首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> nexperia

Nexperia的新型雙極結晶體管采用DPAK封裝，為汽車和工業(yè)應用提供高可靠性

  • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出9款新的功率雙極性晶體管，擴大了具有散熱和電氣優(yōu)勢的DPAK封裝的產(chǎn)品組合，涵蓋2 A - 8 A 和45 V - 100 V應用。新的MJD系列器件與其他DPAK封裝的MJD器件引腳兼容，且在可靠性方面有著顯著優(yōu)勢。新的MJD系列雙極性晶體管滿足AEC-Q101汽車級器件和工業(yè)級器件標準，額定值為2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V（MJD4
  • 關鍵字： MJD系列  Nexperia  功率產(chǎn)品  

獨立半導體設備制造商ITEC借助高生產(chǎn)率的芯片組裝系統(tǒng)緩解半導體短缺問題

  • 由飛利浦（現(xiàn)為Nexperia）于1991年創(chuàng)立的半導體設備制造商ITEC，今日宣布成為獨立實體。ITEC仍然是Nexperia集團的一部分。通過此舉，ITEC能夠及時解決第三方市場的問題，滿足對半導體的噴井式需求。ITEC致力為全球半導體制造商提供經(jīng)久耐用的創(chuàng)新性制造解決方案。 ITEC一直處于半導體生產(chǎn)的前沿?？偨?jīng)理Marcel Vugts表示：“ITEC扎根于半導體制造領域，作為飛利浦、恩智浦和Nexperia的合作伙伴，我們將30多年來的自動化專業(yè)知識與最先進的設備結合起來。ITEC致力于將最新的
  • 關鍵字： ITEC  Nexperia  

Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權，正式更名為Nexperia Newport

  • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此舉可助力公司實現(xiàn)宏偉的增長目標和投資，進一步提高全球產(chǎn)能。通過此次收購，Nexperia獲得了該威爾士半導體硅芯片生產(chǎn)工廠的100%所有權。Nexperia Newport將繼續(xù)在威爾士半導體生態(tài)系統(tǒng)中占據(jù)重要地位，引領新港地區(qū)和該區(qū)域其他工廠的技術研發(fā)。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務的客戶，并于2019年通過投資Neptune 6 Limite
  • 關鍵字： Nexperia  Fab  

Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引腳標準邏輯DHXQFN封裝

  •  基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出用于標準邏輯器件的全球最小且最薄的14、16、20和24引腳封裝。例如，16引腳DHXQFN封裝比行業(yè)標準DQFN16無引腳器件小45%。新封裝不但比競爭產(chǎn)品管腳尺寸更小，而且還節(jié)省了25%的PCB面積。封裝尺寸僅為2 mm x 2 mm（14 引腳）、2 mm x 2.4 mm（16引腳）、2 mm x 3.2 mm（20引腳）和2 mm x 4 mm（24引腳），0.4 mm間距的DHXQFN封裝只有0.45 mm高。器件包括：十六路反向
  • 關鍵字： Nexperia  DHXQFN封裝  

Nexperia新8英寸晶圓線啟動，生產(chǎn)領先Qrr品質(zhì)因數(shù)80 V/100 V MOSFET

  • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線將立即擴大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導體短缺的情況下，Nexperia積極投資
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  

Nexperia計劃在2021和2022年投資7億美元提高產(chǎn)能

  • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布了全球增長戰(zhàn)略最新舉措，即在未來12個月至15個月期間投資7億美元用于擴建歐洲的晶圓廠、亞洲的封裝和測試工廠和全球的研發(fā)基地。 新投資將提高所有工廠的制造能力、支持氮化鎵(GaN)寬帶隙半導體和電源管理IC等領域的研發(fā)，并將支持舉辦招聘活動，吸引更多芯片設計師和工程師人才。 Nexperia首席運營官Achim Kempe表示：“全球半導體市場正逐漸走出去年上半年以來的頹勢，并重新崛起。2020年，Nexperia 年銷售額為14億美元，銷量從去年第三季度和第四
  • 關鍵字： Nexperia  

Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應用實現(xiàn)更高功率密度

  •  基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場經(jīng)理Neil M
  • 關鍵字： Nexperia  低RDS(on)  MOSFET  

Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在為快速開關應用提高效率

  • 奈梅亨，2021年5月10日：基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布擴充了旗下的Trench肖特基整流器產(chǎn)品組合，最新推出額定電壓和電流分別高達100 V和20 A的全新器件，具有出色的開關性能和領先的熱性能。新器件采用Nexperia的夾片式FlatPower (CFP)封裝，管腳尺寸遠小于SMA/SMB/SMC器件。 Trench工藝可在降低漏電流的同時，大幅減少存儲在器件中的Qrr電荷。因而，Trench肖特基整流器能夠?qū)崿F(xiàn)超快的開關速度，既能減少整流器的開關損耗，又減少了同一換向單元中MOS
  • 關鍵字： Nexperia  Trench  肖特基整流器  

Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行

  • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  GaN  

Nexperia推出適用于汽車應用中高速接口的新型ESD保護器件

  •  基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布推出一系列ESD保護器件，專門用于保護汽車應用中越來越多的高速接口，特別是與信息娛樂和車輛通訊相關的車載網(wǎng)絡(IVN)。 隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的提高和車載電子含量的增加，EMC保護的需求變得越來越重要，提供正確的保護類型已成為設計工程師的巨大挑戰(zhàn)。Nexperia的TrEOS技術優(yōu)化了ESD保護的三大關鍵參數(shù)（信號完整性、系統(tǒng)保護和魯棒性），以提供具有低電容、低鉗位電壓和高ESD魯棒性的理想組合的器件。 全新的PESD4USBx系列總共包括十二款采用Tr
  • 關鍵字： Nexperia  高速接口  ESD  

Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領域達成深度合作

  • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布與國內(nèi)汽車行業(yè)主要供應商聯(lián)合汽車電子有限公司（簡稱UAES）在功率半導體氮化鎵（GaN）領域展開深度合作，旨在滿足未來對新能源汽車電源系統(tǒng)不斷提升的技術需求，共同致力于推動GaN工藝技術在中國汽車市場的研發(fā)和應用。 隨著汽車電氣化、5G通信、工業(yè)4.0市場的不斷增長，基于GaN的主流設計正漸入佳境，勢必推動2021年及未來功率半導體的需求增長。Nexperia GaN FET產(chǎn)品已與UAES在電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器等項目中開展研發(fā)合作。N
  • 關鍵字： Nexperia  聯(lián)合汽車電子  氮化鎵  

Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標準的半橋封裝產(chǎn)品

  • 關鍵半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布推出一系列采用節(jié)省空間的LFPAK56D封裝技術的半橋（高端和低端）汽車MOSFET。采用兩個MOSFET的半橋配置是許多汽車應用（包括電機驅(qū)動器和DC/DC轉(zhuǎn)換器）的標準構建模塊。這種新封裝提供了一種單器件半橋解決方案。與用于三相電機控制拓撲的雙通道MOSFET相比，由于去掉了PCB線路，其占用的PCB面積減少了30%，同時支持在生產(chǎn)過程中進行簡單的自動光學檢測(AOI)。LFPAK56D半橋產(chǎn)品采用現(xiàn)有的大批量LFPAK56D封裝工藝，并具有成熟的汽車級
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  AEC-Q101  

Nexperia計劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出

  • 奈梅亨，2021年2月9日：基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力和研發(fā)方面的全球投資。 新投資與公司的發(fā)展戰(zhàn)略相吻合。去年，Nexperia的母公司聞泰科技承諾投資120億元人民幣（18.5億美元）在上海臨港新建一座300mm（12英寸）功率半導體晶圓廠。該晶圓廠將于2022年投入運營，預計年產(chǎn)40萬片晶圓。 Nexperia今年的計劃包括提高生產(chǎn)效率，并在其位于德國漢堡和英國曼徹斯特的歐洲晶圓廠試試全新的200mm技術。漢堡晶圓廠還會增加對寬帶隙半導體制造新技術的
  • 關鍵字： Nexperia  聞泰科技  

Nexperia首推用于48 V汽車和其他更高電壓總線電路的80 V RET

  • 半導體基礎元器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天首次宣布推出80 V RET（配電阻晶體管）系列。這些新的RET或“數(shù)字晶體管”提供了足夠的余量，可用于48 V汽車板網(wǎng)（如輕度混合動力和EV汽車）和其他更高電壓的電路，這些電路經(jīng)常受到較大的尖峰和脈沖影響，以前的50 V器件無法處理。 通過在與晶體管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封裝中組合偏置電阻和偏置發(fā)射極電阻，RET可以節(jié)省空間并降低制造成本。SOT363封裝還提供雙RET（兩個晶體管和兩
  • 關鍵字： Nexperia  RET  

Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個周期測試的 可靠重復雪崩性能

  • 半導體基礎元器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天發(fā)布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點關注動力系統(tǒng)應用。該技術已通過十億個雪崩周期測試，可用于汽車感性負載控制，例如電磁閥和執(zhí)行器。除了提供更快的關斷時間（高達4倍）外，該技術還能通過減少BOM數(shù)量簡化設計。  在汽車動力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動鉗位拓撲結構進行構建。第四個選擇是重復雪崩設計，利用MOSFET的重復雪崩能力來泄放在其關
  • 關鍵字： Nexperia  AEC-Q101  MOSFET  
共121條 6/9 |‹ « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 »
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473