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Nexperia先進(jìn)電熱模型可覆蓋整個(gè)MOSFET工作溫度范圍

基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強(qiáng)型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會(huì)為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個(gè)工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。這些先進(jìn)模型中加入了反向二極管恢復(fù)時(shí)間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級(jí)仿真，并在原型設(shè)計(jì)前對(duì)電熱及EMC性能進(jìn)行評(píng)估。模型還有助于節(jié)省時(shí)間和資源，工程師此
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Nexperia迎來(lái)獨(dú)立公司成立五周年慶典，未來(lái)將繼續(xù)大展宏圖

Nexperia（安世半導(dǎo)體）今天隆重宣布 - 慶祝公司作為獨(dú)立實(shí)體進(jìn)入半導(dǎo)體行業(yè)五周年。Nexperia仍是一個(gè)較為年輕的品牌，但憑借過(guò)去幾十年在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域樹(shù)立的良好口碑和強(qiáng)勁表現(xiàn)，經(jīng)過(guò)五個(gè)春秋的不懈努力，已經(jīng)在市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟。回望2017年成立之初，Nexperia秉持滿(mǎn)懷激情和專(zhuān)業(yè)精深的精神積極打造創(chuàng)新產(chǎn)品，既滿(mǎn)足了客戶(hù)需求，也實(shí)現(xiàn)了與客戶(hù)的共同成長(zhǎng)。五年來(lái)，Nexperia展現(xiàn)了種種前瞻性理念和業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)，推出引領(lǐng)市場(chǎng)的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)業(yè)界先進(jìn)水平的產(chǎn)能開(kāi)發(fā)，可在持續(xù)滿(mǎn)足嚴(yán)苛的車(chē)規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
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Nexperia50μA齊納二極管可延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間，節(jié)省PCB空間

基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出全系列低電流穩(wěn)壓器二極管。50μA齊納二極管系列提供3種不同的表貼(SMD)封裝選項(xiàng)，采用超小型分立式扁平無(wú)引腳(DFN)封裝以及符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的器件，為客戶(hù)提供了更多選擇和靈活性。這些高效率二極管采用在低測(cè)試電流(50μA)下的性能工作，非常適合移動(dòng)、可穿戴、汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中的低偏置電流和便攜式電池供電設(shè)備。 Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Paula Stümer表示：“DFN1006BD-2封裝器件配有可濕錫焊接側(cè)側(cè)邊可濕錫
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Nexperia推出一系列A-selection齊納二極管，可提供高精度基準(zhǔn)電壓

基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導(dǎo)體）今天宣布推出業(yè)內(nèi)首批A-selection齊納二極管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差僅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基準(zhǔn)電壓。這兩個(gè)系列不僅可以滿(mǎn)足日漸增長(zhǎng)的移動(dòng)便攜式和可穿戴應(yīng)用、汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用的需求及監(jiān)管要求，也可以支持Q產(chǎn)品組合器件。 “Nexperia的A-selection齊納二極管涵蓋從1.8V至75V的各種應(yīng)用，提供高精度、低容差基準(zhǔn)電壓
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場(chǎng)。這對(duì)于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應(yīng)商N(yùn)experia而言是一項(xiàng)戰(zhàn)略性舉措，旨在擴(kuò)展高壓寬禁帶半導(dǎo)體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級(jí)器件，重復(fù)反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續(xù)正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用實(shí)現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
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Nexperia表面貼裝器件通過(guò)汽車(chē)應(yīng)用的板級(jí)可靠性要求

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布，公司研發(fā)的表面貼裝器件-銅夾片F(xiàn)latPower封裝CFP15B首次通過(guò)領(lǐng)先的一級(jí)供應(yīng)商針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用的板級(jí)可靠性 (BLR)測(cè)試。該封裝將首先應(yīng)用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元。 BLR是一種評(píng)估半導(dǎo)體封裝堅(jiān)固性和可靠性的方法。測(cè)試遵循極為嚴(yán)格的程序，在十分注重安全性和可靠性的汽車(chē)應(yīng)用中具有重要的指導(dǎo)意義。隨著汽車(chē)行業(yè)向電動(dòng)和車(chē)聯(lián)網(wǎng)轉(zhuǎn)型，車(chē)載電子系統(tǒng)越來(lái)越復(fù)雜，因此該認(rèn)證至關(guān)重要。 Nexperia雙極性功率分立器件產(chǎn)品經(jīng)理Guido S?h
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Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia，今日宣布將于9月21日至23日舉辦‘Power Live’，這是其第二次舉辦此年度虛擬會(huì)議。鑒于去年首屆活動(dòng)取得圓滿(mǎn)成功，本屆為期三天的活動(dòng)將擴(kuò)大規(guī)模，涵蓋與功率電子元件相關(guān)的眾多主題，包括面向汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用的GaN、MOSFET、功率二極管和雙極性晶體管。會(huì)議重點(diǎn)將包括：l MOSFET全電熱模型Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細(xì)預(yù)覽，該模型可以在仿真中準(zhǔn)確呈現(xiàn)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性，并降低在設(shè)計(jì)過(guò)程后期發(fā)現(xiàn)EMC問(wèn)題的風(fēng)險(xiǎn)。 l
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Nexperia再度蟬聯(lián)博世全球供應(yīng)商大獎(jiǎng)

