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Nexperia擴(kuò)展產(chǎn)品組合，率先推出集成式5 V負(fù)載開關(guān)

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品系列，進(jìn)一步擴(kuò)充其模擬和邏輯產(chǎn)品組合。NPS4053是本次產(chǎn)品發(fā)布的主角，這是一款高密度集成電路(IC)，憑借小巧的尺寸提供優(yōu)異的系統(tǒng)保護(hù)性能，可幫助提高系統(tǒng)可靠性，保障系統(tǒng)安全。該器件經(jīng)過優(yōu)化升級，適合應(yīng)用于便攜式設(shè)備（如筆記本電腦）、臺式電腦、擴(kuò)展塢和車載信息娛樂系統(tǒng)。  負(fù)載開關(guān)是各種現(xiàn)代電子系統(tǒng)正常工作必不可少的器件。這些開關(guān)在以受控方式管理從電源到負(fù)載的電流/電壓方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。在典型的電源鏈中，NPS405
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IGBTs給高功率帶來了更多的選擇

  • 絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時(shí)日，事實(shí)上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時(shí)起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應(yīng)用的主要器件，包括供暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)（HVAC）系統(tǒng)以及電焊和感應(yīng)加熱等高電流應(yīng)用。隨著太陽能面板、電動汽車充電器和工業(yè)伺服電機(jī)的日益普及，市場對高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個(gè)行業(yè)的需求，并進(jìn)一步完善持續(xù)擴(kuò)大的高壓技術(shù)產(chǎn)品組合（GaN和SiC），Nexperia （安世半導(dǎo)體）正在推出多個(gè) IGBT系列，首先便是600
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Nexperia率先推出紐扣電池壽命和功率增強(qiáng)器

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出NBM7100和NBM5100。這兩款I(lǐng)C采用了具有突破意義的創(chuàng)新技術(shù)，是專為延長不可充電的典型紐扣鋰電池壽命而設(shè)計(jì)的新型電池壽命增強(qiáng)器，相比于同類解決方案，可將該類電池壽命延長10倍，與未使用電池增強(qiáng)器的典型紐扣電池相比，使用該增強(qiáng)器還可將電池的峰值輸出電流能力提高至25倍。大幅延長工作壽命意味著低功率物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和其他便攜式應(yīng)用中的廢舊電池?cái)?shù)量將顯著減少，同時(shí)，過去只能由AA-或AAA-電池提供動力的應(yīng)用也有望改用紐扣電池。  &
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Nexperia擴(kuò)充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列

  • 奈梅亨，2023年6月21日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴(kuò)充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設(shè)計(jì)。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開關(guān)電源、快充、USB-PD和電機(jī)控制應(yīng)用。  長期以來，品質(zhì)因數(shù)Qg*RDSon一直是半導(dǎo)體制造商提高M(jìn)OSFET開關(guān)效率的重點(diǎn)。然而，一味地降低該品質(zhì)因數(shù)導(dǎo)致產(chǎn)生了意外后果
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Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊，助力工程師隨時(shí)隨地分析MOSFET行為

  • 奈梅亨，2023年5月11日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊，大幅提升了對半導(dǎo)體工程師的設(shè)計(jì)支持標(biāo)準(zhǔn)。通過操作數(shù)據(jù)手冊中的交互式滑塊，用戶可以手動調(diào)整其電路應(yīng)用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點(diǎn)如何動態(tài)響應(yīng)這些變化。 這些交互式數(shù)據(jù)手冊使用Nexperia的高級電熱模型計(jì)算器件的工作點(diǎn)，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外，工程師借助這些交互式數(shù)據(jù)手冊可以即時(shí)查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
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Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

  • 奈梅亨，2023年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。  Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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Nexperia 聘請經(jīng)紀(jì)公司出售Newport晶圓廠

  • Newport 晶圓廠擁有每月超過 35,000 個(gè) 200mm 晶圓的制造能力。
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Nexperia推出先進(jìn)的I2C GPIO擴(kuò)展器產(chǎn)品組合

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出全新16通道I2C通用輸入輸出(GPIO)擴(kuò)展器產(chǎn)品組合，旨在提高電子系統(tǒng)的靈活性和重復(fù)利用能力。其中一款GPIO擴(kuò)展器NCA9595采用可通過寄存器配置的內(nèi)部上拉電阻，可根據(jù)實(shí)際需要自定義以優(yōu)化功耗。當(dāng)需要擴(kuò)展I/O數(shù)量時(shí)，利用該產(chǎn)品組合可實(shí)現(xiàn)簡潔的設(shè)計(jì)，同時(shí)盡可能減少互連。這有助于設(shè)計(jì)工程師增添新功能，而且不會增加PCB設(shè)計(jì)復(fù)雜性和物料成本。 隨著服務(wù)器、汽車、工業(yè)、醫(yī)療和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的發(fā)展，需要通過微控制器進(jìn)行監(jiān)測的傳感器信
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Nexperia針對嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用 推出650V碳化硅二極管

