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Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應(yīng)用實現(xiàn)更高功率密度

  •  基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應(yīng)用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場經(jīng)理Neil M
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Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在為快速開關(guān)應(yīng)用提高效率

  • 奈梅亨，2021年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布擴(kuò)充了旗下的Trench肖特基整流器產(chǎn)品組合，最新推出額定電壓和電流分別高達(dá)100 V和20 A的全新器件，具有出色的開關(guān)性能和領(lǐng)先的熱性能。新器件采用Nexperia的夾片式FlatPower (CFP)封裝，管腳尺寸遠(yuǎn)小于SMA/SMB/SMC器件。 Trench工藝可在降低漏電流的同時，大幅減少存儲在器件中的Qrr電荷。因而，Trench肖特基整流器能夠?qū)崿F(xiàn)超快的開關(guān)速度，既能減少整流器的開關(guān)損耗，又減少了同一換向單元中MOS
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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Nexperia推出適用于汽車應(yīng)用中高速接口的新型ESD保護(hù)器件

  •  基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布推出一系列ESD保護(hù)器件，專門用于保護(hù)汽車應(yīng)用中越來越多的高速接口，特別是與信息娛樂和車輛通訊相關(guān)的車載網(wǎng)絡(luò)(IVN)。 隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的提高和車載電子含量的增加，EMC保護(hù)的需求變得越來越重要，提供正確的保護(hù)類型已成為設(shè)計工程師的巨大挑戰(zhàn)。Nexperia的TrEOS技術(shù)優(yōu)化了ESD保護(hù)的三大關(guān)鍵參數(shù)（信號完整性、系統(tǒng)保護(hù)和魯棒性），以提供具有低電容、低鉗位電壓和高ESD魯棒性的理想組合的器件。 全新的PESD4USBx系列總共包括十二款采用Tr
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Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達(dá)成深度合作

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布與國內(nèi)汽車行業(yè)主要供應(yīng)商聯(lián)合汽車電子有限公司（簡稱UAES）在功率半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）領(lǐng)域展開深度合作，旨在滿足未來對新能源汽車電源系統(tǒng)不斷提升的技術(shù)需求，共同致力于推動GaN工藝技術(shù)在中國汽車市場的研發(fā)和應(yīng)用。 隨著汽車電氣化、5G通信、工業(yè)4.0市場的不斷增長，基于GaN的主流設(shè)計正漸入佳境，勢必推動2021年及未來功率半導(dǎo)體的需求增長。Nexperia GaN FET產(chǎn)品已與UAES在電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器等項目中開展研發(fā)合作。N
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Nexperia擴(kuò)展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的半橋封裝產(chǎn)品

  • 關(guān)鍵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布推出一系列采用節(jié)省空間的LFPAK56D封裝技術(shù)的半橋（高端和低端）汽車MOSFET。采用兩個MOSFET的半橋配置是許多汽車應(yīng)用（包括電機(jī)驅(qū)動器和DC/DC轉(zhuǎn)換器）的標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)建模塊。這種新封裝提供了一種單器件半橋解決方案。與用于三相電機(jī)控制拓?fù)涞碾p通道MOSFET相比，由于去掉了PCB線路，其占用的PCB面積減少了30%，同時支持在生產(chǎn)過程中進(jìn)行簡單的自動光學(xué)檢測(AOI)。LFPAK56D半橋產(chǎn)品采用現(xiàn)有的大批量LFPAK56D封裝工藝，并具有成熟的汽車級
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Nexperia計劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出

  • 奈梅亨，2021年2月9日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力和研發(fā)方面的全球投資。 新投資與公司的發(fā)展戰(zhàn)略相吻合。去年，Nexperia的母公司聞泰科技承諾投資120億元人民幣（18.5億美元）在上海臨港新建一座300mm（12英寸）功率半導(dǎo)體晶圓廠。該晶圓廠將于2022年投入運營，預(yù)計年產(chǎn)40萬片晶圓。 Nexperia今年的計劃包括提高生產(chǎn)效率，并在其位于德國漢堡和英國曼徹斯特的歐洲晶圓廠試試全新的200mm技術(shù)。漢堡晶圓廠還會增加對寬帶隙半導(dǎo)體制造新技術(shù)的
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Nexperia首推用于48 V汽車和其他更高電壓總線電路的80 V RET

  • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天首次宣布推出80 V RET（配電阻晶體管）系列。這些新的RET或“數(shù)字晶體管”提供了足夠的余量，可用于48 V汽車板網(wǎng)（如輕度混合動力和EV汽車）和其他更高電壓的電路，這些電路經(jīng)常受到較大的尖峰和脈沖影響，以前的50 V器件無法處理。 通過在與晶體管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封裝中組合偏置電阻和偏置發(fā)射極電阻，RET可以節(jié)省空間并降低制造成本。SOT363封裝還提供雙RET（兩個晶體管和兩
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Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個周期測試的 可靠重復(fù)雪崩性能

  • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天發(fā)布獲得AEC-Q101認(rèn)證的新重復(fù)雪崩專用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點關(guān)注動力系統(tǒng)應(yīng)用。該技術(shù)已通過十億個雪崩周期測試，可用于汽車感性負(fù)載控制，例如電磁閥和執(zhí)行器。除了提供更快的關(guān)斷時間（高達(dá)4倍）外，該技術(shù)還能通過減少BOM數(shù)量簡化設(shè)計。  在汽車動力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領(lǐng)域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動鉗位拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行構(gòu)建。第四個選擇是重復(fù)雪崩設(shè)計，利用MOSFET的重復(fù)雪崩能力來泄放在其關(guān)
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Nexperia推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的無引腳CAN-FD保護(hù)二極管，具有行業(yè)領(lǐng)先的ESD性能

  • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出適用于CAN-FD應(yīng)用的新款無引腳ESD保護(hù)器件。器件采用無引腳封裝，帶有可濕錫焊接側(cè)焊盤，支持使用AOI工具。PESD2CANFDx系列部件完全符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，同時提供行業(yè)領(lǐng)先的ESD和RF性能，節(jié)省了PCB空間。 Nexperia通過有引腳和無引腳封裝為CAN-FD總線提供硅基ESD保護(hù)。帶有可濕錫焊接側(cè)焊盤的全新DFN1412D-3和DFN1110D-3無引腳DFN封裝占用的PCB空間比傳統(tǒng)SOT23和SOT323封裝少
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Nexperia首次亮相第三屆中國國際進(jìn)口博覽會

  • 奈梅亨，2020年10月29日：半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia將首次亮相于2020年11月5日至10日在上海舉辦的第三屆中國國際進(jìn)口博覽會并將全方位介紹Nexperia如何運用邏輯IC、分立器件、MOSFET和GAN FET等創(chuàng)新器件推動全球各類電子設(shè)計的發(fā)展。 Nexperia憑借多元化、高產(chǎn)能的產(chǎn)品組合和行業(yè)領(lǐng)先的小封裝技術(shù)引領(lǐng)全球市場。Nexperia生產(chǎn)約15,000種產(chǎn)品，每年新增800余種新產(chǎn)品。作為未來創(chuàng)新技術(shù)的推動者，Nexperia展臺位于本屆中國國際進(jìn)口博覽會
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Nexperia建立新的特定型應(yīng)用FET類別以優(yōu)化性能

  • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia響應(yīng)行業(yè)需求，通過定義一組全新的MOSFET產(chǎn)品，最大限度提高性能。特定型應(yīng)用FET（簡稱ASFET）所采用的MOSFET能為特定應(yīng)用提供優(yōu)化的參數(shù)。通過專注于特定的應(yīng)用，可實現(xiàn)顯著的改進(jìn)。 Nexperia為電池隔離、電機(jī)控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用提供ASFET系列。  定制ASFET可實現(xiàn)的改進(jìn)因應(yīng)用而異，例如對于熱插拔應(yīng)用，安全工作區(qū)域(SOA)能提高3至5倍；對于電機(jī)應(yīng)用，最大額定電流可超過300 A。 Nexpe
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Nexperia推出首款帶可焊性側(cè)面、采用DFN封裝的LED驅(qū)動器

  • 2020年10月12日消息，半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布新推出一系列LED驅(qū)動器，采用DFN2020D-6 (SOT1118D)封裝，能有效節(jié)省空間。LED驅(qū)動器帶可焊性側(cè)面(SWF)，可促進(jìn)實現(xiàn)AOI（自動光學(xué)檢測）并提高可靠性。這是LED驅(qū)動器首次采用這種有益封裝。新量產(chǎn)的無引腳的產(chǎn)品加入已經(jīng)量產(chǎn)的帶引腳的產(chǎn)品提供更廣的產(chǎn)品組合，新產(chǎn)品與SOT223相比，在具備同等性能的情況下，將PCB空間減少了90%。新推出的DFN2020D-6 LED驅(qū)動器采用NPN和PNP技術(shù)，
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Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保護(hù)的共模濾波器

  • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出全新產(chǎn)品PCMFxHDMI2BA-C，這款集成了ESD保護(hù)功能的共模濾波器具有超過10 GHz差分帶寬。它適用于高達(dá)12Gbps 的最新HDMI 2.1標(biāo)準(zhǔn)，能夠輕松通過眼圖測試。  Nexperia高速保護(hù)和濾波產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider說：“HDMI 2.1使顯示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是，這需要更優(yōu)秀的抗干擾保護(hù)，尤其是在緊湊的無線應(yīng)用中，這些2合1的ESD和濾波組合器件的性能和小尺寸非常適合對性能和空間有要求
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Nexperia全新車用TrEOS ESD保護(hù)器件兼具高信號完整性、低鉗位電壓和高浪涌抗擾度

  • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保護(hù)器件，這些器件通過了AEC-Q101認(rèn)證，適用于車規(guī)級應(yīng)用，并且可承受高達(dá)175°C的高溫。同時，與所有TrEOS器件一樣，這些新的車用器件具有很低的電容，可確保高信號完整性，并具有很低的鉗位電壓和高穩(wěn)健性，適用于新的車載接口。具體的車載應(yīng)用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娛樂、多媒體與ADAS系統(tǒng)。 Nexperia的TrEOS ESD保護(hù)技術(shù)利用有源可控硅整流來克服傳統(tǒng)保護(hù)
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