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia非常榮幸地宣布，公司榮獲博世全球供應(yīng)商榮譽(yù)大獎(jiǎng)“采購(gòu)直接材料 - 移動(dòng)解決方案”。連續(xù)兩次獲得這一殊榮足以證明Nexperia與全球領(lǐng)先的技術(shù)和服務(wù)供應(yīng)商博世已建立長(zhǎng)期協(xié)作關(guān)系，包括合作進(jìn)行早期階段的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，以應(yīng)對(duì)汽車(chē)行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)。博世供應(yīng)鏈管理主管Arne Flemming博士表示：“博世全球供應(yīng)商大獎(jiǎng)旨在表彰全球各地的最佳供應(yīng)商。作為開(kāi)發(fā)和創(chuàng)新領(lǐng)域的合作伙伴，他們?cè)趲椭┦辣３指?jìng)爭(zhēng)力方面發(fā)揮了重要作用?！?每隔兩年，博世會(huì)從全球各地的供應(yīng)商中挑
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適用于熱插拔的Nexperia新款特定應(yīng)用MOSFET

新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本?；A(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強(qiáng)了SOA性能，適用于5G電信系統(tǒng)和48 V服務(wù)器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動(dòng)應(yīng)用以及需要e-fuse和電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備。 ASFET是一種新型MOSFET，經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可用于特定應(yīng)用場(chǎng)景。通過(guò)專(zhuān)注于對(duì)某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù)，有時(shí)需要犧牲相同設(shè)計(jì)中其他較不重要的參數(shù)，以實(shí)現(xiàn)全新性能水平。新款熱插拔ASFET
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Nexperia的新型雙極結(jié)晶體管采用DPAK封裝，為汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用提供高可靠性

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出9款新的功率雙極性晶體管，擴(kuò)大了具有散熱和電氣優(yōu)勢(shì)的DPAK封裝的產(chǎn)品組合，涵蓋2 A - 8 A 和45 V - 100 V應(yīng)用。新的MJD系列器件與其他DPAK封裝的MJD器件引腳兼容，且在可靠性方面有著顯著優(yōu)勢(shì)。新的MJD系列雙極性晶體管滿(mǎn)足AEC-Q101汽車(chē)級(jí)器件和工業(yè)級(jí)器件標(biāo)準(zhǔn)，額定值為2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V（MJD4
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獨(dú)立半導(dǎo)體設(shè)備制造商ITEC借助高生產(chǎn)率的芯片組裝系統(tǒng)緩解半導(dǎo)體短缺問(wèn)題

由飛利浦（現(xiàn)為Nexperia）于1991年創(chuàng)立的半導(dǎo)體設(shè)備制造商ITEC，今日宣布成為獨(dú)立實(shí)體。ITEC仍然是Nexperia集團(tuán)的一部分。通過(guò)此舉，ITEC能夠及時(shí)解決第三方市場(chǎng)的問(wèn)題，滿(mǎn)足對(duì)半導(dǎo)體的噴井式需求。ITEC致力為全球半導(dǎo)體制造商提供經(jīng)久耐用的創(chuàng)新性制造解決方案。 ITEC一直處于半導(dǎo)體生產(chǎn)的前沿?？偨?jīng)理Marcel Vugts表示：“ITEC扎根于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，作為飛利浦、恩智浦和Nexperia的合作伙伴，我們將30多年來(lái)的自動(dòng)化專(zhuān)業(yè)知識(shí)與最先進(jìn)的設(shè)備結(jié)合起來(lái)。ITEC致力于將最新的
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Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權(quán)，正式更名為Nexperia Newport

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布已完成收購(gòu)Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此舉可助力公司實(shí)現(xiàn)宏偉的增長(zhǎng)目標(biāo)和投資，進(jìn)一步提高全球產(chǎn)能。通過(guò)此次收購(gòu)，Nexperia獲得了該威爾士半導(dǎo)體硅芯片生產(chǎn)工廠的100%所有權(quán)。Nexperia Newport將繼續(xù)在威爾士半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中占據(jù)重要地位，引領(lǐng)新港地區(qū)和該區(qū)域其他工廠的技術(shù)研發(fā)。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務(wù)的客戶(hù)，并于2019年通過(guò)投資Neptune 6 Limite
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Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引腳標(biāo)準(zhǔn)邏輯DHXQFN封裝

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出用于標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件的全球最小且最薄的14、16、20和24引腳封裝。例如，16引腳DHXQFN封裝比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)DQFN16無(wú)引腳器件小45%。新封裝不但比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品管腳尺寸更小，而且還節(jié)省了25%的PCB面積。封裝尺寸僅為2 mm x 2 mm（14 引腳）、2 mm x 2.4 mm（16引腳）、2 mm x 3.2 mm（20引腳）和2 mm x 4 mm（24引腳），0.4 mm間距的DHXQFN封裝只有0.45 mm高。器件包括：十六路反向
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Nexperia新8英寸晶圓線啟動(dòng)，生產(chǎn)領(lǐng)先Qrr品質(zhì)因數(shù)80 V/100 V MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布，位于英國(guó)曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動(dòng)，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線將立即擴(kuò)大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導(dǎo)體短缺的情況下，Nexperia積極投資
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Nexperia計(jì)劃在2021和2022年投資7億美元提高產(chǎn)能

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布了全球增長(zhǎng)戰(zhàn)略最新舉措，即在未來(lái)12個(gè)月至15個(gè)月期間投資7億美元用于擴(kuò)建歐洲的晶圓廠、亞洲的封裝和測(cè)試工廠和全球的研發(fā)基地。新投資將提高所有工廠的制造能力、支持氮化鎵(GaN)寬帶隙半導(dǎo)體和電源管理IC等領(lǐng)域的研發(fā)，并將支持舉辦招聘活動(dòng)，吸引更多芯片設(shè)計(jì)師和工程師人才。 Nexperia首席運(yùn)營(yíng)官Achim Kempe表示：“全球半導(dǎo)體市場(chǎng)正逐漸走出去年上半年以來(lái)的頹勢(shì)，并重新崛起。2020年，Nexperia 年銷(xiāo)售額為14億美元，銷(xiāo)量從去年第三季度和第四
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