  • 奈梅亨，2023年4月20日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效率的電源應(yīng)用。10 A、650 V SiC肖特基二極管滿足工業(yè)級器件標(biāo)準(zhǔn)，可應(yīng)對高電壓和高電流應(yīng)用帶來的挑戰(zhàn)，包括開關(guān)模式電源、AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電基礎(chǔ)設(shè)施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續(xù)運(yùn)行性能。例如，相比僅使用硅基解決方案的數(shù)據(jù)中心，配備采用Nexperia PSC1065K SiC肖特基二極管設(shè)計(jì)電源的數(shù)
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Nexperia推出能源采集PMIC，以加速開發(fā)環(huán)境友好型能源自主式低功耗器件

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出能量采集解決方案，進(jìn)一步豐富其電源管理IC系列。該方案可簡化低功耗物聯(lián)網(wǎng)(IoT)及其嵌入式應(yīng)用，并增強(qiáng)應(yīng)用性能。NEH2000BY是高性能電源管理集成電路(PMIC)，可從環(huán)境中收集能源（例如借助光伏電池采集光能），并給電池或儲能電容充電。憑借此特性，Nexperia的NEH2000BY可為開發(fā)體積更小、更環(huán)保的自供電式電子設(shè)備提供支持。此外，該能源采集解決方案還有助于減輕每年生產(chǎn)和廢棄的數(shù)十億電池對環(huán)境的影響。 NEH2000BY 可幫助簡化能源采集
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Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強(qiáng)安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴(yán)格的熱插拔和軟啟動應(yīng)用進(jìn)行了全面優(yōu)化，可在175°C下工作，適用于先進(jìn)的電信和計(jì)算設(shè)備。 憑借數(shù)十年開發(fā)先進(jìn)晶圓和封裝解決方案所積累的專業(yè)知識，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產(chǎn)品組合中的首選，
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Nexperia推出適用于24 V電源系統(tǒng)的車載網(wǎng)絡(luò)ESD保護(hù)產(chǎn)品組合

  • 奈梅亨，2023年3月6日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品組合，其中包含六個(gè)ESD保護(hù)器件(PESD2CANFD36XX-Q)，旨在保護(hù)LIN、CAN、CAN-FD、FlexRay和SENT等車載網(wǎng)絡(luò)(IVN)中的總線免受靜電放電(ESD)和其他瞬變造成的損壞。 隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的提高和車載電子含量的增加，ESD保護(hù)的需求變得越來越重要，提供正確的保護(hù)類型已成為設(shè)計(jì)工程師的巨大挑戰(zhàn)。與汽車和小型車輛中的電池電壓相比，24 V電源通常用于卡車和商用車
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了解RET的開關(guān)特性

  • 可通過基極電流開啟或關(guān)閉雙極結(jié)型晶體管(BJT)。但是，由于基極-發(fā)射極二極管兩端的壓降在很大程度上取決于溫度，因而在許多應(yīng)用中，需要一個(gè)串聯(lián)電阻將基極電流保持在所需水平，從而確保BJT穩(wěn)定安全地工作。閱讀本文，了解如何使用RET來應(yīng)對標(biāo)準(zhǔn)BJT的溫度依賴性。為了減少元器件數(shù)量、簡化電路板設(shè)計(jì)，配電阻晶體管將一個(gè)或兩個(gè)雙極性晶體管與偏置電阻組合在一起，集成在同一個(gè)晶片上。替代方案包括在基極-發(fā)射極路徑上并聯(lián)第二個(gè)集成電阻，以創(chuàng)建用于設(shè)置基極電壓的分壓器。這可以提供更精細(xì)的微調(diào)和更好的關(guān)斷特性。由于這些內(nèi)部
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Nexperia宣布面向高速數(shù)據(jù)線的TrEOS系列ESD保護(hù)器件再添兩款新產(chǎn)品

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布Nexperia TrEOS產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護(hù)二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發(fā)電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶，浪涌抗擾度出眾，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。 Nexperia高級產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider表示：“Nexperia開發(fā)了TrEOS產(chǎn)品組合，專門用于為我們的客戶提供一系列適用于USB3.2、USB4?、Thunderbolt
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Nexperia發(fā)布用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的650 V超快恢復(fù)整流管

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布，旗下面向工業(yè)和汽車領(lǐng)域的銅夾片F(xiàn)latPower (CFP)封裝二極管系列產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。新增產(chǎn)品包括4個(gè)采用CFP3和CFP5封裝的650 V、1 A器件，可應(yīng)用于車載充電器(OBC)和電動汽車逆變器，以及工業(yè)應(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換器、PV逆變器和電源。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品包括PNU65010ER (CFP3)和PNU65010EP (CFP5)，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品包括PNU65010ER-Q (CFP3)和PNU65010EP-Q (CFP5)
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