三端穩(wěn)壓器的技術規(guī)格書中,列出了單獨使用IC時和帶散熱器使用IC時
- 關鍵字: ROHM 穩(wěn)壓器 散熱
ROHM開發(fā)出汽車內(nèi)飾用RGB貼片LED 減少由混色引起的色差問題

- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)推出一款面向汽車內(nèi)飾的RGB貼片LED*1“SMLVN6RGBFU”,非常適用于儀表盤和CID(Center Information Display)*2等車內(nèi)功能和狀態(tài)顯示用的指示燈*3,以及腳燈和門把手燈等裝飾照明應用。近年來,隨著汽車電子化程度的提高和功能多樣化的發(fā)展,車速自動控制、車距檢測、車道線檢測等各種駕駛輔助功能得以廣泛應用。為了用儀表盤等的指示燈顯示這些功能的工作狀態(tài),業(yè)內(nèi)對于能夠表現(xiàn)各種顏色的RGB貼片LED的需求日益高漲。另外,對使用R
- 關鍵字: ROHM 汽車內(nèi)飾 貼片LED 色差問題
ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

- 全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn),這兩款產(chǎn)品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。據(jù)悉,電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半,為實現(xiàn)無碳社會,如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵,SiC (Silicon Carbide:碳化硅)和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年,RO
- 關鍵字: ROHM 650V GaN HEMT
ROHM開發(fā)出超低導通電阻的Nch MOSFET

- 新推出40V~150V耐壓的共13款產(chǎn)品,非常適用于工業(yè)設備電源和各種電機驅(qū)動全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V),這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動以24V、36V、48V級電源供電的應用,例如基站和服務器用的電源、工業(yè)和消費電子設備用的電機等。近年來,全球電力需求量持續(xù)增長,如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題,這就要求不斷提高各種電機和基站、服務器等工業(yè)設備的工作
- 關鍵字: ROHM 超低導通電阻 Nch MOSFET
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列

- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機驅(qū)動)和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應用)兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的
- 關鍵字: ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工業(yè)設備功率模塊
非常適用于車載和工業(yè)設備的雙面散熱功率模塊!ROHM開發(fā)出12W級額定功率的0.85mm業(yè)界超薄金屬板分流電阻器“PSR350”

- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載和工業(yè)設備中的大功率應用,開發(fā)出12W級額定功率的業(yè)界超薄金屬板分流電阻器“PSR350”。另外,ROHM針對已在15W級額定功率產(chǎn)品中達到業(yè)界超小級別的“PSR330”和“PSR100”,還計劃推出0.2mΩ 的產(chǎn)品,以進一步增強“PSR系列”的產(chǎn)品陣容。在工業(yè)設備的功率模塊中,早已出現(xiàn)了內(nèi)置分流電阻器的產(chǎn)品。近年來,在xEV的主驅(qū)逆變器中,為了減小外殼尺寸,在模塊兩側配置散熱機構的薄型功率模塊逐漸增加,在其中內(nèi)置分流電阻器的需求也日益高漲。然而
- 關鍵字: 雙面散熱功率模塊 ROHM 分流電阻器 PSR350
ROHM確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的“超高速驅(qū)動控制”IC 技術

- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)確立了一項超高速驅(qū)動控制IC技術,利用該技術可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關器件的性能。近年來,GaN器件因其具有高速開關的特性優(yōu)勢而被廣泛采用,然而,如何提高控制IC(負責GaN器件的驅(qū)動控制)的速度已成為亟需解決的課題。在這種背景下,ROHM進一步改進了在電源IC領域確立的超高速脈沖控制技術“Nano Pulse Control?”,成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns,達到業(yè)界超高水平。通過將該技術應用在控制IC中,又成功地確立了可更大程
- 關鍵字: ROHM GaN器件 超高速驅(qū)動控制
ROHM開發(fā)出用于液晶背光的4通道、6通道LED驅(qū)動器,助力中大型車載顯示器進一步降低功耗

- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)針對車載信息娛樂系統(tǒng)和車載組合儀表等應用,成功開發(fā)出適用于中型車載顯示器的4通道LED驅(qū)動器IC“”、“BD83A14EFV-M”,以及適用于大型車載顯示器的6通道LED驅(qū)動器IC“BD82A26MUF-M”。近年來,隨著ADAS(高級駕駛輔助系統(tǒng))的發(fā)展和車載信息娛樂系統(tǒng)的功能增加,車載顯示器的尺寸日趨增大。這就要求用于車載顯示器液晶背光的LED驅(qū)動器具有更高的驅(qū)動效率,能夠在提高額定輸出電流的同時降低功耗。此外,如果車載顯示器出現(xiàn)閃爍,其視認性將會降低
- 關鍵字: ROHM 液晶背光 LED驅(qū)動器 車載顯示器
ROHM確立了業(yè)界超小短波紅外(SWIR)器件的量產(chǎn)技術

- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)針對需要進行物質(zhì)檢測的便攜設備、可穿戴和可聽戴設備,確立了1608尺寸(1.6mm×0.8mm)業(yè)界超小的短波紅外*1(以下簡稱SWIR:Short Wavelength Infrared)器件量產(chǎn)技術。?SWIR利用了水、冰和氣體等吸收特定紅外波長的特性,在感測領域的應用備受期待。這種產(chǎn)品不僅可用來檢測物質(zhì)的有無和成分的多少,還可以用作醫(yī)療領域的血氧飽和度和血糖檢測裝置的光源,在食品領域還可用來檢測蔬菜和水果的含水量和含糖量等。另外,在便攜設備
- 關鍵字: ROHM 超小短波紅外 SWIR
羅姆(ROHM)第4代:技術回顧

- 羅姆今年發(fā)布了他們的第4代(Gen4)金氧半場效晶體管(MOSFET)產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V(從650 V提升至750 V)和1200 V的金氧半場效晶體管,以及多個可用的TO247封裝元件,其汽車級合格認證達56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續(xù)瞄準他們之前取得成功的車載充電器市場。在產(chǎn)品發(fā)布聲明中,羅姆聲稱其第4代產(chǎn)品“通過進一步改進原有的雙溝槽結構,在不影響短路耐受時間的情況下,使單位面積導通電阻比傳統(tǒng)產(chǎn)品降低40%?!彼麄冞€表示,“此外,顯著降低寄生電容使得開關損耗比我們的上一代碳
- 關鍵字: 羅姆 ROHM MOSFET
ROHM開發(fā)出輸出電壓更穩(wěn)定且非常適用于冗余電源的小型一次側LDO

- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出支持高達45V的額定電壓、50mA輸出電流的一次側*1LDO穩(wěn)壓器*2(以下簡稱“LDO”)“BD7xxL05G-C系列”(BD725L05G-C、BD730L05G-C、BD733L05G-C、BD750L05G-C),該系列產(chǎn)品非常適用于各種冗余電源*3,用于車載應用中,可提高車載電源系統(tǒng)的可靠性。近年來,隨著ADAS(高級駕駛輔助系統(tǒng))等的發(fā)展,要求為這些應用供電的車載電源系統(tǒng)具有更高的可靠性。因此,越來越多的車載電源系統(tǒng)都開始配備冗余電源,以
- 關鍵字: ROHM 一次側LDO
rohm介紹
Rohm株式會社為全球知名的半導體生產(chǎn)企業(yè),ROHM公司總部所在地設在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產(chǎn)商在京都起家的ROHM,于1967年和1969年逐步進入了 晶體管、二極管領域和IC等半導體領域.2年后的1971年ROHM作為第一家進入美國硅谷的日本企業(yè),在硅谷開設了IC設計中心.以當時的企業(yè)規(guī)模,憑借被稱為"超常思維"的創(chuàng)新理念,加之年輕的、充滿夢想和激情的員工的艱苦奮斗,ROHM [ 查看詳細 ]
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